明構(gòu)思不限于該實施例。例如，目標像素的值可以為目標像素的亮度，正常像素范圍NPR可以基于使目標像素作為中心像素的核的平均亮度而確定。平均亮度越高，正常像素范圍NPR的中值電平(例如，最大電平和最小電平之間的中間值)越高，并且正常像素范圍NPR的大小(例如，最大電平和最小電平之差)越大。
[0079]當代表性像素被包括在核內(nèi)或者當與代表性像素相鄰的壞像素的數(shù)量大于預(yù)定數(shù)量(例如，2)時，壞像素檢測單元220可以調(diào)整核的正常像素范圍NPR，例如，壞像素檢測單元220可以減小核的正常像素范圍NPR。
[0080]當目標像素不在正常像素范圍NPR中時，壞像素檢測單元220可以認為目標像素為壞像素，并且可以發(fā)送目標像素到壞像素補償單元230。當目標像素在正常像素范圍NPR內(nèi)時，壞像素檢測單元220可以認為目標像素不是壞像素，并且可以將目標像素輸出為補償后的像素圖像CP I。
[0081]壞像素補償單元230可以對從壞像素檢測單元220接收的目標像素執(zhí)行補償。壞像素補償單元230可以利用使目標像素作為中心像素的核中的目標像素的周圍像素，來補償目標像素。補償可以通過利用周圍像素中具有與目標像素相同顏色(例如，紅色、藍色或綠色)的像素的平均值來執(zhí)行，或者通過過濾周圍像素來執(zhí)行，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于該實施例。壞像素補償單元230可以將補償后的目標像素輸出為補償后的像素圖像CPI。
[0082]圖4是輸入到根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的圖3中示出的壞像素處理單元200的像素圖像PI的圖。圖5是用于解釋根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的圖3中示出的壞像素檢測單元220的操作的圖。圖6是用于解釋用于生成存儲在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的圖3中示出的壞像素存儲器210中的代表性像素信息RPI的過程的圖。圖7是用于逐個比較存儲在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的圖3中示出的壞像素存儲器210中的數(shù)據(jù)的圖。
[0083]參照圖1至圖7，圖4示出了像素圖像PI的示例。為了說明的目的，像素陣列110包括呈10行10列的矩陣布置的像素，像素圖像PI以10行10列的矩陣形成，像素圖像PI的每個像素由X坐標(例如，Xl至XlO中的一個)和Y坐標(例如，Yl至YlO中的一個)定義。例如，像素Pl的坐標為(X4，Y4)。這里，矩陣中行和列的數(shù)量僅僅是示例，本發(fā)明構(gòu)思不限于這些示例。
[0084]壞像素檢測單元220可以從第一行中的坐標(XI，Yl)處的像素到坐標(Χ10，Yl)處的像素以及從第二行中的坐標(XI，Υ2)處的像素到坐標(ΧΙΟ，Υ2)處的像素順序地接收像素。例如，壞像素檢測單元220可以將從第一行到第十行按光柵方向順序輸入的每個像素認為是目標像素，并且可以對每個目標像素順序地執(zhí)行壞像素檢測。
[0085]參照圖4，第一核Kl使像素Pl作為目標像素(是第一核Kl的中心像素)，第二核Κ2使像素Ρ2作為目標像素(是第二核Κ2的中心像素)，第三核Κ3使代表性像素Rl作為目標像素(是第三核Κ3的中心像素)。假設(shè)在像素圖像PI中存在兩個壞像素BI和Β2。
[0086]參照圖5，第一核Kl使像素Pl作為目標像素和第一核Kl的中心像素Cl。當壞像素檢測單元220確定像素Pl為目標像素時，壞像素檢測單元220確定代表性像素Rl是否被包括在第一核Kl中。由于代表性像素Rl不被包括在第一核Kl中，所以壞像素檢測單元220可以輸出目標像素，例如，壞像素檢測單元220可以將像素Pl輸出為補償后的像素圖像CPI，而不執(zhí)行壞像素檢測和壞像素補償。這里，壞像素檢測是確定目標像素是否為壞像素的操作，壞像素補償是補償被確定為壞像素的目標像素的操作。
[0087]第二核Κ2使像素Ρ2作為目標像素和第二核Κ2的中心像素C2。當壞像素檢測單元220確定像素Ρ2為目標像素時，壞像素檢測單元220確定代表性像素Rl是否被包括在第二核Κ2中。由于代表性像素Rl被包括在第二核Κ2中，所以壞像素檢測單元220執(zhí)行壞像素檢測。
[0088]壞像素檢測單元220根據(jù)在第二核Κ2中與像素位置Pll至Ρ55(其中，ΡΑΒ表示第A行第B列的交叉的位置)對應(yīng)的像素值來確定正常像素范圍NPR，并且確定與目標像素P2的位置P33對應(yīng)的像素值是否在正常像素范圍NPR內(nèi)。由于與位置P33對應(yīng)的像素值在正常像素范圍NPR內(nèi)，所以壞像素檢測單元220不會發(fā)送目標像素P2至用于壞像素補償?shù)膲南袼匮a償單元230，并且可以將目標像素P2輸出為補償后的像素圖像CPI。
[0089]當代表性像素Rl被包括在第二核K2中時或者當與代表性像素Rl相鄰的壞像素的數(shù)量大于預(yù)定數(shù)量(例如，2)時，壞像素檢測單元220可以調(diào)整正常像素范圍NPR，例如，壞像素檢測單元220可以減小第二核K2的正常像素范圍NPR。當代表性像素Rl被包括在第二核K2中時或者當與代表性像素Rl相鄰的壞像素的數(shù)量大于預(yù)定數(shù)量(例如，2)時，可以理解意味著壞像素被包括在第二核K2中的可能性相對高。正常像素范圍NPR越小，可以越細微地執(zhí)行壞像素檢測。因此，壞像素檢測單元220可以調(diào)整(例如，減小)正常像素范圍NPR，因此，可以更精確地確定目標像素P2是否為壞像素。
[0090]第三核K3使代表性像素Rl作為目標像素和第三核K3的中心像素C3。當壞像素檢測單元220確定代表性像素Rl為目標像素時，壞像素檢測單元220確定代表性像素Rl是否被包括在第三核K3中。由于代表性像素Rl被包括在第三核K3中，所以壞像素檢測單元220執(zhí)行壞像素檢測。
[0091]壞像素檢測單元220根據(jù)在第三核K3中與像素位置Pll至P55對應(yīng)的像素值來確定正常像素范圍NPR，并且確定與目標像素Rl的位置P33對應(yīng)的像素值是否在正常像素范圍NPR內(nèi)。由于與位置P33對應(yīng)的像素值在正常像素范圍NPR之外，所以壞像素檢測單元220可以發(fā)送目標像素Rl至用于壞像素補償?shù)膲南袼匮a償單元230。
[0092]當代表性像素Rl被包括在第三核K3中時或者當與代表性像素Rl相鄰的壞像素的數(shù)量大于預(yù)定數(shù)量(例如，2)時，壞像素檢測單元220可以調(diào)整(例如，減小)正常像素范圍NPR0
[0093]參照圖6，傳感器測試器600生成代表性像素信息RPI。傳感器測試器600可以實施為電測工序(EDS)測試器，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于該實施例。
[0094]傳感器測試器600可以分析在諸如白電平(例如，亮度的高電平)、黑電平(例如，亮度的低電平)等各種條件下圖像傳感器100或565中生成的像素圖像PI，并且可以檢測具體位置處的像素為壞像素。傳感器測試器600可以基于檢測為壞像素的每個像素的位置來確定代表性像素。
[0095]代表性像素是代表與壞像素相鄰的像素。這里，當多個壞像素被包括在具體核(例如，由壞像素處理單元200使用的核)中時，該核中包括的多個壞像素可以被解釋為相鄰壞像素。
[0096]代表性像素是從每個相鄰壞像素的水平偏移和豎直偏移的絕對值等于或小于與核的大小對應(yīng)的預(yù)定值的像素。例如，當核的大小為η X η時，預(yù)定值可以為η/2。例如，當如圖4中所示定位壞像素時，Χ6至Χ9的具體X坐標范圍和Υ6至YlO的具體Y坐標范圍內(nèi)的像素中的一個可以被確定為代表性像素。
[0097]傳感器測試器600可以生成包括代表性像素的坐標以及關(guān)于與代表性像素相鄰的壞像素的數(shù)量的信息的代表性像素信息RPI，并且可以將代表性像素信息RPI存儲在壞像素存儲器210中。關(guān)于與代表性像素相鄰的壞像素的數(shù)量的信息可以不被包括在代表性像素信息RPI中。
[0098]參照圖7，假設(shè)，第四核K4在X21至X25的具體X坐標范圍和Y21至Y25的具體Y坐標范圍內(nèi)包括兩個壞像素Β3和Β4，并且將位置(X23J23)處的像素確定為代表性像素R2。存儲在壞像素存儲器210中的數(shù)據(jù)的大小在情況CASE I至CASE4中可以不同。例如，像素的X坐標和Y坐標中的每個由13比特組成，圖案信息由6比特組成，偏移信息由6比特組成，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。
[0099]圖案信息對應(yīng)于由至少一個壞像素形成的相對位置關(guān)系。例如，當僅存在一個壞像素時，圖案信息表示為“000000”，當存在在水平方向上由一個像素分開的兩個壞像素時，圖像信息表示為“000001”，當存在在豎直方向上由一個像素分開的兩個壞像素時，圖像信息表示為“000010”。偏移信息包括每個壞像素相對于某個壞像素的水平偏移和豎直偏移。
[0100]在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的第一種情況CASEl下，僅包括代表性像素R2的坐標(例如，X坐標和Y坐標)的第一數(shù)據(jù)DATAl可以作為代表性像素信息RPI存儲在壞像素存儲器210中。例如，處理壞像素B3和B4所需的壞像素存儲器210的容量為與代表性像素R2的坐標對應(yīng)的26比特。這是因為，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實施例的壞像素檢測單元220能夠僅基于代表性像素R2的坐標來檢測壞像素。
[0101]在作為比較示例的第二種情況CASE2下，第二數(shù)據(jù)DATA2包括壞像素B3的坐標(例如，X坐標和Y坐標)和關(guān)于壞像素B3和B4之間的相對位置關(guān)系的圖案信息。例如，處理壞像素B3和B4所需的壞像素存儲器210的容量為與壞像素B3的坐標和圖案信息對應(yīng)的32比特。該容量基本上比第一種情況CASEl下的容量高23 %。
[0102]在作為比較示例的第三種情況CASE3下，第三數(shù)據(jù)DATA3包括壞像素B3的坐標和關(guān)于壞像素B4相對于壞像素B3的水平偏移(例如，“000”)和豎直偏移(例如，“001”)的偏移信息。例如，處理壞像素B3和B4所需的壞像素存儲器210的容量為與壞像素B3的坐標和偏移信息對應(yīng)的32比特。該容量基本上比第一種情況CASEl下的容量高23%。
[0103]在作為比較示例的第四種情況CASE4下，第四數(shù)據(jù)DATA4包括壞像素B3的坐標和壞像素B4的坐標。例如，處理壞像素B3和B4所需的壞像素存儲器210的容量