率移動較小的優(yōu)異的SAW元件。
[0128]在上述實施方式中，示出了按照第I虛擬線LI以及第2虛擬線L2的傾斜也使匯流條21發(fā)生了傾斜的情況，但如圖13所示，匯流條21也可可以不按照第I虛擬線LI以及第2虛擬線L2來傾斜。在此情況下，通過調(diào)整電極指23以及偽電極指25的長度，從而使交叉寬度保持固定的同時，使電極指23的前端部分沿著第I虛擬線LI或第2虛擬線L2來配置即可。
[0129](SAW元件的變形例2)
[0130]如圖14所示，第I偽電極指25A的寬度也可以大于第2電極指23B的寬度。此時，構(gòu)成為第2偽電極指25B的寬度也大于第I電極指23A的寬度。
[0131]第I偽電極指25A以及第2偽電極指25B的寬度構(gòu)成為在X軸方向上變大。第I偽電極指25A以及第2偽電極指25B既可以如圖14所示，整體都是寬幅的，也可以如圖15所示，一部分是寬幅的。即，既可以如圖15(a)所示，第2偽電極指25B的第2匯流條21B側(cè)的一部分是寬幅的，也可以如圖15(b)所示，第2偽電極指25B的第2電極指23A側(cè)的一部分是寬幅的。此外，也可以如圖14以及圖15所示，第I電極指23A以及第2電極指23B的一部分是寬幅的。
[0132]第I電極指23A的寬度設(shè)定為在第I電極指23A以及第2電極指23B的交叉區(qū)域Cr之外大于位于交叉區(qū)域Cr內(nèi)的寬度。此外，第2電極指23B的寬度也設(shè)定為在交叉區(qū)域Cr之外大于位于交叉區(qū)域Cr內(nèi)的第2電極指23B的寬度。另外，在以下說明中，有時將偽電極指25以及電極指23的寬度變大的部分稱為寬幅部。
[0133]電極指23的一部分以及偽電極指25的寬幅部設(shè)定為相對于交叉區(qū)域Cr內(nèi)的電極指23的占空比Dt，占空比Dt變大。占空比Dt設(shè)得越大，就越能夠如后述那樣獲得降低彈性波向IDT電極5的外部泄露的效果。在此，所謂占空比Dt，是指如圖16所示，將偽電極指25的寬幅部的寬度w除以偽電極指25以及相鄰的電極指23的間距Pt而得到的值。即，能夠通過占空比Dt =寬度w/間距Pt來計算。
[0134]在如本變形例的SAW元件I那樣相對于IDT電極5的彈性波的傳播方向而傾斜的傾斜型諧振器的情況下，如圖16所示，交叉區(qū)域Cr外的偽電極指25以及電極指23會位于縱方向(X軸方向)的彈性波的傳播方向上。因此，通過在交叉區(qū)域Cr外的偽電極指25以及電極指23設(shè)置寬幅部，從而能夠使交叉區(qū)域Cr外的偽電極指25以及電極指23的阻帶向低域側(cè)移動。由此，能夠在從諧振頻率起數(shù)MHz低頻率側(cè)也高效地反射在縱方向上傳播的彈性波，并能夠降低通過交叉區(qū)域Cr外的偽電極指25以及電極指23，進而向其外側(cè)的泄露。結(jié)果，能夠降低諧振附近的損耗。
[0135]此外，通過具有偽電極指25，從而能夠相對于交叉區(qū)域Cr內(nèi)的彈性波的速度(聲速)而減小交叉區(qū)域Cr外的彈性波的聲速，因此能夠降低彈性波在橫方向(y軸方向)上泄露的情況。
[0136]為了確認(rèn)這樣的SAW元件I的效果，制作在電極指23的一部分以及偽電極指25設(shè)置了寬幅部的SAW元件I，并進行了電氣特性的測量。基本的構(gòu)成與上述實施方式的SAW元件I同樣。圖17(a)是表示使用了42° YX-LiTaO3的基板的SAW元件I的測量結(jié)果的曲線圖，圖17(b)是表示使用了將46.3° YX-LiTaO3的基板與由硅構(gòu)成的支承基板粘貼而成的粘合基板的SAW元件I的測量結(jié)果的曲線圖。橫軸表示交叉區(qū)域Cr外的占空比Dt，縱軸表示諧振點的阻抗。
[0137]從該結(jié)果可知，在使交叉區(qū)域Cr外的偽電極指25以及電極指23的占空比Dt從作為交叉區(qū)域Cr內(nèi)的值的0.50變化至0.60的情況下，能夠降低諧振點的阻抗，并能夠降低諧振點的損耗。此外，根據(jù)圖17可知，在使交叉寬度在15λ?30λ發(fā)生了變化的情況下也能夠獲得同樣的效果。特別是可知，交叉寬度越短，諧振點處的損耗降低的效果越大。
[0138](SAW裝置的構(gòu)成的概要)
[0139]圖18是表示應(yīng)用了上述SAW元件I的SAW裝置51的示例的剖視圖。
[0140]SAW裝置51例如構(gòu)成了分波器等濾波器元件。SAW裝置51具有SAW元件31以及安裝SAW元件31的電路基板53。
[0141]SAW元件31例如構(gòu)成為所謂的晶片級封裝的SAW元件。SAW元件31具有:上述的SAW元件I;覆蓋基板3的SAW元件I側(cè)的蓋33;貫通蓋33的端子35;和覆蓋基板3的與配置了SAW元件I的面相反一側(cè)的面的背面部37。
[0142]蓋33由樹脂等構(gòu)成，并在IDT電極5以及反射器7的上方(z方向的正側(cè))構(gòu)成了用于使彈性波容易傳播的振動空間33a。在基板3的上表面3a上，形成了與IDT電極5連接的布線38和與布線38連接的焊盤39。端子35形成在焊盤39上，與IDT電極5電連接。背面部37例如具有:用于根據(jù)溫度變化等將基板3表面所充電的電荷進行放電的背面電極、和覆蓋該背面電極的保護層。
[0143]電路基板53例如由所謂剛性的印刷布線基板構(gòu)成。在電路基板53的安裝面53a，形成了安裝用焊盤55。
[0144]SAW元件31使蓋33側(cè)與安裝面53a對置配置。然后，端子35與安裝用焊盤55通過焊料57來粘接。然后，SAW元件31通過密封樹脂59來密封。
[0145](濾波器元件的構(gòu)成的概要)
[0146]圖19是本發(fā)明的一實施方式所涉及的濾波器元件600的示意性的電路圖。濾波器元件600由包含梯型濾波器電路的第I彈性波濾波器700、和包含DMS型濾波器電路的第2彈性波濾波器800構(gòu)成。第I彈性波濾波器700的通帶設(shè)定為位于比第2彈性波濾波器800的通帶低的頻率。
[0147]第I彈性波濾波器700作為發(fā)送帶通濾波器而工作，是由串聯(lián)電連接的串聯(lián)SAW元件63、64、65、66和并聯(lián)電連接的并聯(lián)SAW元件67、68、69構(gòu)成的梯型濾波器。并聯(lián)SAW元件67、68、69與接地端子70連接。此外，串聯(lián)SAW元件63與發(fā)送信號端子62A連接，串聯(lián)SAW元件66與天線端子61連接。另外，串聯(lián)SAW元件有時稱為串聯(lián)諧振器，并聯(lián)SAW元件有時稱為并聯(lián)諧振器。此外，串聯(lián)諧振器以及并聯(lián)諧振器具備具有彼此交叉的第I諧振電極指以及第2諧振電極指的ID T電極結(jié)構(gòu)的諧振電極指。另外，諧振電極指相當(dāng)于上述的電極指2 3。
[0148]第2彈性波濾波器800作為接收帶通濾波器而工作，與天線端子61連接的天線側(cè)SAW元件71、第IDMS型濾波器72、第2DMS型濾波器73、與接收信號端子62B連接的接收側(cè)SAW元件74被串聯(lián)連接。
[0149]在將上述實施方式的SAW元件I用于濾波器元件600的情況下，使用仿真器來計算并求取了第I彈性波濾波器700與比較例的彈性波濾波器701的從發(fā)送信號端子到天線端子的透射特性。
[0150]第I彈性波濾波器700使用了下述所示的粘合基板300。
[0151]粘合基板300:
[0152]基板30 種類:46° YX-LiTaO3
[0153]厚度:20μπι
[0154]支承基板10種類:硅
[0155]厚度:230μπι
[0156]粘合方式:直接接合
[0157]此外，第2彈性波濾波器800使用了下述所示的粘合基板301。
[0158]粘合基板301:
[0159]基板3 種類:42° YX-LiTaO3
[0160]厚度:20μπι
[0161]支承基板10種類:硅
[0162]厚度:230μπι[ΟΙ63]粘合方式:直接接合
[0164]關(guān)于進行了仿真的濾波器元件的構(gòu)成，串聯(lián)SAW元件63、64、65、66設(shè)為傾斜角度Θ為6°的SAW元件，并聯(lián)SAW元件67、68、69設(shè)為傾斜角度Θ為0°的SAW元件，設(shè)為了第I彈性波濾波器700。然后，將比較例設(shè)為了如下的第I彈性波濾波器701:圖20所示那樣的串聯(lián)SAW元件75、76、77、78以及并聯(lián)SAW元件67、68、69全都是傾斜角度Θ為0°的SAW元件。另外，作為傾斜角度Θ為0°的SAW元件，使用傾斜角度Θ為0°以上且2°以下的SAW元件即可。
[0165]圖21(a)?(C)是示出了從信號端子62Α到天線端子61的透射特性的仿真結(jié)果的曲線圖。圖21中的虛線表示了比較例，實線表示了實施例。橫軸表示了頻率f。縱軸表示透射特性，圖21(a)是將發(fā)送帶域附近進行放大后的曲線圖，圖21(b)是示出了發(fā)送帶域附近的O[dB]至-80[dB]的透射特性的曲線圖，圖21(c)是將圖21(b)的單點劃線所包圍的部分進行放大后的曲線圖。
[0166]可知相對于比較例，在實施例中，串聯(lián)SAW元件63、64、65、66的與頻帶wfl內(nèi)相當(dāng)?shù)念l域上的透射特性變大，濾波器特性的通帶的損耗降低。此外，在比較例中，在串聯(lián)SAW元件63、64、65、66中，在與使用粘合基板時發(fā)生的寄生的特定頻率Si相當(dāng)?shù)念l域上的透射特性上，寄生發(fā)生而導(dǎo)致濾波器特性的損耗變大?？芍鄬τ诖?，在實施例中，通過傾斜角度Θ為6°的SAW元件的寄生降低效果，從而與特定頻率Si相當(dāng)?shù)念l域上的透射特性上的寄生的發(fā)生得到抑制，濾波器特性的損耗降低。在環(huán)境溫度升高的情況下，由于發(fā)送帶通濾波器的波形向低頻側(cè)移動，并且頻帶wf I的透射特性變小，因此預(yù)先使頻帶wf I的透射特性較大有助于提高濾波器元件600的質(zhì)量。
[0167]此外，傾斜角度Θ為6°的SAW元件與傾斜角度Θ為0°的SAW元件相比能夠減小Δf，因此在透射特性-44[dB]處，比較例與實施例的頻率