00微米。另夕卜，該封裝基板2的厚度可小于或等于200微米，更進(jìn)一步而言，該封裝基板2的厚度可小于或等于100微米。
[0061]于圖3A至圖3C所示的封裝基板2中，各該第二電性連接墊221可具有位置對(duì)應(yīng)該第一開(kāi)孔2111并貫穿該第二電性連接墊221的第二開(kāi)孔2211，各該第四電性連接墊251可具有位置對(duì)應(yīng)該第一開(kāi)孔2111并貫穿該第四電性連接墊251的第四開(kāi)孔2511，而各該導(dǎo)電通孔28延伸形成至該第二開(kāi)孔2211與第四開(kāi)孔2511中，并各電性連接該第二電性連接墊221與第四電性連接墊251。
[0062]另外，該第一介電層23上可視需要形成第一絕緣保護(hù)層30，該第一絕緣保護(hù)層30具有露出該第二電性連接墊221的多個(gè)第一絕緣保護(hù)層開(kāi)口 301，而于各該第一絕緣保護(hù)層開(kāi)口 301中的該第二電性連接墊221、導(dǎo)電通孔28或第二電性連接墊221與導(dǎo)電通孔28上則可形成例如為焊球的導(dǎo)電元件32，并且該第二介電層26上也可視需要形成第二絕緣保護(hù)層31，該第二絕緣保護(hù)層31具有露出該第四電性連接墊251的多個(gè)第二絕緣保護(hù)層開(kāi)口 311，而于各該第二絕緣保護(hù)層開(kāi)口 311中的該第四電性連接墊251、導(dǎo)電通孔28或第四電性連接墊251與導(dǎo)電通孔28上則可形成有例如為焊球的導(dǎo)電元件32。
[0063]而本發(fā)明提供另一種實(shí)施例的封裝基板2，如圖4C所示，其與圖3C的封裝基板2的差異在于，圖4C的各該導(dǎo)電通孔28僅形成于該第一開(kāi)孔2111、第三開(kāi)孔2411與該通孔27中，且電性連接該第一電性連接墊211及第三電性連接墊241，而各該第二電性連接墊221及第四電性連接墊251分別并未形成第二開(kāi)孔2211及第四開(kāi)孔2511，故該多個(gè)第二電性連接墊221及第四電性連接墊251覆蓋并電性連接該導(dǎo)電通孔28。另外，導(dǎo)電元件32可形成于該第一絕緣保護(hù)層開(kāi)口 301中的該第二電性連接墊221上，及可形成于該第二絕緣保護(hù)層開(kāi)口 302中的該第四電性連接墊251上。
[0064]綜上所述，相較于先前技術(shù)，由于本發(fā)明藉由在第一電性連接墊、第二電性連接墊、第三電性連接墊及第四電性連接墊中形成第一開(kāi)孔、第二開(kāi)孔、第三開(kāi)孔及第四開(kāi)孔，因此在封裝基板的厚度小于100微米的情況下，燒灼貫穿距離不大于100微米的激光所發(fā)出的激光光可于該第一開(kāi)孔、第二開(kāi)孔、第三開(kāi)孔及第四開(kāi)孔中穿過(guò)并燒灼基板本體、第一介電層及第二介電層而不受各電性連接墊的金屬妨礙，故本發(fā)明的封裝基板可使用激光而一次或兩次而形成連通該第一開(kāi)孔、第二開(kāi)孔、第三開(kāi)孔與第四開(kāi)孔的通孔，以避免先前技術(shù)于封裝基板中形成通孔后再逐一于各介電層中形成導(dǎo)電盲孔的制程時(shí)間浪費(fèi)，或者避免機(jī)械鉆孔的孔徑大于100微米所致的無(wú)法高密度布線的問(wèn)題，另外，于封裝基板的厚度介于100微米至200微米的情況下，由于本發(fā)明于基板本體內(nèi)未形成金屬層，所以形成有通孔與未形成有通孔處的第二介電層所透過(guò)的光強(qiáng)度明顯不同，故可幫助第二介電層側(cè)的第二次燒灼時(shí)的對(duì)位，從而避免基板本體內(nèi)具有金屬層的先前技術(shù)所造成的兩次燒灼對(duì)位失敗及后續(xù)電性連接失敗的問(wèn)題。
[0065]上述實(shí)施例僅用于例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修改。因此本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書(shū)所列。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種封裝基板，包括: 基板本體，其具有相對(duì)的第一表面及第二表面； 第一線路層，其形成于該第一表面上，且具有多個(gè)第一電性連接墊，且各該第一電性連接墊具有貫穿該第一電性連接墊的第一開(kāi)孔； 第一介電層，其形成于該第一表面及第一線路層上； 第二線路層，其形成于該第一介電層上，且具有多個(gè)第二電性連接墊； 第三線路層，其形成于該第二表面上，且具有多個(gè)第三電性連接墊，且各該第三電性連接墊具有對(duì)應(yīng)該第一開(kāi)孔并貫穿該第三電性連接墊的第三開(kāi)孔； 第二介電層，其形成于該第二表面及第三線路層上； 第四線路層，其形成于該第二介電層上，且具有多個(gè)第四電性連接墊； 多個(gè)通孔，其貫穿該基板本體的第一表面及第二表面、第一介電層與第二介電層，且藉由激光燒灼而形成，各該通孔的最大寬度小于或等于100微米；以及 多個(gè)導(dǎo)電通孔，其貫穿該通孔、第一開(kāi)孔與第三開(kāi)孔，并電性連接該第一電性連接墊、第二電性連接墊、第三電性連接墊及第四電性連接墊，各該導(dǎo)電通孔的最大寬度小于或等于100微米。2.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征為，各該第二電性連接墊具有位置對(duì)應(yīng)該第一開(kāi)孔并貫穿該第二電性連接墊的第二開(kāi)孔，各該第四電性連接墊具有位置對(duì)應(yīng)該第一開(kāi)孔并貫穿該第四電性連接墊的第四開(kāi)孔，而該導(dǎo)電通孔延伸形成至該第二開(kāi)孔與第四開(kāi)孔中，并電性連接該第二電性連接墊與第四電性連接墊。3.如權(quán)利要求1所述的封裝基板，其特征為，該封裝基板的厚度小于或等于200微米。4.如權(quán)利要求3所述的封裝基板，其特征為，該封裝基板的厚度小于或等于100微米。5.一種封裝基板的制法，包括: 提供具有相對(duì)的第一表面及第二表面的基板本體，以于該第一表面上形成第一線路層，其中，該第一線路層具有多個(gè)第一電性連接墊，各該第一電性連接墊并具有貫穿該第一電性連接墊的第一開(kāi)孔；于該第一表面及第一線路層上形成第一介電層；于該第一介電層上形成具有多個(gè)第二電性連接墊的第二線路層，其中，各該第二電性連接墊具有位置對(duì)應(yīng)該第一開(kāi)孔并貫穿該第二電性連接墊的第二開(kāi)孔；于該第二表面上形成第三線路層，其中，該第三線路層具有多個(gè)第三電性連接墊，各該第三電性連接墊并具有位置對(duì)應(yīng)該第一開(kāi)孔并貫穿該第三電性連接墊的第三開(kāi)孔；于該第二表面及第三線路層上形成第二介電層；以及，于該第二介電層上形成具有多個(gè)第四電性連接墊的第四線路層，其中，各該第四電性連接墊具有對(duì)應(yīng)該第一開(kāi)孔并貫穿該第四電性連接墊的第四開(kāi)孔； 以燒灼方式形成多個(gè)貫穿該基板本體、第一介電層及第二介電層的通孔，且該第一開(kāi)孔、第二開(kāi)孔、通孔、第三開(kāi)孔及第四開(kāi)孔彼此連通；以及 于該第一開(kāi)孔、第二開(kāi)孔、第三開(kāi)孔、第四開(kāi)孔與通孔中形成多個(gè)電性連接該第一電性連接墊、第二電性連接墊、第三電性連接墊及第四電性連接墊的導(dǎo)電通孔。6.一種封裝基板的制法，包括: 提供具有相對(duì)的第一表面及第二表面的基板本體，以于該第一表面上形成第一線路層及于該第二表面上形成第三線路層，其中，該第一線路層具有多個(gè)第一電性連接墊，各該第一電性連接墊具有貫穿該第一電性連接墊的第一開(kāi)孔，而該第三線路層具有多個(gè)第三電性連接墊，且各該第三電性連接墊具有對(duì)應(yīng)該第一開(kāi)孔并貫穿該第三電性連接墊的第三開(kāi)孔；以及于該第一表面及第一線路層上形成有第一介電層，并于該第二表面及第三線路層上形成第二介電層； 以燒灼方式形成多個(gè)貫穿該基板本體、第一介電層及第二介電層的通孔，且該第一開(kāi)孔、第三開(kāi)孔及通孔彼此連通； 于該第一開(kāi)孔、第三開(kāi)孔與通孔中形成多個(gè)電性連接該第一電性連接墊及第三電性連接墊的導(dǎo)電通孔；以及 于該第一介電層上形成具有多個(gè)第二電性連接墊的第二線路層，并于該第二介電層上形成具有多個(gè)第四電性連接墊的第四線路層，且令該導(dǎo)電通孔電性連接該第二電性連接墊及第四電性連接墊。7.如權(quán)利要求5或6所述的封裝基板的制法，其特征為，該導(dǎo)電通孔的最大寬度小于或等于100微米。8.如權(quán)利要求5或6所述的封裝基板的制法，其特征為，該封裝基板的厚度介于100微米至200微米，且形成該通孔的步驟從該第一介電層側(cè)與第二介電層側(cè)進(jìn)行。
【專利摘要】一種封裝基板及其制法，包括：具有第一及第二表面的基板本體；形成于第一表面上且具有多個(gè)第一電性連接墊以及貫穿第一電性連接墊的第一開(kāi)孔的第一線路層；形成于第一表面及第一線路層上的第一介電層；形成于第一介電層上且具有多個(gè)第二電性連接墊的第二線路層；形成于第二表面上且具有多個(gè)第三電性連接墊以及貫穿第三電性連接墊的第三開(kāi)孔的第三線路層；形成于第二表面及第三線路層上的第二介電層；形成于第二介電層上且具有多個(gè)第四電性連接墊的第四線路層；貫穿基板本體的第一及第二表面、第一與第二介電層的多個(gè)通孔；以及貫穿該通孔與第一及三開(kāi)孔，并電性連接該第一至四電性連接墊的多個(gè)導(dǎo)電通孔。
【IPC分類】H01L21/48, H01L23/498
【公開(kāi)號(hào)】CN105633054
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410621456
【發(fā)明人】孫銘成, 林俊賢, 沈子杰, 邱士超, 白裕呈
【申請(qǐng)人】矽品精密工業(yè)股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月1日
【申請(qǐng)日】2014年11月6日
【公告號(hào)】US20160086879