7] 構成耐沖擊吸收層28以及耐壓層30的聚碳酸酯樹脂的線膨脹系數(shù)為60ppm/K，與 撓性基板20的10ppm/K相比大至其6倍。因此，在電子模塊IOa中施有很大內部應變。然 而，在電子模塊IOa中，周緣密封件14與電子器件12的密接性、以及周緣密封件14與水蒸 氣阻擋膜18的密接性良好，從而能夠得到與電子模塊10同樣的效果。并且，由于電子模塊 IOa是由耐沖擊吸收層28以及耐壓層30夾持的結構，因而耐沖擊性優(yōu)異。
[0158] 在電子模塊IOa中，也可以在電子器件12的撓性基板20的周緣部23上配置周緣 密封件14,填充填料16,配置水蒸氣阻擋膜18,進而隔著樹脂層29配置耐沖擊吸收層28以 及耐壓層30之后，在該層疊狀態(tài)下，與電子模塊10同樣地通過使用真空層壓機的真空層壓 來制造。
[0159] 本發(fā)明是基本上如上那樣構成的發(fā)明。以上對本發(fā)明的電子模塊進行了詳細說 明，然而本發(fā)明不限于上述實施方式，當然可以在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內進行各種 改良或變更。
[0160] 實施例1
[0161] 以下，對本發(fā)明的電子模塊進行更具體地說明。
[0162] 在本實施例中，制作了以下示出的實施例1的電子模塊和比較例1的現(xiàn)有技術的 電子模塊，測定了水蒸氣透過率并評價了水分透過率。將其結果示于圖4。
[0163] (實施例1)
[0164] 實施例1將具有圖2示出的CIGS太陽能電池子模塊的圖I (a)、(b)所示結構的電 子模塊10作為電子器件。
[0165] 在實施例1中，將在Α1(40μπι厚）/SUS(70ym厚）/Α1(40μπι厚）的包層件的表 面形成有10 μ m厚的陽極氧化膜作為絕緣層44的構件用作撓性基板20。需要說明的是，撓 性基板的大小為30cmX30cm。
[0166] 在陽極氧化膜的表面上，對娃酸鈉（Na2O ^nSiO2 ·xH20 η = 3~3. 3)、娃酸鋰以及 硼酸（H3BO3)的混合液進行燒成，形成厚度為200nm的含有Na的玻璃層來作為堿供給層60。
[0167] 使用濺射法形成厚度為200nm的Mo膜來作為下部電極52。然后，如圖2示出的太 陽能電池單元50那樣，在下部電極52 (Mo膜）上層疊由CIGS的半導體化合物形成的光電 轉換層54、緩沖層56以及上部電極58來制作太陽能電池單元50。
[0168] 在圖I (b)示出的撓性基板20的周緣部23即距基板外周10~20mm的范圍，通過 刻劃除去至光電轉換層54,從而使Mo膜（下部電極52)露出。
[0169] 在周緣部23以Icm以上的寬度配置以聚異丁烯為主材料的周緣密封件14,在周緣 密封件14的內側的存在光電轉換層的部分配置EVA樹脂作為填料16。在此基礎上，以水蒸 氣阻擋層26處于光的入射面?zhèn)鹊姆绞脚渲盟魵庾钃跄?8。水蒸氣阻擋膜18從電子器件 12側起由厚度為100 μπι的PET制的支承體24、有機層以及SiN的無機層（水蒸氣阻擋層 26)構成。需要說明的是，SiN的無機層也可以在界面附近被氧化。
[0170] 在這樣層疊了各構件的狀態(tài)下，使用真空層壓機在溫度為140°C、時間為20分鐘 的真空層壓工序中將各構件貼合并密封，制作水蒸氣密封結構，得到電子模塊10。
[0171] (比較例1)
[0172] 比較例1將具有圖2示出的CIGS太陽能電池子模塊的圖6所示結構的電子模塊 100作為電子器件。
[0173] 比較例1與實施例1相比，在設有背板110且電子器件102整體位于填料16內這 一點上不同，除此之外的結構是與實施例1相同的結構，因而省略詳細說明。
[0174] 在比較例1中，在電子器件102的表面?zhèn)扰渲盟魵庾钃跄?08,且在背面?zhèn)扰渲?背板110。
[0175] 背板110是從電子器件102側起，在厚度為250 μπι的PET膜上層疊50 μπι厚的不 銹鋼板（SUS板）以及白色涂層而成的構件。
[0176] 水蒸氣阻擋膜是與實施例1相同的結構。因此，省略其詳細說明。
[0177] 比較例1中，在背板110的周緣部配置以聚異丁烯為主材料的周緣密封件106,在 由該周緣密封件106包圍的背板110上配置EVA樹脂作為填料104,在此之上配置電子器件 102,并且在電子器件102上配置EVA樹脂。然后，以覆蓋EVA樹脂且使支承體108a朝向周 緣密封件106的方式配置水蒸氣阻擋膜108。
[0178] 在這樣層疊了各構件的狀態(tài)下，使用真空層壓機在溫度為140°C、時間為20分鐘 的真空層壓工序中將各構件貼合并密封，得到電子模塊100。
[0179] 需要說明的是，周緣密封件106與水蒸氣阻擋膜108的支承體108a和背板110鄰 接，但周緣密封件106不與電子器件102接觸。
[0180] 關于實施例1以及比較例1，將水蒸氣阻擋膜的支承體的厚度變更為200 μπκ 100 μ m、50 μ m、30 μ m，測定了各厚度下的水蒸氣透過率。
[0181] 通過以下方式對水蒸氣透過率進行了測定。首先，在密封工序前將由Ca呈膜狀形 成的基板配置在CIGS太陽能電池子模塊上，之后進行密封。然后，在溫度為40°C、相對濕度 為90%的氛圍下，使用G·NISAT0、P·C·P·B0UTEN、P·J·SLIKKERVEER等在SIDConference Record of the International Display Research Conference 1435 ~1438 頁（以下稱 為文獻A)中記載的方法測定了水蒸氣透過率。
[0182] 圖4示出的A1表示在本發(fā)明的電子模塊的結構中，改變水蒸氣阻擋膜的支承體的 厚度時的水蒸氣透過率（WVTR)的變化。另外，A 2表示在現(xiàn)有技術的模塊的結構中，改變水 蒸氣阻擋膜的支承體的厚度時的水蒸氣透過率（WVTR)的變化。需要說明的是，直線B表示 電子模塊所要求的水蒸氣透過率（WVTR)的必要性能。
[0183] 如圖4所示，在現(xiàn)有技術的電子模塊100中，即便改變支承體的厚度也不滿足水蒸 氣阻擋膜的必要性能。相對于此，在本發(fā)明的結構中，能夠實現(xiàn)使用背板的現(xiàn)有技術的電子 模塊100所達不到的水蒸氣進入抑制能力。需要說明的是，在實施例1的電子模塊（本發(fā) 明的模塊）中，只要在250 μπι以下，則支承體的厚度越薄水蒸氣透過率越高。
[0184] 實施例2
[0185] 在本實施例中，對周緣密封件的擴散系數(shù)的效果進行了確認。
[0186] 在本實施例中，使用圖5(a)示出的5cmX5cm的玻璃板70。如圖5(b)所示，在玻 璃板70的周緣部72配置Icm寬的周緣密封件74,在由周緣密封件74包圍的玻璃板70的 面76上配置Ca蒸鍍板78。然后，將圖5 (a)示出的玻璃板70以覆蓋Ca蒸鍍板78的方式 貼合，從而準備試驗體80。
[0187] 將試驗體80轉移到溫度為85°C、相對濕度為85%的氛圍中，保持1000 h后，若Ca 蒸鍍板78的Ca沒有退色則認為有抑制效果，若觀察到退色則認為抑制效果不足。在下述 表1中，將有抑制效果的試驗體記為"Good"，將無抑制效果的試驗體記為"NG"。
[0188] 作為周緣密封件74的材料，對下述表1示出的聚異丁烯（PIB)、離聚物、TPU (熱塑 性彈性體）、PVB(聚乙烯醇縮丁醛）以及EVA(乙烯醋酸乙烯酯）確認了擴散系數(shù)的效果。 將其結果示于下述表1。
[0189] 表 1
[0190]
【主權項】
1. 一種電子模塊，其特征在于，至少具有： 電子器件，其在不透過水蒸氣的撓性基板上設有電子元件； 周緣密封件，其在所述電子器件的所述撓性基板的周緣處設置；以及 水蒸氣阻擋膜，其以堵塞由所述周緣密封件包圍的區(qū)域的方式設置， 所述周緣密封件在擴散系數(shù)的2倍的平方根設為K時，K=0.1cm/VE以下， 所述水蒸氣阻擋膜是在由透明樹脂形成的支承體上至少形成有一層以上的無機層的 構件，且所述支承體配置于所述周緣密封件側。
2. 根據(jù)權利要求1所述的電子模塊，其中， 由所述周緣密封件包圍的區(qū)域被填料填充。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的電子模塊，其中， 所述水蒸氣阻擋膜的所述支承體的厚度為250 μπι以下。
4. 根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的電子模塊，其中， 所述周緣密封件的水蒸氣透過率為2. 0g/m2/day以下。
5. 根據(jù)權利要求4所述的電子模塊，其中， 所述周緣密封件是含有聚異丁烯的構件。
6. 根據(jù)權利要求1至5中任一項所述的電子模塊，其中， 所述電子器件的所述撓性基板具備一層以上的金屬層和在所述金屬層上形成的絕緣 層，且在所述絕緣層上形成層疊有下部電極和CIGS膜的電子元件， 所述周緣密封件接觸設置于所述絕緣層上或所述下部電極上。
7. 根據(jù)權利要求1至6中任一項所述的電子模塊，其中， 在所述水蒸氣阻擋膜上設有耐沖擊吸收層，且在所述撓性基板的下表面設有耐壓層， 所述耐沖擊吸收層以及所述耐壓層由聚碳酸酯樹脂構成。
【專利摘要】電子模塊具有：電子器件，其在不透過水蒸氣的撓性基板上設有電子元件；周緣密封件，其在電子器件的撓性基板的周緣處設置；以及水蒸氣阻擋膜，其以堵塞由周緣密封件包圍的區(qū)域的方式設置。周緣密封件在擴散系數(shù)的2倍的平方根設為K時，以下。水蒸氣阻擋膜是在由透明樹脂形成的支承體上至少形成有一層以上的無機層的構件，且支承體配置于周緣密封件側。
【IPC分類】H01L51-50, B32B27-00, H05B33-04, H05B33-02
【公開號】CN104661814
【申請?zhí)枴緾N201380050438
【發(fā)明人】向井厚史
【申請人】富士膠片株式會社
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年9月25日
【公告號】US20150200315, WO2014050864A1