>[0127] 憐光滲雜劑的實(shí)例可見于申請WO 2000/70655，W0 2001/41512，W0 2002/02714， WO 2002/15645,EP 1191613,EP 1191612,EP 1191614,WO 2005/033244,10 2005/019373 和US 2005/0258742中。一般來說，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于憐光OLm)并且為有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng) 域中的技術(shù)人員所知的所有憐光絡(luò)合物都適合用于本發(fā)明的器件中。
[0128] 憐光滲雜劑的明確實(shí)例在下表中提出：
[0139] 包含式（I)和/或（II)結(jié)構(gòu)的上述化合物或上文詳述的優(yōu)選實(shí)施方式可優(yōu)選用作 電子器件中的活性組分。電子器件被理解為是指包含陽極、陰極和至少一個(gè)層的任何器件， 所述層包含至少一種有機(jī)或有機(jī)金屬化合物。本發(fā)明的電子器件因此包含陽極、陰極和至 少一個(gè)含有至少一種包含式(I)和/或（II)結(jié)構(gòu)的化合物的層。優(yōu)選的電子器件在此選自有 機(jī)電致發(fā)光器件(〇LED，PLED)、有機(jī)集成電路(O-IC)、有機(jī)場效應(yīng)晶體管(O-FET)、有機(jī)薄膜 晶體管(O-TFT )、有機(jī)發(fā)光晶體管(O-LET )、有機(jī)太陽能電池(O-SC )、有機(jī)光學(xué)檢測器、有機(jī) 光感受器、有機(jī)場巧焰器件(0-F孤）、發(fā)光電化學(xué)電池化EC)和有機(jī)激光二極管(O-Iaser)， 其在至少一個(gè)層中含有至少一種包含式(I)和/或（II)結(jié)構(gòu)的化合物。特別優(yōu)選的是有機(jī)電 致發(fā)光器件?；钚越M分通常是引入陽極和陰極之間的有機(jī)或無機(jī)材料，例如電荷注入、電荷 傳輸或電荷阻擋材料，但尤其是發(fā)光材料和基質(zhì)材料。本發(fā)明的化合物作為有機(jī)電致發(fā)光 器件中的發(fā)光材料表現(xiàn)出特別良好的性質(zhì)。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式因此是有機(jī)電致發(fā)光器 件。另外，本發(fā)明的化合物可用來產(chǎn)生單線態(tài)氧或用于光催化。
[0140] 所述有機(jī)電致發(fā)光器件包含陰極、陽極和至少一個(gè)發(fā)光層。除運(yùn)些層W外，它還可 W包含其它層，例如在每種情況下一個(gè)或多個(gè)空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子 傳輸層、電子注入層、激子阻擋層、電子阻擋層、電荷產(chǎn)生層和/或有機(jī)或無機(jī)p/n結(jié)。同時(shí)， 有可能的是，一個(gè)或多個(gè)空穴傳輸層例如被用金屬氧化物例如Mo化或W〇3或用(全)氣化的缺 電子芳族體系P型滲雜，和/或一個(gè)或多個(gè)電子傳輸層被n型滲雜。同樣可W在兩個(gè)發(fā)光層之 間引入中間層，運(yùn)些中間層具有例如激子阻擋功能和/或控制電致發(fā)光器件中的電荷平衡。 然而，應(yīng)該指出，運(yùn)些層的每個(gè)未必都需要存在。
[0141] 在運(yùn)種情況下，所述有機(jī)電致發(fā)光器件可W含有一個(gè)發(fā)光層，或者它可W含有多 個(gè)發(fā)光層。如果存在多個(gè)發(fā)光層，則運(yùn)些發(fā)光層優(yōu)選總共具有幾個(gè)在380nm和750nm之間的 發(fā)光峰值，使得總體結(jié)果是發(fā)白色光;換句話說，在發(fā)光層中使用可W發(fā)巧光或發(fā)憐光的各 種發(fā)光化合物。特別優(yōu)選的是=層體系，其中所述=個(gè)層顯示藍(lán)色、綠色和澄色或紅色發(fā)光 (基本構(gòu)造參見例如WO 2005/011013)，或具有多于=個(gè)發(fā)光層的體系。所述體系也可W是 其中一個(gè)或多個(gè)層發(fā)巧光并且一個(gè)或多個(gè)其它層發(fā)憐光的混合體系。
[0142] 在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，所述有機(jī)電致發(fā)光器件在一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層中 含有包含式(I)和/或（II)結(jié)構(gòu)的本發(fā)明化合物或上文詳述的優(yōu)選實(shí)施方式作為基質(zhì)材料， 優(yōu)選作為電子傳導(dǎo)基質(zhì)材料，優(yōu)選與另一種基質(zhì)材料、優(yōu)選空穴傳導(dǎo)基質(zhì)材料組合使用。發(fā) 光層包含至少一種發(fā)光化合物。
[0143] 所使用的基質(zhì)材料通常使用是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)已知用于所述目的的任何材料。所述 基質(zhì)材料的=重態(tài)能級優(yōu)選高于所述發(fā)光體的=重態(tài)能級。
[0144] 本發(fā)明化合物的合適的基質(zhì)材料是酬，氧化麟，亞諷和諷，例如根據(jù)WO 2004/ 013080、W0 2004/093207、W0 2006/005627或WO 2010/006680的，S芳基胺，巧挫衍生物，例 如CBP(N,N-雙巧挫基聯(lián)苯）、m-CBP或在WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/ 288381、EP 1205527、W0 2008/086851 或US 2009/0134784中公開的巧挫衍生物，嗎I噪并巧 挫衍生物，例如根據(jù)WO 2007/063754或WO 2008/056746的，巧并巧挫衍生物，例如根據(jù)WO 2010/136109或WO 2011/000455的，氮雜巧挫，例如根據(jù)EP 1617710、EP 161771UEP 1731584、肝2005/347160的，雙極性基質(zhì)材料，例如根據(jù)WO 2007/137725的，硅烷，例如根 據(jù)WO 2005/111172的，氮雜棚雜環(huán)戊二締或棚酸醋，例如根據(jù)WO 2006/117052的，二氮雜娃 雜環(huán)戊二締衍生物，例如根據(jù)WO 2010/054729的，二氮雜憐雜環(huán)戊二締衍生物，例如根據(jù)WO 2010/054730的，S嗦衍生物，例如根據(jù)WO 2010/015306、W0 2007/063754或WO 2008/ 056746的，鋒絡(luò)合物，例如根據(jù)EP 652273或WO 2009/062578的，二苯并巧喃衍生物，例如根 據(jù)WO 2009/148015的，或橋連巧挫衍生物，例如根據(jù)US 2009/0136779、W0 2010/050778、W0 2011/042107或WO 2011/088877的。
[0145] 也可W優(yōu)選使用作為混合物的多種不同基質(zhì)材料，特別是至少一種電子傳導(dǎo)基質(zhì) 材料和至少一種空穴傳導(dǎo)基質(zhì)材料。同樣優(yōu)選使用電荷傳輸基質(zhì)材料和如果存在則不顯著 參與電荷傳輸?shù)碾姸栊曰|(zhì)材料的混合物，如例如在W02010/108579中所述的。
[0146] 還優(yōu)選使用兩種或更多種=重態(tài)發(fā)光體與基質(zhì)一起的混合物。在運(yùn)種情況下，具 有較短波發(fā)射光譜的=重態(tài)發(fā)光體用作具有較長波發(fā)射光譜的=重態(tài)發(fā)光體的共基質(zhì)。
[0147] 更優(yōu)選地，在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，本發(fā)明的包含式（I)和/或式（II)結(jié)構(gòu)的化合 物可在有機(jī)電子器件、特別是有機(jī)電致發(fā)光器件例如化抓或化EC的發(fā)光層中用作基質(zhì)材 料。在運(yùn)種情況下，含有包含式（I)和/或式（II)結(jié)構(gòu)的化合物的基質(zhì)材料與一種或多種滲 雜劑、優(yōu)選憐光滲雜劑組合存在于電子器件中。
[0148] 在運(yùn)種情況下所述發(fā)光層中基質(zhì)材料的比例對于巧光發(fā)光層為50.0體積％和 99.9體積％之間，優(yōu)選80.0體積％和99.5體積％之間，更優(yōu)選在92.0體積％和99.5體積％ 之間，對于憐光發(fā)光層為85.0體積％和97.0體積％之間。
[0149] 相應(yīng)地，所述滲雜劑的比例對于巧光發(fā)光層為0.1體積％和50.0體積％之間，優(yōu)選 0.5體積％和20.0體積％之間，更優(yōu)選0.5體積％和8.0體積％之間，對于憐光發(fā)光層為3.0 體積％和15.0體積％之間。
[0150] 有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層還可W包含含有多種基質(zhì)材料(混合基質(zhì)體系)和/或 多種滲雜劑的體系。同樣在運(yùn)種情況下，所述滲雜劑通常是在所述體系中比例較小的那些 材料和所述基質(zhì)材料是在所述體系中比例較高的那些材料。然而，在個(gè)別情況下，所述體系 中單個(gè)基質(zhì)材料的比例可W小于單個(gè)滲雜劑的比例。
[0151] 在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，包含式（I)和/或式(II)結(jié)構(gòu)的化合物被用作 混合基質(zhì)體系的組分。所述混合基質(zhì)體系優(yōu)選包含兩或=種不同的基質(zhì)材料，更優(yōu)選兩種 不同的基質(zhì)材料。優(yōu)選地，在運(yùn)種情況下，所述兩種材料的一種是具有空穴傳輸性質(zhì)的材料 而另一種材料是具有電子傳輸性質(zhì)的材料。然而，所述混合基質(zhì)組分的期望的電子傳輸和 空穴傳輸性質(zhì)也可W主要或完全地結(jié)合在單個(gè)混合基質(zhì)組分中，在運(yùn)種情況下其它的一種 或多種混合基質(zhì)組分履行其它功能。兩種不同的基質(zhì)材料在此可W按1:50至1:1、優(yōu)選1:20 至1:1、更優(yōu)選1:10至1:1、最優(yōu)選1:4至1:1的比率存在。優(yōu)選在憐光有機(jī)電致發(fā)光器件中使 用混合基質(zhì)體系。關(guān)于混合基質(zhì)體系的更詳細(xì)信息的一個(gè)來源是申請WO 2010/108579。
[0152] 根據(jù)所述混合基質(zhì)體系中使用的滲雜劑類型，能與本發(fā)明化合物組合用作混合基 質(zhì)體系的基質(zhì)組分的特別合適的基質(zhì)材料選自憐光滲雜劑的下文指定的優(yōu)選基質(zhì)材料或 巧光滲雜劑的優(yōu)選基質(zhì)材料。
[0153] 本發(fā)明還提供了電子器件，優(yōu)選有機(jī)電致發(fā)光器件，其在一個(gè)或多個(gè)電子傳導(dǎo)層 中包含一種或多種本發(fā)明的化合物和/或至少一種本發(fā)明的低聚物、聚合物或樹枝狀大分 子作為電子傳導(dǎo)化合物。
[0154] 優(yōu)選的陰極是具有低逸出功的金屬、金屬合金或多層結(jié)構(gòu)，其由多種金屬例如堿 ±金屬、堿金屬、主族金屬或銅系元素（例如化，Ba ,Mg ,Al ,In ,Mg，化，Sm等）構(gòu)成。另外合適 的是由堿金屬或堿±金屬和銀構(gòu)成的合金，例如由儀和銀構(gòu)成的合金。在多層結(jié)構(gòu)的情況 下，除提到的金屬之外，也可能使用具有相對高逸出功的其它金屬，例如Ag,在運(yùn)種情況下， 通常使用金屬的組合，例如Mg/AgXa/Ag或Ba/Ag。也可W優(yōu)選在金屬陰極和有機(jī)半導(dǎo)體之 間引入具有高介電常數(shù)的材料的薄中間層?？捎糜谶\(yùn)個(gè)目的的材料的實(shí)例是堿金屬氣化物 或堿±金屬氣化物，但也可W是相應(yīng)的氧化物或碳酸鹽(例如LiF，Li2〇，BaFs ,MgO，NaF，CsF， Cs2〇)3等）。同樣可用于運(yùn)個(gè)目的的是有機(jī)堿金屬絡(luò)合物，例如Liq(徑基哇嘟裡）。運(yùn)種層的 層厚度優(yōu)選在0.5和5nm之間。
[0155] 優(yōu)選的陽極是具有高逸出功的材料。優(yōu)選地，所述陽極具有相對于真空大于4.5eV 的逸出功。首先，適于運(yùn)個(gè)目的的是具有高氧化還原電勢的金屬，例如Ag、Pt或Au。其次，也 可W優(yōu)選金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/Ni0x、Al/Pt0x)。對于一些應(yīng)用，至少一個(gè)電極 必須是透明或部分透明的，W便實(shí)現(xiàn)有機(jī)材料的福射(O-SC)或發(fā)光(0LED/PLED，0-laser)。 優(yōu)選的陽極材料在此是導(dǎo)電性混合金屬氧化物。特別優(yōu)選的是氧化銅錫（ITO)或氧化銅鋒 (IZ0)。還優(yōu)選的是導(dǎo)電性滲雜有機(jī)材料，特別是導(dǎo)電性滲雜聚合物，例如P抓0T、PANI或運(yùn) 些聚合物的衍生物。還優(yōu)選將P型滲雜空穴傳輸材料施加至陽極作為空穴注入層，在運(yùn)種情 況下，合適的P型滲雜劑是金屬氧化物，例如M〇〇3或W〇3,或(全)氣化的缺電子芳族體系。其它 合適的P型滲雜劑是HAT-CN(六氯基六氮雜苯并菲)或出自Novaled的化合物NPD9。運(yùn)樣的層 簡化了向具有低HOMO即HOMO按數(shù)值計(jì)大的材料中的空穴注入。
[0156] 在其它層中，通常有可能使用如根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于所述層的任何材料，并且本領(lǐng) 域技術(shù)人員能夠在不運(yùn)用創(chuàng)造性技能的情況下在電子器件中將運(yùn)些材料中的任一種與本 發(fā)明的材料組合。
[0157] 所述器件相應(yīng)地(根據(jù)應(yīng)用）結(jié)構(gòu)化、接觸連接和最后密封，因?yàn)檫\(yùn)種器件的壽命 在水和/或空氣的存在下嚴(yán)重縮短。
[0158] 另外優(yōu)選的是如下的電子器件，特別是有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于通過升華 方法涂布一個(gè)或多個(gè)層。在運(yùn)種情況下，在真空升華體系中，在通常小于1(T 5毫己、優(yōu)選小于 !(T6毫己的初始壓力下通過氣相沉積施加所述材料。所述初始壓力也可W甚至更低或甚至 更高，例如小于1(T 7毫己。
[0159] 同樣優(yōu)選的是如下的電子器件，特別是有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于通過OVPD (有機(jī)氣相沉積)方法或借助于載氣升華來涂布一個(gè)或多個(gè)層。在運(yùn)種情況下，在IO4毫己和 1己之間的壓力下施加所述材料。運(yùn)種方法的特殊實(shí)例是OV肝(有機(jī)蒸氣噴印)方法，其中所 述材料通過噴嘴直接施加并由此結(jié)構(gòu)化(例如M. S. Arno Id等，Appl.化ys丄ett.(應(yīng)用物理 快報(bào))2008,92,053301)。
[0160] 另外優(yōu)選的是如下的電子器件，特別是有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于從溶液中， 例如通過旋涂，或通過任何印刷方法例如絲網(wǎng)印刷、柔性版印刷、平版印刷或噴嘴印刷，但 是更優(yōu)選LITK光引發(fā)熱成像，熱轉(zhuǎn)?。┗驀娔∷?，來產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)層。對于運(yùn)種目的， 需要可溶性的化合物，所述化合物例如通過合適的取代獲得。
[0161] 通過從溶液施加一個(gè)或多個(gè)層和通過氣相沉積施加一個(gè)或多個(gè)其它層，可將電子 器件、特別是有機(jī)電致發(fā)光器件制造為混合體系。例如，可W從溶液施加包含本發(fā)明的包含 式(I)和/或（II)結(jié)構(gòu)的化合物和基質(zhì)材料的發(fā)光層，和通過減壓下的氣相沉積向該發(fā)光層 施加空穴阻擋層和/或電