好，可以把芯片的功率做的更大。
[0035]進(jìn)一步的，所述通道內(nèi)射頻芯片組內(nèi)的芯片直接固定在所述2個(gè)封裝體上，參看圖3標(biāo)記B;這樣更加利于作為發(fā)熱器件的芯片將熱量直接通過封裝體直接傳遞給扣合腔體內(nèi)的散熱板并將熱量傳遞到外部，從而保證芯片的正常工作。
[0036]進(jìn)一步的，在所述通道內(nèi)射頻芯片組還包括一射頻微波板150，所述射頻微波板150與通道內(nèi)射頻芯片組中的芯片通過金絲焊接連接。
[0037]進(jìn)一步的，參看圖1、圖2、圖3，在所述2個(gè)封裝體上開孔，嵌入排針160、170并通過焊接孔111焊接固定，用于將扣合腔體內(nèi)的電壓調(diào)節(jié)板100和控制信號(hào)傳輸板200分別與T/R模塊內(nèi)的射頻微波板150連接起來。參看圖4所示的排針結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]作為優(yōu)選，考慮芯片的布局，排針160、170米用相互垂直的布局。
[0039]進(jìn)一步的，參看圖1，在所述控制信號(hào)傳輸板200、電壓調(diào)節(jié)板100上還分別設(shè)置有低頻控制連接器220和電源連接器120，用于向T/R模塊傳輸控制命令及供電。
[0040]進(jìn)一步的，所述第一和第二T/R模塊封裝體上的還設(shè)置有蓋板，對(duì)所述射頻微波板150及其內(nèi)部的芯片進(jìn)行封裝和保護(hù)，且所述蓋板與腔體之間的縫隙采用激光封焊進(jìn)行焊接。
[0041 ]作為優(yōu)選，所述射頻微波板150的材料為FR4。
[0042]控制信號(hào)傳輸板工作原理:
[0043]控制指令從控制信號(hào)傳輸板200上的低頻控制連接器220進(jìn)來后通過排針160、170傳遞到射頻微波板150上，再通過射頻微波板150上的電路傳到相關(guān)射頻芯片實(shí)現(xiàn)控制功能實(shí)現(xiàn)模塊的所有控制功能，包括算法解算、幅相控制、AD讀寫、溫度采集、模式控制、供電時(shí)序控制等功能。
[0044]電壓調(diào)節(jié)板工作原理:
[0045]電壓調(diào)節(jié)板100接收控制信號(hào)傳輸板200的控制指令，將輸入的各種電壓(如+5.3￥8、+28￥8、-6￥)調(diào)制轉(zhuǎn)換成通道內(nèi)射頻芯片所需要的電壓(如+5.3￥(±0.2￥)、+3.5￥(±
0.1V)、+28V(-0.2V)、-6V(-0.1 V))，提供給模塊的射頻系統(tǒng)供電。
[0046]本實(shí)用新型τ/R模塊工作原理:
[0047]外部的電源信號(hào)和控制信號(hào)分別通過電源連接器120和低頻控制連接器220進(jìn)入電壓調(diào)節(jié)板100、控制信號(hào)傳輸板200，而電壓調(diào)節(jié)板100、控制信號(hào)傳輸板200已通過插針210插入插座110相互連接導(dǎo)通，從而使電源信號(hào)和控制信號(hào)分別輸送到2個(gè)T/R模塊上。
[0048]綜上所述，本實(shí)用新型通過利用2個(gè)腔體對(duì)扣而形成的中間空隙部分安裝控制信號(hào)傳輸板、電壓調(diào)節(jié)板以及散熱板，從而減小了模塊整體尺寸，實(shí)現(xiàn)整個(gè)Τ/R模塊的高密度集成和小型化、輕量化。而射頻微波板通過使用FR4材料取代LTCC材料，又使得成本降低的同時(shí)可靠性提升。進(jìn)一步的，模塊的蓋板與腔體配合的一圈縫隙用激光封焊進(jìn)行焊接，實(shí)現(xiàn)整個(gè)模塊的氣密封裝，滿足Τ/R模塊在各種惡劣環(huán)境下的使用要求。
[0049]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括盒體狀的第一T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體，所述第一 T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體內(nèi)集成有通道內(nèi)射頻芯片組； 所述第一 T/R模塊封裝體和所述第二 T/R模塊封裝體相互扣合并形成扣合腔體;所述扣合腔體內(nèi)靠近所述第一 T/R模塊封裝體一面設(shè)置有電壓調(diào)節(jié)板，所述第一 T/R模塊封裝體內(nèi)的通道內(nèi)射頻芯片組與所述電壓調(diào)節(jié)板連接； 同時(shí)，所述扣合腔體內(nèi)靠近所述第二 T/R模塊封裝體一面設(shè)置有控制信號(hào)傳輸板，所述第二 T/R模塊封裝體內(nèi)的通道內(nèi)射頻芯片組與所述控制信號(hào)板連接； 所述電壓調(diào)節(jié)板與所述控制信號(hào)傳輸板之間電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述扣合腔體內(nèi)設(shè)置有散熱板，所述散熱板與所述第一 T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體貼合，用于將發(fā)熱器件傳導(dǎo)到所述第一 T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體上的熱量傳遞到外部。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述散熱板由兩塊鋁合金腔體扣合固定而成，所述兩塊鋁合金中間固定一高導(dǎo)熱石墨片。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體中用于安裝發(fā)熱器件部分的殼體為散熱板結(jié)構(gòu)，所述散熱板結(jié)構(gòu)指兩塊相互扣合固定的鋁合金腔體中間固定一高導(dǎo)熱石墨片。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電壓調(diào)節(jié)板和控制信號(hào)傳輸板上分別設(shè)置有可以相互配合的插座及插針，當(dāng)所述第一 T/R模塊封裝體與所述第二 T/R模塊封裝體扣合時(shí)，插針插入所述插座，實(shí)現(xiàn)所述電壓調(diào)節(jié)板與所述控制信號(hào)傳輸板的連接。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一T/R模塊封裝體在所述扣合腔體一側(cè)殼體設(shè)置有通孔，在所述通孔內(nèi)嵌入并固定有排針，所述排針的兩端分別連接所述第一 T/R模塊封裝體內(nèi)的通道內(nèi)射頻芯片組與所述扣合腔體內(nèi)的電壓調(diào)節(jié)板； 同時(shí)，所述第二 T/R模塊封裝體在所述扣合腔體一側(cè)殼體設(shè)置有通孔，在所述通孔內(nèi)嵌入并固定有排針，所述排針的兩端分別連接所述第二 T/R模塊封裝體內(nèi)的通道內(nèi)射頻芯片組與所述扣合腔體內(nèi)的控制信號(hào)傳輸板。7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、5或6任一項(xiàng)所述的一種小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通道內(nèi)射頻芯片組與所述第一 T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體為焊接連接。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一T/R模塊封裝體和第二 T/R模塊封裝體的殼體采用激光封焊進(jìn)行焊接，實(shí)現(xiàn)T/R模塊封裝體的整體氣密性要求。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)，包括盒體狀的第一T/R模塊封裝體和第二T/R模塊封裝體，所述第一T/R模塊封裝體和第二T/R模塊封裝體內(nèi)集成有通道內(nèi)射頻芯片組；所述第一T/R模塊封裝體和所述第二T/R模塊封裝體相互扣合并形成扣合腔體；所述扣合腔體內(nèi)靠近所述第一T/R模塊封裝體一面設(shè)置有電壓調(diào)節(jié)板，所述第一T/R模塊封裝體內(nèi)的T/R模塊與所述電壓調(diào)節(jié)板連接；同時(shí)，所述扣合腔體內(nèi)靠近所述第二T/R模塊封裝體一面設(shè)置有控制信號(hào)傳輸板，所述第二T/R模塊封裝體內(nèi)的T/R模塊與所述控制信號(hào)板連接，所述電壓調(diào)節(jié)板與所述控制信號(hào)傳輸板之間電連接。目的在于提供一種小體積、輕量化的小型化高密度集成T/R模塊結(jié)構(gòu)。
【IPC分類】H04B1/38
【公開號(hào)】CN205105201
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520924239
【發(fā)明人】吳鳳鼎, 夏輝, 彭科, 管玉靜, 李 燦
【申請(qǐng)人】成都雷電微力科技有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2015年11月18日