br>[0116] 其中，通過(guò)使用任一種氣體進(jìn)行外延生長(zhǎng)，則按化學(xué)計(jì)量學(xué)的組成成膜由立方晶 碳化娃組成的第一 SiC膜31。
[0117] 另外，加熱的溫度（加熱溫度），即外延生長(zhǎng)時(shí)的Si基板2的溫度，優(yōu)選為600°C W上1400°CW下，更優(yōu)選為800°CW上1350°CW下。
[011引此外，加熱的時(shí)間（加熱時(shí)間），根據(jù)作為目的的第一 SiC膜31的厚度適當(dāng)設(shè)定。
[0119] 另外，室內(nèi)的壓力（真空度）為7. 5 X 10 7Torr W上，更優(yōu)選為大氣壓（760To;r;r) W下，更優(yōu)選為 7. 5X10 STorr W上 0.5Torr W下。
[0120] 此外，在該第一 SiC膜31的上表面，有時(shí)形成因第一掩膜41的形狀引起的凹凸。 此時(shí)，優(yōu)選通過(guò)CMP法（化學(xué)機(jī)械研磨法）、干法蝕刻法等使表面平坦。
[0121] [3]接著，如圖2的（C)所示，在第一 SiC膜31上形成具備開口部46的第二掩膜 42 O
[0122] 第二掩膜42能夠通過(guò)在第一 SiC膜31上，在形成例如呈層狀的氧化娃（Si〇2)膜 后，圖案化該氧化娃膜并形成開口部46而得到。
[0123] 在本實(shí)施方式中，該第二掩膜42與第一掩膜41具有大致相同的俯視觀察形狀。 良P，具備和第一掩膜41相同的大小的線和空間的圖案。并且，第二掩膜42在俯視觀察下配 置在與第一掩膜41重疊的位置。
[0124] 另外，在所述工序巧]中，該第二掩膜42成膜為第一 SiC膜31的厚度在不存在第 一掩膜41的位置滿足tan巧4.6° )XW1 W上的關(guān)系，故設(shè)從第一掩膜41的底面到第二掩 膜42的底面為止的距離為Dl [ym]時(shí)，滿足Dl ^ tan巧4.6° ) XWl的關(guān)系。
[0125] 另外，在所述工序[1]中，氧化娃膜能夠使用與說(shuō)明的相同的方法而形成，其中， 優(yōu)選使用CVD法而形成。根據(jù)CVD法，能夠比較容易地W均勻的厚度在第一 SiC膜31上形 成所期望膜厚的氧化娃膜。
[0126] 而且，氧化娃膜的圖案化，能夠使用在所述工序[1]中說(shuō)明的同樣的方法來(lái)進(jìn)行。
[0127] [4]接著，如圖2的（d)所示，將第二掩膜42用作掩膜，在第一 SiC膜31及第二掩 膜42上形成第二SiC膜32。
[0128] 該第二SiC膜32能夠與在所述工序巧]中說(shuō)明的第一 SiC膜31相同，向預(yù)定壓 力的室內(nèi)導(dǎo)入原料氣體，并通過(guò)在該狀態(tài)加熱Si基板2來(lái)形成。目P，在露出于開口部46的 第一 SiC膜31上，通過(guò)外延生長(zhǎng)立方晶碳化娃（3C-SiC)來(lái)形成。
[0129] 依據(jù)該外延生長(zhǎng)，W在露出于開口部46的第一 SiC膜31為起點(diǎn)生成立方晶碳化 娃（3C-SiC)，由此覆蓋第一 SiC膜31，其后，隨著3C-SiC的進(jìn)一步生長(zhǎng)，不僅覆蓋第一 SiC 膜31，還覆蓋第二掩膜42,其結(jié)果是，覆蓋第一 SiC膜31及第二掩膜42的整個(gè)表面，形成 如圖2的（d)所示的第二SiC膜32。
[0130] 運(yùn)里，在所述工序巧]中的在使用第一掩膜41的開口部45所露出的Si基板2上 的外延生長(zhǎng)的過(guò)程中，在成膜的第一 SiC膜31中，因與Si基板2的晶格常數(shù)不同，而產(chǎn)生 許多的結(jié)晶缺陷51。
[0131] 如圖3所示，已知運(yùn)些結(jié)晶缺陷51在Si基板2的上表面的面取向構(gòu)成（100)面 時(shí)，在形成的第一 SiC膜31中，沿（111)面的面取向，生長(zhǎng)出結(jié)晶缺陷51。
[0132] 另外，如上所述，在本實(shí)施方式中，第一掩膜41及第二掩膜42呈現(xiàn)互相大致 相同的俯視觀察形狀，配置在俯視觀察下重疊的位置，而且第一掩膜41形成于滿足 TKtan巧4. 6° ) XWl的關(guān)系的位置，第二掩膜42形成于滿足Dl ^ tan巧4. 6° ) XWl的關(guān) 系的位置。
[0133] 因此，在露出于開口部45的Si基板2上產(chǎn)生的結(jié)晶缺陷51，在第一 SiC膜31中， 沿（111)面的面取向生長(zhǎng)，故在第一 SiC膜31的上表面，由在滿足Dl ^ tan巧4.6° ) XWl 的關(guān)系的位置形成的第二掩膜42的底面覆蓋，其結(jié)果是，結(jié)晶缺陷51在第二掩膜42的底 面停止。
[0134] 因此，在第二掩膜42的開口部46所露出的第一 SiC膜31上，確實(shí)地抑制或防止 了結(jié)晶缺陷51的產(chǎn)生。
[0135] 因此，在W第二掩膜42的開口部46所露出的第一 SiC膜31的上表面為起點(diǎn)而成 膜的第二SiC膜32中，確實(shí)地抑制或防止了結(jié)晶缺陷51的產(chǎn)生，故能夠使由相關(guān)的第一 SiC膜31和第二SiC膜32組成的3C-SiC(立方晶碳化娃）膜3成為結(jié)晶缺陷少的高質(zhì)量 膜。另外，由于結(jié)晶缺陷少，故能夠確實(shí)地抑制SiC膜3中的應(yīng)力的產(chǎn)生。
[0136] 此外，滿足W上的關(guān)系的第一掩膜41及第二掩膜42, W及第一 SiC膜31的具體的 大小，分別如下地設(shè)定。
[0137] 目P，第一掩膜41的厚度Tl及第二掩膜42的厚度T2,分別獨(dú)立地設(shè)定為優(yōu)選 0.0 l Jim W上 1. 0 Jim W下，更優(yōu)選 0. 05 Jim W上 0. 5 Jim W下。
[013引另外，第一掩膜41及第二掩膜42的寬度W2,分別獨(dú)立地設(shè)定為優(yōu)選0. 2 ym W上 10. 0 y m W下，更優(yōu)選0. 5 y m W上5. 0 y m W下。而且，開口部45、46的寬度Wl分別獨(dú)立地 設(shè)定為優(yōu)選0. 2 Ji m W上10. 0 Ji m W下，更優(yōu)選0. 5 Ji m W上5. 0 Ji m W下。
[0139] 而且，從第一掩膜41的底面到第二掩膜42的底面為止的距離Dl，即在第一 SiC膜 31的第一掩膜41不存在的位置的厚度，優(yōu)選設(shè)定為0. 28 y m W上14. 0 y m W下，更優(yōu)選為 0.7ym W 上 7.0ym W 下。
[0140] 在具備運(yùn)樣的尺寸的帶碳化娃膜基板10中，通過(guò)滿足所述關(guān)系，能夠更確實(shí)地抑 制或防止第二SiC膜32中的結(jié)晶缺陷51的產(chǎn)生。
[0141] 如上，能夠取得圖1所示的帶碳化娃膜基板10。
[0142] 此外，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明了在第一 SiC膜31上分別層疊一層的第二掩膜42及 第二SiC膜32的情況，但并不限于該情況下，也可按順序?qū)盈B兩層W上的第二掩膜42及第 二SiC膜32。目P，帶碳化娃膜基板10可在第一 SiC膜31上層疊2、3…n層的第二掩膜42 及第二SiC膜32。
[0143] 另外，在本實(shí)施方式中，說(shuō)明了在Si基板2上相接地形成第一掩膜41的情況，但 并不限于該結(jié)構(gòu)，例如，也可設(shè)SiC膜3進(jìn)一步具備第四膜，W使該第四膜覆蓋Si基板2的 整個(gè)表面的方式形成于Si基板2上，與該第四膜（SiC膜）上相接地形成第一掩膜41。運(yùn) 樣，通過(guò)采用形成覆蓋Si基板2的整個(gè)表面的第四膜的結(jié)構(gòu)，與在Si基板（娃基板）2上 接觸第一 SiC膜31而形成的情況相比，能夠得到可更穩(wěn)定地形成均質(zhì)的第一 SiC膜31的 效果。
[0144] 此外，具備運(yùn)樣的第四膜的帶碳化娃膜基板10,能夠如下地得到：例如在所述工 序[1]之前，在Si基板2上用在所述工序巧]中說(shuō)明的方法形成第四膜后，利用所述工序
[1]在第四膜上形成第一掩膜41，其后，經(jīng)過(guò)與所述工序巧]~[4]同樣的工序來(lái)獲得。
[0145] 第二實(shí)施方式
[0146] 接著，對(duì)本發(fā)明的帶碳化娃膜基板的第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0147] 圖4是示出本發(fā)明的帶碳化娃膜基板的第二實(shí)施方式的縱截面圖，是從與Si基板 的（Oll)面垂直的方向觀察的圖。此外，在下面的說(shuō)明中，稱圖4中的上側(cè)為"上"，下側(cè)為 "下"。
[0148] 下面，對(duì)第二實(shí)施方式的帶碳化娃膜基板11，W與所述第一實(shí)施方式的帶碳化娃 膜基板10的不同點(diǎn)為中屯、說(shuō)明，對(duì)相同的事項(xiàng)省略其說(shuō)明。
[0149] 在圖4所示的帶碳化娃膜基板11中，進(jìn)一步SiC膜3具有設(shè)于第二SiC膜32上 側(cè)的第=SiC膜33,掩膜4具有具備設(shè)于第二SiC膜32上的開口部（第=開口部）47的第 =掩膜43。而且，除了第二掩膜42不配置在俯視觀察下與第一掩膜41重疊的位置，而且不 滿足Dl ^ tan巧4.6° ) XWl的關(guān)系，第一 SiC膜31的膜厚W不滿足DKtan巧4.6° ) XWl 的關(guān)系的方式設(shè)定為較薄W外，與圖1所示的帶碳化娃膜基板10相同。
[0150] 運(yùn)里，第二掩膜42不配置在俯視觀察下與第一掩膜41重疊的位置，而且設(shè)定為較 薄，使得第一 SiC膜31的膜厚滿足DKtan巧4. 6° ) XWl的關(guān)系，從而在第一 SiC膜31中， 沿（111)面的面取向生長(zhǎng)的結(jié)晶缺陷51的一部分在第一 SiC膜31的上表面，不會(huì)由第二 掩膜42的底面停止，從開口部46露出。
[0151] 因此，W在第二掩膜42的開口部46所露出的第一 SiC膜31的上表面為起點(diǎn)成膜 的第二SiC膜32中，也殘留結(jié)晶缺陷51的一部分。然而，在本實(shí)施方式中，在第二SiC膜 32上，形成為與對(duì)第一 SiC膜31的第二掩膜42及第二SiC膜32的關(guān)系相同的結(jié)構(gòu)的、第 =掩膜43及第=SiC膜33。因此，能夠在第二SiC膜32的上表面利用第=掩膜43的底面 停止在第二SiC膜32中殘留的結(jié)晶缺陷51的一部分。
[0152] 因此，W在第S掩膜43的開口部47所露出的第二SiC膜32的上表面為起點(diǎn)而成 膜的第=SiC膜33中，能夠確實(shí)地抑制或防止結(jié)晶缺陷51的產(chǎn)生。因此，能夠使由設(shè)及的 第一 SiC膜31、第二SiC膜32和第=SiC膜33構(gòu)成的3C-SiC (立方晶碳化娃）膜3成為 結(jié)晶缺陷少的高質(zhì)量膜。另外，由于結(jié)晶缺陷少，故能夠確實(shí)地抑制SiC膜3中的應(yīng)力的產(chǎn) 生。
[0153] W上，利用第二實(shí)施方式的帶碳化娃膜基板11，也能夠取得與所述第一實(shí)施方式 同樣的效果。
[0154] 運(yùn)樣的第二實(shí)施方式的帶碳化娃膜基板11能夠如W下那樣制造。
[0155] 圖5、圖6是說(shuō)明圖4所示的帶碳化娃膜基板的制造方法的縱截面圖，都是從與Si 基板的（Oll)面垂直的方向觀察的圖。此外，在下面的說(shuō)明中，稱圖5、圖6中的上側(cè)為"上"， 下側(cè)為"下"。
[0156] 本實(shí)施方式的帶碳化娃膜基板11的制造方法具有W下工序：[1B]在Si基板2上 形成第一掩膜41 ;巧B]將第一掩膜41用作掩膜并在第一掩膜41及Si基板2上形成第一 SiC膜31 ;巧B]在第一 SiC膜31上形成第二掩膜42 ; [4B]將第二掩膜42用作掩膜在第 二掩膜4