一種具備otdr波長過濾功能的光接收組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及光通信技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具備OTDR波長過濾功能的光接收組件。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，用于光通信領(lǐng)域的光接收機(jī)，按光探測器類型分為PD接收機(jī)和雪崩光電探測器(Avalanche photodetector，簡寫為:AF1D)接收機(jī)。在高速光傳輸網(wǎng)應(yīng)用中，PD接收機(jī)主要用于中短距離傳輸，而AH)接收機(jī)則廣泛應(yīng)用于長距離傳輸。
[0003]光時域反射儀(OpticalTime Domain Reflectometer，簡寫為:0TDR)是光纖測試技術(shù)領(lǐng)域中一種常用的儀表，它可進(jìn)行光纖長度、光纖的傳輸衰減、接頭衰減和故障定位等的測量。
[0004]OTDR的光波長有多種，常見的有1310nm、1490nm、1550nm、1625nm和1650nm等，以上波長均在常用的光接收機(jī)可響應(yīng)的波長范圍內(nèi)。
[0005]設(shè)備和系統(tǒng)廠商通常會采用特定波長的OTDR進(jìn)行光纖測試。OTDR輸出的脈沖光功率通常可達(dá)20dBm甚至以上，在用OTDR進(jìn)行測試時，其測試鏈路遠(yuǎn)端連接的光接收機(jī)在很多情況下并沒有從線路上斷開，在鏈路衰耗較小的情況下，最后進(jìn)入光接收機(jī)的光可能仍會大于接收機(jī)最大可承受的輸入光功率，從而會導(dǎo)致接收機(jī)內(nèi)部芯片暫時飽和甚至永久性的損壞。
[0006]對于設(shè)備和系統(tǒng)廠商而言，如何解決OTDR在線測試時由于光功率過大，導(dǎo)致接收機(jī)損壞，是目前一項迫切需要解決的問題。
[0007]針對光模塊的接收設(shè)計而言，當(dāng)前用于光功率過載保護(hù)的技術(shù)方案，通常有2種:
[0008](I)采取設(shè)計保護(hù)電路的方案，在接收機(jī)的APD或PD線路上增加限流電阻，可以一定程度上控制穩(wěn)定后的光電流。但對于突發(fā)入射的情況，特別是在OTDR入射光功率很大的情況下，由于高速APD和PD芯片的響應(yīng)時間更短，在限流電阻起作用前，尤其對于內(nèi)部具有電流倍增功能的Aro芯片而言，芯片產(chǎn)生的光電流峰值已超出芯片的耐受范圍。
[0009]對于在低偏壓下工作的PD接收機(jī)而言，采用上述增加限流電阻的方法，還會影響接收機(jī)的過載性能。
[0010]因此設(shè)計保護(hù)電路的方法難以解決該問題。
[0011](2)采用在光接收組件的光適配器上集成微機(jī)電系統(tǒng)(Micro ElectroMechanical System，簡寫為:MEMS)的可變光衰減器(Variable Optical Attenuator，簡寫為:V0A)的方案，通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電壓控制VOA的衰減量。但這種方案的光適配器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，工藝實(shí)現(xiàn)難度較大，VOA的響應(yīng)速度較慢難以防護(hù)快速的高功率注入。同時該光適配器的價格昂貴，無法滿足現(xiàn)有光接收組件批量化和成本要求。
[0012]因此有必要設(shè)計一種具備OTDR波長過濾功能的光接收組件，以克服上述問題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0013]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷，提供了一種具備OTDR波長過濾功能的光接收組件。
[0014]本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0015]本實(shí)用新型提供一種具備OTDR波長過濾功能的光接收組件，所述光接收組件包括一帶陶瓷插芯的光適配器和一組裝件，具體的:
[0016]所述帶陶瓷插芯的光適配器與所述組裝件連接的一側(cè)的陶瓷插芯的端面為斜端面，所述斜端面上鍍有可透射實(shí)際傳輸數(shù)據(jù)的光信號，并能夠使OTDR光反射或者被吸收的薄膜；
[0017]所述組裝件包括由ro芯片和TIA芯片組成的光接收電路;或者，所述組裝件包括由Aro芯片和TIA芯片組成的光接收電路。
[0018]優(yōu)選的，所述薄膜所透射的光信號波長范圍為1500?1570nm，所述薄膜所反射或者所吸收的OTDR光波長范圍為1610?1670nmo
[0019]優(yōu)選的，所述斜端面與垂直于所述陶瓷插芯中心線的面的夾角為6?10°。
[0020]優(yōu)選的，所述帶陶瓷插芯的光適配器和所述組裝件由激光焊接固定;其中，所述激光焊接在完成所述陶瓷插芯和所述PD芯片的耦合后進(jìn)行；或者，所述激光焊接在完成所述陶瓷插芯和所述Aro芯片的耦合后進(jìn)行。
[0021 ] 優(yōu)選的，所述組裝件具體為TO-CAN組裝件。
[0022]本實(shí)用新型具有以下有益效果:
[0023]本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種具備OTDR波長過濾功能的光接收組件，使OTDR波長相對于光接收組件實(shí)際傳輸應(yīng)用光波長的隔離度達(dá)到1dB以上，使實(shí)際到達(dá)光探測器芯片的OTDR光功率控制在接收機(jī)耐受范圍內(nèi)，避免OTDR光功率過大導(dǎo)致接收機(jī)損壞。
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0025]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種具備OTDR波長過濾功能的光接收組件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種帶陶瓷插芯的適配器的鍍膜區(qū)域結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種TO-CAN組裝件內(nèi)部電原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0029]實(shí)施例一:
[0030]如圖1-圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種具備OTDR波長過濾功能的光接收組件，所述光接收組件包括一帶陶瓷插芯的光適配器和一組裝件，具體的:
[0031]所述帶陶瓷插芯的光適配器與所述組裝件連接的一側(cè)的陶瓷插芯的端面為斜端面，所述斜端面上