一種小型化高密度集成t/r模塊結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及微波收發(fā)組件領(lǐng)域，特別涉及一種小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]T/R模塊在有源相控陣?yán)走_天線中的關(guān)鍵組件，現(xiàn)有的TR模塊結(jié)構(gòu)形式上基本都采用盒體結(jié)構(gòu)。而盒體結(jié)構(gòu)內(nèi)部射頻鏈路采用多種器件組合，使得產(chǎn)品體積大，重量重；同時，散熱又采用肋片方式，就進一步增大了產(chǎn)品尺寸和重量。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的實用新型目的在于克服現(xiàn)有T/R模塊組件體積大、重量重的問題，提供一種小體積、輕量化的小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案為:
[0005]—種小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)，包括盒體狀的第一T/R模塊封裝體和第二T/R模塊封裝體，所述第一 T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體內(nèi)集成有通道內(nèi)射頻芯片組；
[0006]所述第一T/R模塊封裝體和所述第二 T/R模塊封裝體相互扣合并形成扣合腔體;所述扣合腔體內(nèi)靠近所述第一 T/R模塊封裝體一面設(shè)置有電壓調(diào)節(jié)板，所述第一 T/R模塊封裝體內(nèi)的通道內(nèi)射頻芯片組與所述電壓調(diào)節(jié)板連接；
[0007]同時，所述扣合腔體內(nèi)靠近所述第二T/R模塊封裝體一面設(shè)置有控制信號傳輸板，所述第二 T/R模塊封裝體內(nèi)的通道內(nèi)射頻芯片組與所述控制信號板連接；
[0008]所述電壓調(diào)節(jié)板與所述控制信號傳輸板之間電連接。
[0009]作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述扣合腔體內(nèi)設(shè)置有散熱板，所述散熱板與所述第一 T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體貼合，用于將發(fā)熱器件傳導(dǎo)到所述第一 T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體上的熱量傳遞到外部。
[0010]作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述散熱板由兩塊鋁合金腔體扣合固定而成，所述兩塊鋁合金中間固定一高導(dǎo)熱石墨片。
[0011]作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述第一T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體中用于安裝發(fā)熱器件部分的殼體為散熱板結(jié)構(gòu)，所述散熱板結(jié)構(gòu)指兩塊相互扣合固定的鋁合金腔體中間固定一高導(dǎo)熱石墨片。
[0012]作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述電壓調(diào)節(jié)板和控制信號傳輸板上分別設(shè)置有可以相互配合的插座及插針，當(dāng)所述第一T/R模塊封裝體與所述第二T/R模塊封裝體扣合時，插針插入所述插座，實現(xiàn)所述電壓調(diào)節(jié)板與所述控制信號傳輸板的連接。
[0013]作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述第一T/R模塊封裝體在所述扣合腔體一側(cè)殼體設(shè)置有通孔，在所述通孔內(nèi)嵌入并固定有排針，所述排針的兩端分別連接所述第一 T/R模塊封裝體內(nèi)的通道內(nèi)射頻芯片組與所述扣合腔體內(nèi)的電壓調(diào)節(jié)板；
[0014]作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述第二T/R模塊封裝體在所述扣合腔體一側(cè)殼體設(shè)置有通孔，在所述通孔內(nèi)嵌入并固定有排針，所述排針的兩端分別連接所述第二 T/R模塊封裝體內(nèi)的通道內(nèi)射頻芯片組與所述扣合腔體內(nèi)的控制信號傳輸板。
[0015]作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述通道內(nèi)射頻芯片組與所述第一T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體為焊接連接。
[0016]作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述第一T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體的殼體采用激光封焊進行焊接，實現(xiàn)T/R模塊封裝體的整體氣密性要求。
[0017]綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實用新型的有益效果是:
[0018]1、以兩個腔體背靠背形式安裝，充分利用兩模塊中間部分的空間來放置控制信號傳輸板、電壓調(diào)節(jié)板，實現(xiàn)了 TR模塊的結(jié)構(gòu)的小型化和輕量化。
[0019]2、本實用新型大功率芯片直接焊接在第一 T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體上，使之能很好的把芯片熱量傳導(dǎo)出去，增強了 TR模塊的散熱能力。
[0020]3、外部封裝蓋板采用激光封焊，實現(xiàn)整個模塊的氣密封裝，滿足了 TR模塊在各種惡劣環(huán)境下的使用要求。
【附圖說明】
[0021]圖1為本實用新型實施例中第一T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體的扣合面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]圖2為本實用新型實施例中通道內(nèi)射頻芯片及排針的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖3為本實用新型實施例中通道內(nèi)射頻芯片安裝的射頻微波板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0024]圖4為本實用新型實施例中排針的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]圖中標(biāo)記:1-第一T/R模塊封裝體，2-第二T/R模塊封裝體，100-電壓調(diào)節(jié)板，200-控制信號傳輸板，110-插座，210-插針，111-焊接孔，120-電源連接器，220-低頻控制連接器，A-散熱板安裝區(qū)域，B-通道內(nèi)射頻芯片組安置區(qū)域，150-射頻微波板，160-排針，170-排針。
【具體實施方式】
[0026]下面結(jié)合附圖，對本實用新型作詳細(xì)的說明。
[0027]為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0028]一種小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)，如圖1所示，包括盒體狀的第一 T/R模塊封裝體1和第二 T/R模塊封裝體2，所述第一 T/R模塊封裝體1和第二 T/R模塊封裝體2內(nèi)集成有通道內(nèi)射頻芯片組，用于完成T/R模塊的收發(fā)工作。
[0029]所述第一T/R模塊封裝體1和第二 T/R模塊封裝體2相互扣合并形成扣合腔體。
[0030]參看圖1，所述扣合腔體內(nèi)靠近所述第一T/R模塊封裝體1 一面設(shè)置有電壓調(diào)節(jié)板100，所述第一 T/R模塊封裝體內(nèi)的T/R模塊與所述電壓調(diào)節(jié)板100連接。
[0031]同時，所述扣合腔體內(nèi)靠近所述第二T/R模塊封裝體2—面設(shè)置有控制信號傳輸板200，所述第二 T/R模塊封裝體2內(nèi)的T/R模塊與所述控制信號板200連接。進一步的，所述電壓調(diào)節(jié)板100和所述控制信號傳輸板200上分別設(shè)置有插座110和插針210，在第一 T/R模塊封裝體1和第二T/R模塊封裝體2相互扣合的過程中，所述插針210插入所述插座110，從而實現(xiàn)將分別設(shè)置在2個腔體上的電壓調(diào)節(jié)板100的與控制信號傳輸板200連接在一起。
[0032]進一步的，所述扣合腔體內(nèi)設(shè)置有散熱板，參看圖2標(biāo)記A。所述散熱板與所述第一T/R模塊封裝體1和第二 T/R模塊封裝體2貼合，用于將發(fā)熱器件傳導(dǎo)到所述第一 T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體上的熱量傳遞到外部，所述發(fā)熱器件為大功率芯片，所述大功率芯片直接焊接在所述第一 T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體上。
[0033]進一步的，所述散熱板由兩塊鋁合金腔體扣合固定而成，而在所述兩塊鋁合金腔體中間固定有高導(dǎo)熱石墨片。
[0034]作為優(yōu)選，將散熱板與所述2個封裝體制做成一體式，即第一T/R模塊封裝體和第二T/R模塊封裝體中用于安裝發(fā)熱器件的部分具有所述散熱板結(jié)構(gòu)，即采用在兩塊相互扣合固定的鋁合金腔體中間固定一高導(dǎo)熱石墨片的結(jié)構(gòu)，這樣使得發(fā)熱器件的散熱路徑更短，效果更