此情況下，借助于旋涂達(dá)到對于器件典型 的SOnm層厚度。所述溶液加工的器件含有由（聚苯乙締）：基質(zhì)1:基質(zhì)2:Ir-G-Sol(25%: 35% :20% :20%)組成的發(fā)光層。在惰性氣體氣氛中（在該情況下是氣氣)旋涂發(fā)光層，并在 130°C烘烤30分鐘。最后，通過氣相沉積施加由領(lǐng)(5nm)和其次侶（100皿)組成的陰極(高純 度金屬，來自Al化ich，特別是領(lǐng)99.99% (目錄號474711);來自Lesker的氣相沉積系統(tǒng)等， 典型的氣相沉積壓力5X 1(T6毫己）。任選地，可通過減壓下的氣相沉積，首先施加空穴阻擋 層，然后施加電子傳輸層，并且然后僅施加陰極(例如Al或LiF/Al)。為了保護(hù)器件免受空氣 和空氣濕度影響，最后將所述器件封裝，然后表征。所引用的OL邸實(shí)施例仍有待于優(yōu)化;表3 總結(jié)了得到的數(shù)據(jù)。
[0228]表3:關(guān)于從溶液加工的材料的結(jié)果
[0230]表4:使用的材料的結(jié)構(gòu)式
[0234] HOMO/LUMO位置和S重態(tài)能級的確定
[023引所述化合物的=重態(tài)能級Tl經(jīng)由量子化學(xué)計(jì)算確定。為了運(yùn)個目的，使用 "GausSian03W"(高斯公司）軟件包。為了計(jì)算有機(jī)物質(zhì)，首先通過"基態(tài)/半經(jīng)驗(yàn)/默認(rèn)自旋/ AM1"(電荷0/自旋單重態(tài))方法進(jìn)行幾何結(jié)構(gòu)的優(yōu)化。隨后，在所述優(yōu)化的幾何形態(tài)基礎(chǔ)上 進(jìn)行能量計(jì)算。運(yùn)使用叮D-SFC/DFT/默認(rèn)自旋/B3PW91"方法W及"6-31G(dr基組（電荷0/ 自旋單重態(tài))完成。所述能量計(jì)算WeV給出了 Tl態(tài)的能量，其關(guān)于表1中的兩個化合物參比1 和實(shí)施例18做了報(bào)道。
[0236] 表1:計(jì)算的S重態(tài)能量
[0238]所述數(shù)據(jù)顯示，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的措施能夠令人驚訝地提高=重態(tài)能級。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種含硼化合物，其包含至少一種式(I)和/或(II)的結(jié)構(gòu)其中所使用的符號如下： xSx^x^x'x^x^x7】8』9】10】 11】12』13』14』15】 16在每種情況下相同或不同并且 是N、CR2或c-ζ，其中父1、父2、父3、父 4、父5、父6、父7、父8、父 9、父1()、父11、父12、父13、父 14、父15、父16基團(tuán)中的至少一 個是C-Z并且沒有兩個相鄰的 時是N; Υ,Υ1在每種情況下相同或不同并且是鍵或選自如下的二價(jià)橋連基:br3、0、s、c(r 3)2、c (R3)=C(R3)、N(R3)、Si(R3) 2、C = 0、C = C(R3)2、S = 0、S02、C(R3)2-C(R3)2、和 1,2-亞苯基； 1^，1?2，1?3在每種情況下相同或不同并且是!1，0^，(：1，8^1，010，(：（ = 0)厶4，？（=0) (八『1)2,3(=0從八3(=0):^1，^吣 2,3以1?4)3,8(01?4)2,030 21?4，具有1至40個碳原子的直鏈 烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)或者具有3至40個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫 代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可以被一個或多個R 4基團(tuán)取代，其中一個或多個非相鄰 的 CH2 基團(tuán)可以被 R4C = CR4、C 三 C、Si(R4)2、Ge(R4)2、Sn(R4)2、C = 0、C = S、C = Se、P(=0)(R4)、 S0、S02、0、S或C0NR4代替并且其中一個或多個氫原子可以被0、？、(：1、8^1、0~或勵 2代替，或 者具有5至40個芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系中的每個可以被一個或多個R4 基團(tuán)取代，或者具有5至40個芳族環(huán)原子并且可以被一個或多個R4基團(tuán)取代的芳氧基或雜 芳氧基基團(tuán)，或這些體系的組合；同時，兩個或更多個相鄰的R 1、!?2或R3取代基也可以彼此形 成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系； R4在每種情況下相同或不同并且是山0^，(：1，8廣1，010，(：（=0從4，？（=0)(44)2,3(= 0) Ar1，S ( = 0) Mr1，CN，N〇2，S i (R5) 3，B (OR5) 2，0S02R5，具有 1 至 40 個碳原子的直鏈烷基、烷氧 基或硫代烷氧基基團(tuán)或者具有3至40個碳原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基 基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可以被一個或多個R 5基團(tuán)取代，其中一個或多個非相鄰的CH2基團(tuán) 可以被C 三 C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C = 0、C = S、C = Se、P(=0)(R5)、S0、S02、0、SSC0NR5 代替并且其中一個或多個氫原子可以被〇』、(：1、8^1、0~或勵2代替，或這些體系的組合；同 時，兩個或更多個相鄰的R4取代基也可以彼此形成單或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系； Ar1在每種情況下相同或不同并且是具有5至30個芳族環(huán)原子并可以被一個或多個R3基 團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時，與同一磷原子鍵合的兩個Ar1基團(tuán)也可以通過單鍵或選 自 B(R5)、C(R5)2、Si(R5)2、C = 0、C = NR5、C = C(R5)2、0、S、S = 0、S〇2、N(R5)、P(R5#PP(=0)R%9 橋連基彼此連接； R5在每種情況下相同或不同并且是H，D，F(xiàn)或者具有1至20個碳原子的脂族、芳族和/或雜 芳族烴基基團(tuán)，其中氫原子也可以被F代替；同時，兩個或更多個相鄰的R5取代基一起也可 以形成單環(huán)或多環(huán)的脂族或芳族環(huán)系； Z是式(III)的基團(tuán)其中所使用的符號如下： Ar2，Ar3在每種情況下相同或不同并且是具有5至30個芳族環(huán)原子并可以被一個或多個 R3基團(tuán)取代的芳族或雜芳族環(huán)系；同時，Ar2和Ar3基團(tuán)也可以通過單鍵或選自B(R 5)、C(R5)2、 31(妒)2工=0工=冊 5、〇 = (：(1?5)2、0、3、3 = 0、3024(1?5)、？(1?5)和？（=0)1?5的橋連基彼此連 接； q是〇或1;和 Ar4在每種情況下相同或不同并且是具有6至40個碳原子的芳基基團(tuán)或具有3至40個碳 原子的雜芳基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個可以被一個或多個R3基團(tuán)取代;其中 虛線表示Z基團(tuán)與芳族或雜芳族環(huán)的碳原子連接的鍵， 條件是 如果Y和Y1二者都是鍵，則X2和X7不可以同時是式c-ζ的基團(tuán)，X 11和X14也不可以同時是式 c-ζ的基團(tuán)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物，其特征在于，父1、父2、父3、父 4、父5、父6、父7、父8、父 9、父1°、父11、父12、 乂13、#、乂 15、爐基團(tuán)中的不超過兩個是13. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的化合物，其特征在于，Χ^Χ^Χ^χΑ???^Χ11、 父12、乂 13、乂14、乂15和乂16基團(tuán)中不超過兩個，優(yōu)選正好一個是(：-2。4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，ΑΑΧ?Χ'Χ'Χ11 和X12基團(tuán)是CR2。5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，Χ2、Χ7、Χη和X 14基團(tuán)是 式CR2的基團(tuán)。6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，Χ2、Χ7、Χη和X 14基團(tuán)中 的至少兩個，優(yōu)選至少三個是式C-H的基團(tuán)。7. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，q是0,并因此Ζ基團(tuán)的 硼原子與芴或螺環(huán)基團(tuán)直接鍵合。8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，在式（I)中，X^X^X3、 X4、X5、X6、X7和X8基團(tuán)中的至少4個是C-H，和/或在式（II)中，X^X'X^X'X^X^X'X^X 9、 父1()、父11、父12、父13、父14、父 15和父16基團(tuán)中的至少8個，優(yōu)選至少12個是(：-!1。9. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，在式（I)中，X\X4、X5和 X8基團(tuán)中的至少一個是C-Z，和/或在式(II)中，乂^'^^^乂^和乂^基團(tuán)中的至少一 個是c _z。10. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，式(I)中的R1基團(tuán)的至 少一個是，優(yōu)選兩個都是，具有1至10個碳原子的烷基基團(tuán)或具有6至10個碳原子的芳基基 團(tuán)，所述基團(tuán)可以被多達(dá)三個R 4基團(tuán)取代。11. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，所述化合物包含式 (IV)和/或(V)的結(jié)構(gòu)式(V) 其中所使用的符號具有在權(quán)利要求1中給出的定義并且 ]1、1]14、9、1'在每種情況下是相同或不同的并且是0或1。12. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，所述化合物包含式 (1乂-1)和/或（1￥-2)的結(jié)構(gòu)其中所使用的符號具有在權(quán)利要求1中給出的定義并且 n、m在每種情況下是相同或不同的并且是0或1。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的化合物，其特征在于，Y是0或鍵，優(yōu)選鍵。14. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，所述化合物包含式 (IV-3)、（IV-4)和/或（IV-5)的結(jié)構(gòu)其中所使用的符號具有在權(quán)利要求1中給出的定義并且 η是0或1。15. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，所述化合物包含式 (IV-6)、（IV-7)和/或（IV-8)的結(jié)構(gòu)式(IV-8) 其中所使用的符號具有在權(quán)利要求1中給出的定義并且 η在每種情況下相同或不同并且是0或1。16.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，所述化合物包含式 (V-1)、（ V-2)、（ V-3)和/或(V-4)的結(jié)構(gòu)式(V-3) 式(V-4) 其中所使用的符號具有在權(quán)利要求1中給出的定義并且 n、m在每種情況下相同或不同并且是0或1。17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的化合物，其特征在于，Y是0或鍵和Y1是鍵、0、S、C = 0或N(R3)， 優(yōu)選鍵、0或NUr1)，其中所使用的符號具有在權(quán)利要求1中給出的定義。18. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于所述化合物包含式(乂_ 5)、（V-6)、（V-7)、（V-8)、（V-9)和/或(V-10)的結(jié)構(gòu)jA：(V-10) 式(V-9) 其中所使用的符號具有在權(quán)利要求1中給出的定義并且 η在每種情況下相同或不同并且是0或1。19.根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，Ar2和Ar3基團(tuán)是具有6 個碳原子并可以被多達(dá)三個R3基團(tuán)取代的芳基基團(tuán)；同時，Ar2和Ar3基團(tuán)也可以通過單鍵或 選自 B(R5)、C(R5)2、Si(R5) 2、C = 0、C = NR5、C = C(R5)2、0、S、S = 0、S02、N(R5)、P(R5MPP(=0)R5 的橋連基彼此連接。20. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的至少一項(xiàng)所述的化合物，其特征在于，所述化合物是低聚 物、聚合物或樹枝狀大分子。21. -種組合物，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至20中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物和 至少一種選自如下的其它化合物:熒光發(fā)光體、磷光發(fā)光體、主體材料、基質(zhì)材料、電子傳輸 材料、電子注入材料、空穴導(dǎo)體材料、空穴注入材料、電子阻擋材料和空穴阻擋材料。22. -種制劑，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至20中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物或至 少一種根據(jù)權(quán)利要求21所述的組合物和至少一種溶劑。23. 制備根據(jù)權(quán)利要求1至20中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物的方法，所述方法通過使至 少一種芳基鋰化合物與至少一種鹵代硼烷和/或至少一種硼酸酯反應(yīng)來進(jìn)行。24. 根據(jù)權(quán)利要求1至20中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物在電子器件中作為空穴阻擋材 料、電子注入材料和/或電子傳輸材料的用途。25. -種電子器件，其包含至少一種根據(jù)權(quán)利要求1至20中的一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的化合物 或根據(jù)權(quán)利要求21所述的組合物，其中所述電子器件優(yōu)選選自有機(jī)電致發(fā)光器件、有機(jī)集 成電路、有機(jī)場效應(yīng)晶體管、有機(jī)薄膜晶體管、有機(jī)發(fā)光晶體管、有機(jī)太陽能電池、有機(jī)光學(xué) 檢測器、有機(jī)光感受器、有機(jī)場猝媳器件、發(fā)光電化學(xué)電池和有機(jī)激光二極管。
【專利摘要】本發(fā)明涉及具有式(I)或(II)的雙環(huán)結(jié)構(gòu)單元的含硼化合物，和涉及含有所述化合物的電子器件，特別是有機(jī)電致發(fā)光器件，例如OLED。
【IPC分類】H05B33/00, C09K11/00, H01L51/50, C07F5/02
【公開號】CN105612164
【申請?zhí)枴緾N201480054533
【發(fā)明人】菲利普·施特塞爾
【申請人】默克專利有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2014年9月16日
【公告號】WO2015049030A2, WO2015049030A3