[0182] 試樣調(diào)溫：100°C
[0183] 對于所得的阻氣性膜使用X射線光電子能譜法（XPS法），進(jìn)行組成分析，求出深度 方向的元素分布。算出各深度時(shí)的氧原子相對于硅原子的原子組成比和氮原子相對于硅原 子的原子組成比，將其最大值（max)和最小值（min)示于表1。
[0184] 此外，從所得的阻氣性膜切出縱100mm、橫140mm的試驗(yàn)片，實(shí)施水蒸氣透過率的 評價(jià)。將結(jié)果示于表1。
[0185] (實(shí)施例2)
[0186] 作為高分子基材使用厚度50 μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜（東U株式會社制 ''少S歹一（注冊商標(biāo)）U48)。
[0187] 作為底涂層[C]形成用的涂液，配合上述聚氨酯化合物150質(zhì)量份、二季戊四醇六 丙烯酸酯（共榮社化學(xué)社制，商品名卜7夕y U-卜DPE-6A)20質(zhì)量份、1-羥基-環(huán) 己基苯基-酮（BASF 社制，商品名：IRGA⑶RE 184) 5質(zhì)量份、3-甲基丙烯酰氧基丙 基甲基二乙氧基硅烷（信越シy 3 - y社制，商品名：KBM-503)3質(zhì)量份、乙酸乙酯170質(zhì) 量份、甲苯350質(zhì)量份和環(huán)己酮170質(zhì)量份，調(diào)整出涂液2。接著，采用微凹版式涂布機(jī)（凹 版線號150UR，凹版旋轉(zhuǎn)比100% )將涂液2涂布在高分子基材上，在100°C干燥1分鐘，干 燥后，在下述條件下實(shí)施紫外線處理，設(shè)置厚度1，OOOnm的底涂層[C]。
[0188] 紫外線處理裝置：LH10-10Q_G( 7 1 - '3 > UVシ只亍厶X · A >社制）
[0189] 導(dǎo)入氣體：N2 (氮?dú)舛栊訠OX)
[0190] 紫外線發(fā)生源：微波方式無電極燈
[0191] 累計(jì)光量：400mJ/cm2
[0192] 試樣調(diào)溫：室溫。
[0193] 接著，在底涂層[C]上設(shè)置無機(jī)層[Al]以使厚度成為180nm。無機(jī)層[Al]的組 成是Zn原子濃度為27. 5原子％、Si原子濃度為13. 1原子％、Al原子濃度為2. 3原子％、 0原子濃度為57. 1原子％。從形成了無機(jī)層[Al]的膜切出縱100mm、橫IOOmm的試驗(yàn)片， 實(shí)施無機(jī)層[Al]的中心面平均粗糙度SRa的評價(jià)。將結(jié)果示于表1。
[0194] 進(jìn)一步，作為硅化合物層[B]形成用的涂液，調(diào)制出將以全氫聚硅氮烷作為主成 分、包含鈀系催化劑的涂布劑（AZ工U外口二7夕Yy 7少只''社制"NL120-20"，固體 成分濃度20質(zhì)量份）100質(zhì)量份用二丁基醚300質(zhì)量份稀釋得到的涂液1。接著，采用微凹 版式涂布機(jī)（凹版線號200UR，凹版旋轉(zhuǎn)比100% )將涂液1涂布在無機(jī)層[Al]上，在120°C 干燥1分鐘，干燥后，在下述條件下實(shí)施紫外線處理，設(shè)置厚度120nm的硅化合物層[B]，獲 得了阻氣性膜。
[0195] 紫外線處理裝置：MEIRH-M-1-152-H(工厶· ·工?シY社制）
[0196] 導(dǎo)入氣體：N2
[0197] 紫外線發(fā)生源：準(zhǔn)分子燈（172nm)
[0198] 累計(jì)光量：3, 000mj/cm2
[0199] 試樣調(diào)溫：100°C
[0200] 從所得的阻氣性膜切出縱100mm、橫140mm的試驗(yàn)片，實(shí)施水蒸氣透過率的評價(jià)。 將結(jié)果示于表1。
[0201] (實(shí)施例3)
[0202] 作為高分子基材使用厚度IOOym的非晶性環(huán)狀聚烯烴膜（日本七'才 > 社制"七'才 7 77 4 AA"ZF14)，除此以外，與實(shí)施例1同樣地操作，獲得了阻氣性膜。
[0203] (實(shí)施例4)
[0204] 作為高分子基材使用厚度IOOym的非晶性環(huán)狀聚烯烴膜（日本七'才 > 社制"七'才 7 77 4少Λ "ZF14)，除此以外，與實(shí)施例2同樣地操作，獲得了阻氣性膜。
[0205] (實(shí)施例5)
[0206] 設(shè)置無機(jī)層[Al]以使厚度成為950nm，除此以外，與實(shí)施例2同樣地操作，獲得了 阻氣性膜。
[0207] (實(shí)施例6)
[0208] 代替無機(jī)層[Al]而設(shè)置無機(jī)層[A2]以使厚度成為150nm，除此以外，與實(shí)施例2 同樣地操作，獲得了阻氣性膜。
[0209] (實(shí)施例7)
[0210] 設(shè)置硅化合物層[B]以使厚度成為50nm，除此以外，與實(shí)施例2同樣地操作，獲得 了阻氣性膜。
[0211] (實(shí)施例8)
[0212] 設(shè)置硅化合物層[B]以使厚度成為l，000nm，除此以外，與實(shí)施例2同樣地操作，獲 得了阻氣性膜。
[0213] (實(shí)施例9)
[0214] 涂布硅化合物層[B]用涂料并干燥后，代替紫外線處理，在氮?dú)鈿夥障略?0°C處 理3天，設(shè)置硅化合物層[B]，除此以外，與實(shí)施例2同樣地操作，獲得了阻氣性膜。
[0215] (實(shí)施例 10)
[0216] 作為硅化合物層[B]用涂料，使用將以全氫聚硅氮烷作為主成分、包含胺系催化 劑的涂布劑（AZ工U外口二7夕Yy 7少只''社制"NAX120-20"，固體成分濃度20質(zhì)量 份）100質(zhì)量份用二丁基醚300質(zhì)量份稀釋得到的涂液，除此以外，與實(shí)施例2同樣地操作， 獲得了阻氣性膜。
[0217] (實(shí)施例 11)
[0218] 作為硅化合物層[B]用涂料，使用將以全氫聚硅氮烷作為主成分、不含催化劑 的涂布劑（AZ工U外口二7夕Yy 7少只'、社制"NN120-20"，固體成分濃度20質(zhì)量 份）100質(zhì)量份用二丁基醚300質(zhì)量份稀釋得到的涂液，除此以外，與實(shí)施例2同樣地操作， 獲得了阻氣性膜。
[0219] (比較例1)
[0220] 在高分子基材上不形成無機(jī)層[A]，在高分子基材的表面直接設(shè)置硅化合物層 [B]以使厚度成為120nm，除此以外，與實(shí)施例1同樣地操作，獲得了阻氣性膜。
[0221] (比較例2)
[0222] 在無機(jī)層[A]上不設(shè)置硅化合物層[B]，除此以外，與實(shí)施例1同樣地操作，獲得了 阻氣性膜。
[0223] (比較例3)
[0224] 在實(shí)施例1中，更換形成無機(jī)層[A]和硅化合物層[B]的順序，獲得了與實(shí)施例1 的層構(gòu)成不同的阻氣膜。
[0225] [表 1]
[0226]
[0227] 產(chǎn)業(yè)可利用性
[0228] 本發(fā)明的阻氣性膜對氧氣、水蒸氣等的阻氣性優(yōu)異，因此可以有用地用作例如，食 品、藥品等的包裝材和平板電視、太陽能電池等電子器件用構(gòu)件，但用途不限定于此。
[0229] 符號的說明
[0230] 1尚分子基材
[0231] 2 無機(jī)層[A]
[0232] 3硅化合物層[B]
[0233] 4 底涂層[C]
[0234] 5高分子基材
[0235] 6卷繞式濺射裝置
[0236] 7卷繞室
[0237] 8卷出輥
[0238] 9、10、11卷出側(cè)導(dǎo)輥
[0239] 12冷卻鼓
[0240] 13濺射電極
[0241] 14、15、16卷繞側(cè)導(dǎo)輥
[0242] 17卷繞輥
[0243] 18阻氣性膜
[0244] 19金屬圓柱
[0245] 20形成有無機(jī)層[A]和硅化合物層[B]的面的相反面。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種阻氣性膜，是在高分子基材的至少一側(cè)，從所述高分子基材側(cè)起依次具有無機(jī) 層[A]和硅化合物層[B]的阻氣性膜，無機(jī)層[A]包含鋅化合物和硅氧化物，硅化合物層 [B]包含硅氧氮化物，并且無機(jī)層[A]與硅化合物層[B]接觸。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻氣性膜，在所述高分子基材與所述無機(jī)層[A]之間具有底 涂層[C]，所述底涂層[C]包含由具有芳香族環(huán)結(jié)構(gòu)的聚氨酯化合物[Cl]交聯(lián)而得的結(jié)構(gòu)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的阻氣性膜，所述無機(jī)層[A]為由氧化鋅與二氧化硅與氧 化鋁的共存相形成的無機(jī)層[Al]、和由硫化鋅與二氧化硅的共存相形成的無機(jī)層[A2]中 的任一種。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的阻氣性膜，所述無機(jī)層[A]為所述無機(jī)層[Al]，該無機(jī)層 [Al]是通過下述組成所構(gòu)成的，所述組成是：通過ICP發(fā)射光譜分析法測定的鋅原子濃度 為20~40原子％、硅原子濃度為5~20原子％、鋁原子濃度為0. 5~5原子％、氧原子濃 度為35~70原子％。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的阻氣性膜，所述無機(jī)層[A]為所述無機(jī)層[A2]，該無機(jī)層 [A2]是通過下述組成所構(gòu)成的，所述組成是：硫化鋅相對于硫化鋅與二氧化硅的合計(jì)的摩 爾分率為0.7~0.9。6. 根據(jù)權(quán)利要求1~5的任一項(xiàng)所述的阻氣性膜，所述硅化合物層[B]在通過X射線 光電子能譜法測定元素分布時(shí)，氧原子相對于硅原子的原子組成比為〇. 1以上且小于2. 0， 并且氮原子相對于硅原子的原子組成比為0. 1以上且小于1. 0。7. 根據(jù)權(quán)利要求2~6的任一項(xiàng)所述的阻氣性膜，所述底涂層[C]包含有機(jī)硅化合物 和/或無機(jī)硅化合物。8. -種電子器件，其具有權(quán)利要求1~7的任一項(xiàng)所述的阻氣性膜。9. 一種阻氣性膜的制造方法，其包括下述工序：工序a，在高分子基材上，通過濺射法 設(shè)置包含鋅化合物和硅氧化物的無機(jī)層[A];工序b，在該無機(jī)層[A]上，涂布包含具有聚硅 氮烷骨架的硅化合物的涂液，然后使其干燥來形成涂膜，接著在氮?dú)鈿夥障聦υ撏磕みM(jìn)行 活性能量射線照射處理，從而設(shè)置包含硅氧氮化物的硅化合物層[B]。10. -種阻氣性膜的制造方法，其包括下述工序：工序c，在高分子基材上，涂布包含具 有芳香族環(huán)結(jié)構(gòu)的聚氨酯化合物[Cl]的涂液，然后使其干燥來形成涂膜，接著在氮?dú)鈿夥?下對該涂膜進(jìn)行活性能量射線照射處理，從而設(shè)置底涂層[C];工序a，在該底涂層[C]上， 通過濺射法設(shè)置包含鋅化合物和硅氧化物的無機(jī)層[A];工序b，在該無機(jī)層[A]上，涂布 包含具有聚硅氮烷骨架的硅化合物的涂液，然后使其干燥來形成涂膜，接著在氮?dú)鈿夥障?對該涂膜進(jìn)行活性能量射線照射處理，從而設(shè)置包含硅氧化物和硅氧氮化物的硅化合物層 [B]。
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種具有高度的阻氣性，并且耐彎曲性優(yōu)異的阻氣性膜。本發(fā)明的阻氣膜，其特征在于，是在高分子基材的至少一側(cè)，從上述高分子基材側(cè)起依次具有無機(jī)層[A]和硅化合物層[B]的阻氣性膜，無機(jī)層[A]包含鋅化合物和硅氧化物，硅化合物層[B]包含硅氧氮化物，并且無機(jī)層[A]與硅化合物層[B]接觸。
【IPC分類】C08J7/04, H05B33/10, H05B33/02, H01L51/50, B32B9/00
【公開號】CN104903089
【申請?zhí)枴緾N201380069794
【發(fā)明人】森健太郎, 上林浩行
【申請人】東麗株式會社
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2013年12月25日
【公告號】EP2944460A1, US20150337139, WO2014109231A1