通過陽極氧化形成具有多個細孔的絕緣層44 (絕緣性氧化膜）的基板，從而確保高的絕緣 性。
[0081] 撓性基板20也可以在對Al基材42進行陽極氧化而形成絕緣層44之后，進行特 定的封孔處理。在其制造工序中，也可以包括除必須的工序以外的各種工序。例如，優(yōu)選經(jīng) 過對附著的軋制油進行除去的脫脂工序、對Al基材42的表面的污物進行溶解的除污物處 理工序、對Al基材42的表面進行粗面化的粗面化處理工序、在Al基材42的表面上形成陽 極氧化被膜的陽極氧化處理工序、以及對陽極氧化被膜的微孔進行封孔的封孔處理而得到 撓性基板20。
[0082] 需要說明的是，撓性基板20通過使基材40、Al基材42以及絕緣層44均具有撓性 即柔韌性，從而撓性基板20整體變得柔韌。由此，例如能夠以輥對輥方式在撓性基板20的 絕緣層44側(cè)形成后述的堿供給層、下部電極、光轉(zhuǎn)換層以及上部電極等。
[0083] 例如，通過在輥對輥方式的制造中，加入用于在各制膜工序的間歇使元件分離、集 聚的刻劃工序，從而能夠制作出多個太陽能電池單元50以串聯(lián)的方式電連接而成的電子 元件22。
[0084] 關于撓性基板20,不限于僅在基材40的一面形成Al基材42以及絕緣層44的基 板，也可以采用在基材40的兩面形成Al基材42而在一方的Al基材42上形成絕緣層44 的基板，或者在基材40的兩面形成Al基材42以及絕緣層44的基板。作為撓性基板20,也 可以是Al層為單層的基板，即在Al基板上設置由上述的陽極氧化膜構(gòu)成的絕緣層的基板。 另外，金屬基材43也可以是Al基材以外的單層結(jié)構(gòu)。
[0085] 需要說明的是，作為金屬基板，可以利用通過陽極氧化而在金屬基板表面上生成 的金屬氧化膜為絕緣體的材料。因此，除鋁（Al)以外，具體而言可以使用鋯（Zr)、鈦（Ti)、 鎂（Mg)、銅（Cu)、鈮（Nb)以及鉭（Ta)等、以及它們的合金。從成本以及太陽能電池模塊所 要求的特性的觀點來看，最優(yōu)選鋁。
[0086] 另外，為了提高耐熱性，也可以是在軟鋼或不銹鋼等鋼鐵板上軋制或熔融鍍敷上 述金屬的層而形成的所謂包層件。
[0087] 這樣，撓性基板20是由金屬、合金以及氧化物等構(gòu)成的基板，由于其性質(zhì)以及膜 厚而不會使水蒸氣透過。
[0088] 此處，在絕緣層44 (撓性基板20)與下部電極52之間，即在絕緣層44的表面44a 上，作為向光電轉(zhuǎn)換層54供給堿金屬的供給源而形成有堿供給層60。該堿供給層60包含 于電子元件22。
[0089] 眾所周知，當堿金屬尤其是Na向由CIGS形成的光電轉(zhuǎn)換層54擴散時，光電轉(zhuǎn)換 效率變高。
[0090] 該堿供給層60是用于向光電轉(zhuǎn)換層54供給堿金屬的層，是含有堿金屬的化合物 的層。通過在絕緣層44與下部電極52之間具有這樣的堿供給層60,從而在光電轉(zhuǎn)換層54 的成膜時，堿金屬通過下部電極52向光電轉(zhuǎn)換層54擴散，能夠提高光電轉(zhuǎn)換層54的轉(zhuǎn)換 效率。
[0091] 堿供給層60沒有特別限定，但最優(yōu)選由液相法形成的層。以下，對由液相法形成 的堿供給層60進行詳細說明。堿供給層60例如是堿金屬硅酸鹽層。
[0092] 堿金屬硅酸鹽層的堿金屬優(yōu)選為鈉，更加優(yōu)選如鋰和鈉、或者鉀和鈉這樣含有鈉、 以及鋰或鉀這兩種。通過這樣將鈉與鋰或鉀并用，由此能夠提高絕緣性，且能夠提高發(fā)電效 率。
[0093] 作為由液相法形成的堿金屬硅酸鹽層的硅源以及堿金屬源，優(yōu)選列舉硅酸鈉、硅 酸鋰以及硅酸鉀。硅酸鈉、硅酸鋰以及硅酸鉀的制法公知有濕式法、干式法等，可以通過將 氧化硅分別在氫氧化鈉、氫氧化鋰、或氫氧化鉀中溶解等方法來制作。另外，也可以利用市 售的各種摩爾比的堿金屬硅酸鹽。
[0094] 作為硅酸鈉、硅酸鋰以及硅酸鉀，市售有各種摩爾比的硅酸鈉、硅酸鋰以及硅酸 鉀。作為示出硅與堿金屬的比例的指標，常使用Si0 2/A20(A:堿金屬）的摩爾比。例如，作 為硅酸鋰，有日產(chǎn)化學工業(yè)株式會社的硅酸鋰35、硅酸鋰45、硅酸鋰75等。作為硅酸鉀，市 售有1號硅酸鉀、2號硅酸鉀等。
[0095] 作為娃酸鈉，公知有原娃酸鈉、偏娃酸鈉、1號娃酸鈉、2號娃酸鈉、3號娃酸鈉以及 4號硅酸鈉等，也市售有將硅的摩爾比提高至幾十的高模數(shù)硅酸鈉。
[0096] 在作為堿金屬含有鈉、以及鋰或鉀這兩種的情況下，可以像硅酸鈉和硅酸鋰、硅酸 鈉和硅酸鉀這樣使用兩種供給源，例如，在堿金屬硅酸鹽層含有硅酸鋰和硅酸鈉的情況下， 可以將硅酸鋰和氫氧化鈉、或者氫氧化鋰和硅酸鈉分別與水以任意的比率混合，或者在堿 金屬硅酸鹽層含有硅酸鉀和硅酸鈉的情況下，將氫氧化鉀和硅酸鈉、或者硅酸鉀和氫氧化 鈉分別與水以任意的比率混合，從而制作出含有硅酸鋰和硅酸鈉、或者硅酸鉀和硅酸鈉的 堿金屬硅酸鹽層。另外，作為供給源，也可以分別添加鋰鹽、鉀鹽或鈉鹽。例如，使用硝酸鹽、 硫酸鹽、醋酸鹽、磷酸鹽、氯化物、溴化物以及碘化物等。
[0097] 通過將上述的硅源以及堿金屬源分別與水以任意的比率混合，從而能夠得到本發(fā) 明的堿金屬硅酸鹽層的涂敷液。通過變更水的添加量，能夠調(diào)整涂敷液的粘度，從而決定 適當?shù)耐糠髼l件。作為將涂敷液向基板上涂敷的方法沒有特別限定，例如能夠使用刮刀法 (doctor blade method)、線棒法（wire bar method)、凹版法（gravure method)、噴霧法、 浸涂法、旋涂法以及毛細管涂敷法（capillary coat method)等方法。
[0098] 在將涂敷液向基板上涂敷之后，可以通過進行熱處理來制作堿金屬硅酸鹽層， 此時的熱處理在低于大氣壓的壓力下進行，優(yōu)選在總壓IXlO 4Pa以下、更優(yōu)選在總壓 IXlO2Pa以下、進一步優(yōu)選在IPa以下、尤其優(yōu)選在IXKT2Pa以下的氛圍下進行。
[0099] 熱處理后的堿金屬娃酸鹽層的厚度為0· 01~2 μπι，優(yōu)選為0· 05~L 5 μπι，更加 優(yōu)選為〇. 1~I Um。若堿金屬娃酸鹽層的厚度變得比2 μπι厚，則熱處理時的堿金屬娃酸鹽 的收縮量變大而變得容易產(chǎn)生裂紋，因而不優(yōu)選。
[0100] 需要說明的是，堿金屬硅酸鹽層也可以含有硼，硼被取入由硅-氧形成的玻璃網(wǎng) 絡而形成均勻的玻璃。由此，推斷由于玻璃的微觀結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，玻璃中的堿金屬離子的穩(wěn) 定性提高，因而堿金屬離子的游離得到抑制，不再發(fā)生堿金屬離子向表面的偏析。從而，堿 金屬硅酸鹽層將硼、硅以及堿金屬作為單一層形成，不包括例如在堿金屬硅酸鹽層的表面 形成了含有硼的層的情況。
[0101] 作為硼源，可以舉出硼酸、以及四硼酸鈉等硼酸鹽。
[0102] 如上，最優(yōu)選對硅酸鈉（Na2O MSiO2 ·χΗ20 η = 3~3. 3)、硅酸鋰、硼酸（H3BO3)進 行燒成，從而形成含有Na的玻璃層（液相玻璃層）來作為堿供給層60。
[0103] 另外，除了由液相法形成的層之外，也可以使用濺射法而將堿石灰玻璃濺射層形 成為堿供給層60。
[0104] 另外，堿供給層60以Na02、Na2S、Na2Se、NaCl、NaF、以及鉬酸鈉鹽等含有堿金屬的 化合物（含有堿金屬化合物的組合物）為主成分，但沒有限定，能夠利用各種成分。尤其優(yōu) 選以SiO2 (氧化硅）為主成分且含有NaO2 (氧化鈉）的化合物。
[0105] 需要說明的是，3丨02與NaO2的化合物缺乏耐濕性，且Na成分容易分離而成為碳酸 鹽，因而更優(yōu)選采用添加了 Ca的金屬成分即Si-Na-Ca這三種成分的氧化物。
[0106] 需要說明的是，在本發(fā)明中，向光電轉(zhuǎn)換層54供給堿金屬的堿金屬供給源不僅限 于堿供給層60。
[0107] 例如，在絕緣層44為前述的多孔型的陽極氧化膜的情況下，也可以不僅向堿供給 層60中導入含有堿金屬的化合物，也向絕緣層44的孔中導入含有堿金屬的化合物來作為 向光電轉(zhuǎn)換層54供給堿金屬的堿金屬供給源?；蛘咭部梢圆痪哂袑ｉT的堿供給層60，而僅 向絕緣層44的孔中導入含有堿金屬的化合物來作為向光電轉(zhuǎn)換層54供給堿金屬的堿金屬 供給源。
[0108] 作為一個例子，在通過濺射來形成堿供給層60的情況下，在絕緣層44中不存在含 有堿金屬的化合物，能夠僅將堿供給層60成膜。另外，在絕緣層44為多孔型陽極氧化膜， 且通過溶膠凝膠反應或硅酸Na水溶液的脫水干燥來形成堿供給層60的情況下，不僅向堿 供給層60中導入含有堿金屬的化合物，也向絕緣層44的多孔層中導入含有堿金屬的化合 物，從而能夠?qū)⒔^緣層44以及堿供給層60這兩者作為向光電轉(zhuǎn)換層54供給堿金屬的堿金 屬供給源。
[0109] 在電子器件12中，下部電極52與相鄰的下部電極52之間設有規(guī)定的間隙（Pl)53 地排列，且形成于堿供給層60之上。另外，光電轉(zhuǎn)換層54以埋住各下部電極52的間隙53 的方式形成于下部電極52之上。在該光電轉(zhuǎn)換層54的表面形成有緩沖層56。
[0110] 光電轉(zhuǎn)換層54和緩沖層56在下部電極52之上設有規(guī)定的間隙（P2)57地排列。 需要說明的是，下部電極52的間隙53與光電轉(zhuǎn)換層54(緩沖層56)的間隙57在太陽能電 池單元50的排列方向上的不同位置形成。
[0111] 并且，以埋住光電轉(zhuǎn)換層54 (緩沖層56)的間隙57的方式，在緩沖層56的表面上 形成有上部電極58。
[0112] 上部電極58、緩沖層56以及光電轉(zhuǎn)換層54設有規(guī)定的間隙（P3) 59地排列。另 外，該間隙59與下部電極52的間隙、光電轉(zhuǎn)換層54 (緩沖層56)的間隙設于不同的位置。
[0113] 在電子器件12中，各太陽能電池單元50通過下部電極52和上部電極58而在撓 性基板20的長度方向（箭頭L方向）上以串聯(lián)的方式電連接。
[0114] 下部電極52例如由Mo膜構(gòu)成。光電轉(zhuǎn)換層54由具有光電轉(zhuǎn)換功能的半導體化 合物構(gòu)成，例如由CIS膜或CIGS膜構(gòu)成。并且，緩沖層56例如由CdS構(gòu)成，上部電極58例 如由ZnO構(gòu)成。
[0115] 需要說明的是，太陽能電池單元50在與撓性基板20的長度方向L正交的寬度方