1 ]從該結(jié)果可知，與傾斜角度Θ為0°相比，傾斜角度Θ為6°的一方的最大相位amax較大。進而可知，在從諧振頻率起到諧振頻率fr與反諧振頻率fa的大致中間頻率fm為止的頻帶wf I中，與傾斜角度Θ為0°相比，傾斜角度Θ為6°的一方的相位整體上較大。即，在頻帶wf!內(nèi)示出了如下情況:與傾斜角度Θ為0°相比，傾斜角度Θ為6°的一方的傳播損耗較小。
[0092]如上所述，在使傾斜角度Θ大于2°的情況下，能夠減小Af，因此能夠提高濾波器特性的陡度。此外，在將傾斜角度Θ設(shè)為10°以下的情況下，能夠增大最大相位Ctmax，因此能夠減小傳播損耗。即，在由LiTaO3構(gòu)成的基板3中，通過使IDT電極5的電極指23傾斜，從而能夠提高陡度，并降低傳播損耗。
[0093]此外，通過將傾斜角度Θ設(shè)為2°<θ < 10°，從而能夠減小Δ f并且增大最大相位αmax。結(jié)果，能夠得到能夠提高濾波器特性的陸度、并且在頻帶wfl內(nèi)傳播損耗得到了降低的SAW元件。
[0094](SAW元件的變形例I)
[0095]圖8是表示本發(fā)明的一實施方式的變形例所涉及的SAW元件I的主要部分的剖視圖。本變形例的SAW元件I使用了粘合基板300，在這一點上與上述實施方式不同。
[0096]SAW元件I具有:粘合基板300;以及配置在粘合基板300的上表面300a的與圖1同樣的IDT電極5以及反射器7。粘合基板300具有基板30以及粘合于基板30的下表面30b的支承基板10。
[0097]基板30由鉭酸鋰(LiTaO3)單晶體等的具有壓電性的基板構(gòu)成。更優(yōu)選地，基板30由36°?48° Y-X切割的LiTaO3構(gòu)成。
[0098]支承基板10是在基板30的與形成IDT電極的面(300a)對置的面(30b)，直接或者借助粘接層來設(shè)置具有比LiTaO3基板的熱膨脹系數(shù)小的熱膨脹系數(shù)的支承基板10。本變形例通過對粘接面用等離子體等進行活化處理后無粘接層地進行粘合、即所謂的直接接合來進行了粘合。另外，作為熱膨脹系數(shù)，能夠使用材料的線膨脹系數(shù)等。
[0099]支承基板10通過由熱膨脹系數(shù)比基板3的材料小的材料構(gòu)成，從而能夠?qū)AW元件I的電氣特性的溫度變化進行補償。作為這樣的材料，能夠列舉例如藍寶石等晶體材料、多晶體或單晶體的硅等半導體材料以及氧化鋁質(zhì)燒結(jié)體等陶瓷材料。另外，支承基板10也可以層疊由彼此不同的材料構(gòu)成的多個層來構(gòu)成。
[0100]基板30的厚度例如是固定的，其大小可以根據(jù)應(yīng)用SAW元件I的技術(shù)領(lǐng)域、SAW元件I所需要的規(guī)格等來適當設(shè)定。作為一例，基板30的厚度例如為2μπι以上且30μπι以下。壓電基板3的平面形狀以及各種尺寸也可以適當設(shè)定。
[0101]支承基板10的厚度可以與基板30的厚度同樣地適當設(shè)定。但是，支承基板10的厚度考慮基板30的厚度來進行設(shè)定，以使得適當進行溫度補償。作為一例，相對于基板30的厚度為2μηι以上且30μηι以下，支承基板10的厚度為ΙΟΟμπι以上且300μηι以下。支承基板10的平面形狀以及各種尺寸例如與基板30同等。
[0102]基板30以及支承基板10例如也可以借助未圖示的粘接層來彼此粘合。粘接層的材料既可以是有機材料，也可以是無機材料。作為有機材料，可以列舉例如熱固化性樹脂等樹月旨。作為無機材料，可以列舉例如Si02。作為粘接層的材料，可以使用比支承基板10更難以反射體波的材料。在該情況下能夠降低體波的影響。
[0103]制作傾斜角度Θ不同的多個SAW元件(比較例以及實施例的SAW元件)，并進行了測量。另外，傾斜角度ΘΑ和傾斜角度ΘΒ設(shè)定為相同。比較例是傾斜角度Θ為0°的SAW元件，實施例是制作了 11個傾斜角度Θ在2°?22°以2°間隔不同的SAW元件。
[0104]圖9是表示在基板30使用42° YX-LiTaO3以及46° YX-LiTa03、使SAW元件I的傾斜角度Θ發(fā)生了變化時的Δ f的實測結(jié)果的曲線圖。橫軸表示傾斜角度θ(° )，縱軸表示了 Δ f (MHz)。
[0105]IDT電極5以及反射器7等基板30的上表面300a上的構(gòu)成與上述實施方式同樣。以下示出作為本變形例的主要部分的粘合基板300的條件。
[0106]粘合基板300:
[0107]基板3 種類:42° YX-LiTaO3 以及 46° YX-LiTaO3
[0108]厚度:20μπι
[0109]支承基板10種類:硅
[0110]厚度:230μπι
[0111]粘合方式:直接接合
[0112]根據(jù)圖9所示的測量結(jié)果可知，若增大傾斜角度Θ，則Δf會變小。即，通過將第I傾斜角度ΘΑ以及第2傾斜角度ΘΒ的傾斜角度設(shè)定為大于0°，并沿著第1、第2虛擬線L1、L2排列配置電極指的前端部分，從而能夠減小Af。結(jié)果，SAW元件I能夠提高濾波器特性的陡度。另夕卜，與上述實施方式的SAW元件I的圖5相比，Af相對于傾斜角度Θ的變化并不平滑，但在本變形例中，可以認為是由于體波的寄生(spur1us)在阻抗特性上產(chǎn)生了影響的緣故。
[0113]此外，圖10是表示在基板30使用42° YX-LiTaO3以及46° YX-LiTa03、使本變形例的SAW元件I的傾斜角度Θ發(fā)生了變化時的阻抗的相位α的最大相位amax的實測結(jié)果的圖。橫軸表示傾斜角度θ(°)，縱軸表示amax(°)。
[0114]在切割角不同的全部2種粘合基板300中，從傾斜角度θ= 0°起到傾斜角度θ = 10°為止，若增大傾斜角度Θ，則都能夠抑制最大相位amax的下降。
[0115]在上述實施方式中，若從傾斜角度Θ= 0°逐漸增大至傾斜角度Θ = 10°，則最大相位amax呈現(xiàn)了增大的趨勢。但是，在本變形例的SAW元件I中由于使用了粘合基板，因此成為將基板30作為芯層而將支承基板10作為包層的波導，可以認為某特定頻率以外的頻帶成為基板30內(nèi)的彈性波傳播的禁止帶。
[0116]因此，在某特定頻率以外的頻帶中，變得難以向基板30內(nèi)部泄露彈性波，彈性波向基板30內(nèi)的泄露所引起的傳播損耗減小。因此，在本變形例的SAW元件I中，從傾斜角度Θ =0°時起傳播損耗較小，即使從傾斜角度Θ = 0°起使傾斜角度增大至傾斜角度Θ = 10°，最大相位amax也難以變大，可以認為結(jié)果變化較小。另外，在前述的特定頻率下，彈性波在基板30內(nèi)傳播，作為寄生特性會在阻抗特性上出現(xiàn)其影響。
[0117]圖11(a)?⑷是示出了在基板30使用了46°YX-LiTaO3的、傾斜角度Θ被設(shè)定為0°和6°的SAW元件I的阻抗特性的曲線圖。圖11中的虛線表示了傾斜角度Θ為0°的SAW元件，實線表示了傾斜角度Θ為6°的SAW元件。橫軸表示了頻率f。
[0118]在圖11(a)中，縱軸表示阻抗的絕對值|Z|，在圖11(b)中，縱軸表示阻抗Z的相位α。圖11(c)是將圖11(b)的虛線所包圍的部分進行放大后的曲線圖。圖11(d)是將圖11(b)的單點劃線所包圍的部分進行放大后的曲線圖。
[0119]在傾斜角度Θ為0°的情況下，可知在由圖11(d)中的Si或者圖11(c)中的s2所示的某特定頻率下，在阻抗特性上發(fā)生了寄生。這是在使用粘合基板時發(fā)生的寄生。這是基板30的厚度等為主要原因而發(fā)生的現(xiàn)象，該特定頻率或寄生彼此的間隔發(fā)生變化。
[0120]從該結(jié)果可知，與傾斜角度Θ為0°的情況相比，傾斜角度Θ為6°的情況下寄生降低了。即，通過使連結(jié)多個第I電極指23A的前端部分的第I虛擬線L1、和連結(jié)多個第2電極指23B的前端部分的第2虛擬線L2相對于彈性波的傳播方向傾斜，從而能夠減小△ f，并能夠提高濾波器特性的陡度。另外，根據(jù)這樣的構(gòu)成，能夠獲得降低在粘合基板300內(nèi)發(fā)生的體波的寄生的效果。
[0121]此外，通過使第I虛擬線LI以及第2虛擬線L2相對于彈性波的傳播方向而向相同方向傾斜，從而能夠抑制多個電極指23的交叉范圍(交叉寬度W(圖1))的偏差，并能夠提高施加了高電力時的耐久性能。
[0?22]關(guān)于在從諧振頻率起到諧振頻率f r與反諧振頻率f a的大致中間頻率f m為止的頻帶wf I中例如與傾斜角度Θ為0°相比，傾斜角度Θ為6°的一方的傳播損耗較小的現(xiàn)象、在從比反諧振頻率fa高的頻率附近到阻帶端頻率fb(未圖示)的頻帶wf2(未圖示)內(nèi)傳播損耗變大的現(xiàn)象，與上述實施方式同樣。
[0123](傾斜角度Θ的優(yōu)選范圍)
[0124]圖12是示出了在基板30使用了46°YX-LiTaO3的、傾斜角度Θ為0°和2°的SAW元件I的阻抗特性的曲線圖。另外，橫軸表示了頻率f?？v軸表示了阻抗Z的相位α。虛線表示了傾斜角度Θ為0°的SAW元件，實線表示了傾斜角度Θ為2°的SAW元件。
[0125]從該結(jié)果可知，在將傾斜角度Θ設(shè)定為2°的情況下，如圖12所示，能夠大大降低在s2的部分所示的頻域中發(fā)生的寄生。此外，如圖12所示，在傾斜角度Θ為0°的情況下在t的部分發(fā)生了粘合基板特有的相位的凹陷，但通過將傾斜角度Θ設(shè)為2°，能夠大大降低該凹陷。
[0126]如上所述，由于通過增大傾斜角度Θ從而能夠減小Δf，因此能夠提高濾波器特性的陡度。此外，傾斜角度Θ通過設(shè)為2° <θ<10°，從而能夠減小Δ f，并且能夠增大最大相位αmax。結(jié)果，能夠得到能夠提高濾波器特性的陸度、并且在頻帶wfl內(nèi)傳播損耗得到了降低的SAW元件。
[0127]此外，這樣的構(gòu)成的SAW元件能夠抑制在使用粘合基板時所發(fā)生的特有的寄生，能夠得到溫度變化所引起的頻