[0049]多個(gè)IC-連接器連接電極21的一端部與驅(qū)動(dòng)ICll連接，另一端部與被引出于基板7的另一個(gè)長(zhǎng)邊7b側(cè)的連接端子2連接。由此，與連接器31電連接，并將驅(qū)動(dòng)ICll與連接器31之間電連接。與各驅(qū)動(dòng)ICll連接的多個(gè)IC-連接器連接電極21由具有不同的功能的多個(gè)布線構(gòu)成。
[0050]接地電極4配置成被單獨(dú)電極19、IC-連接器連接電極21、和公共電極17的主布線部17d包圍，具有大的俯視面積。接地電極4被保持在O?IV的接地電位。
[0051]連接端子2為了將公共電極17、單獨(dú)電極19、IC_連接器連接電極21以及接地電極4與連接器31連接而被引出于基板7的另一個(gè)長(zhǎng)邊7b側(cè)。對(duì)應(yīng)于連接器管腳8設(shè)置有連接端子2，連接器管腳8和連接端子2被連接成分別電獨(dú)立。
[0052]多個(gè)IC-1C連接電極26對(duì)相鄰的驅(qū)動(dòng)ICl I進(jìn)行電連接。多個(gè)IC-1C連接電極26分別對(duì)應(yīng)于IC-連接器連接電極21而設(shè)置，將各種信號(hào)傳遞給相鄰的驅(qū)動(dòng)IC11。
[0053]如圖1所示，驅(qū)動(dòng)ICll與多個(gè)發(fā)熱部9的各組對(duì)應(yīng)地配置，并且與單獨(dú)電極19的另一端部和IC-連接器連接電極21的一端部連接。驅(qū)動(dòng)ICll具有對(duì)各發(fā)熱部9的通電狀態(tài)進(jìn)行控制的功能。作為驅(qū)動(dòng)IC11，只要使用在內(nèi)部具有多個(gè)開關(guān)元件的切換構(gòu)件即可。
[0054]上述的電阻層15、連接端子2、公共電極17、單獨(dú)電極19、接地電極4、IC-連接器連接電極21、以及IC-1C連接電極26例如通過在蓄熱層13上利用例如濺射法等以往周知的薄膜成型技術(shù)依次層疊了構(gòu)成各自的材料層之后，使用以往周知的光刻等將層疊體加工成給定的圖案而形成。另外，連接端子2、公共電極17、單獨(dú)電極19、接地電極4、IC-連接器連接電極21、以及IC-1C連接電極26可以通過相同的工序同時(shí)形成。
[0055]如圖1、2所示，在形成于基板7的上表面的蓄熱層13上，形成有對(duì)發(fā)熱部9、公共電極17的一部分以及單獨(dú)電極19的一部分進(jìn)行覆蓋的保護(hù)層25。另外，在圖1中，為了說明的方便，用單點(diǎn)劃線示出了保護(hù)層25的形成區(qū)域。
[0056]保護(hù)層25用于保護(hù)發(fā)熱部9、公共電極17以及單獨(dú)電極19的進(jìn)行了覆蓋的區(qū)域免受大氣中所含的水分等的附著所引起的腐食、或者與進(jìn)行印相的記錄介質(zhì)的接觸所引起的摩耗。保護(hù)層25可以使用SiN、S12, S1N, SiC、SiCN或者類金剛石等來形成，可以由單層來構(gòu)成保護(hù)層25，也可以對(duì)這些層進(jìn)行層疊來構(gòu)成保護(hù)層25。這種保護(hù)層25可以使用濺射法等薄膜形成技術(shù)或者絲網(wǎng)印刷等厚膜形成技術(shù)來制作。
[0057]此外，如圖1、2所示，在基板7上設(shè)置有將公共電極17、單獨(dú)電極19以及IC-連接器連接電極21局部覆蓋的覆蓋層27。另外，在圖1中，為了說明的方便，用單點(diǎn)劃線示出了覆蓋層27的形成區(qū)域。
[0058]覆蓋層27用于保護(hù)公共電極17、單獨(dú)電極19、IC-1C連接電極26以及IC-連接器連接電極21的進(jìn)行了覆蓋的區(qū)域免受與大氣的接觸所引起的氧化、或者大氣中所含的水分等的附著所引起的腐食。另外，覆蓋層27為了使公共電極17以及單獨(dú)電極19的保護(hù)更加可靠，優(yōu)選如圖2所示與保護(hù)層25的端部重疊地形成。覆蓋層27例如可以使用絲網(wǎng)印刷法等厚膜成型技術(shù)來形成環(huán)氧樹脂、或者聚酰亞胺樹脂等樹脂材料。
[0059]覆蓋層27形成有用于使與驅(qū)動(dòng)ICll連接的單獨(dú)電極19、IC-1C連接電極26以及IC-連接器連接電極21露出的開口部27a，它們的布線經(jīng)由開口部27a與驅(qū)動(dòng)ICll連接。此外，驅(qū)動(dòng)ICll通過被由環(huán)氧樹脂或者硅酮樹脂等樹脂構(gòu)成的覆蓋構(gòu)件29覆蓋而被密封。
[0060]使用圖2、3，對(duì)連接器31與頭基體3的電連接、以及保護(hù)構(gòu)件12與散熱體I的連接進(jìn)行說明。
[0061]如圖3 (a)所示，在接地電極4的連接端子2以及IC-連接器連接電極21的連接端子2上，配置有連接器管腳8。如圖2所示，連接端子2和連接器管腳8通過導(dǎo)電構(gòu)件23而電連接。
[0062]導(dǎo)電構(gòu)件23例如可以例示焊錫或者在電絕緣性的樹脂中混入導(dǎo)電性粒子而得到的各向異性導(dǎo)電粘接劑等。在本實(shí)施方式中，使用焊錫來進(jìn)行說明。連接器管腳8通過被導(dǎo)電構(gòu)件23覆蓋而與連接端子2電連接。另外，也可以在導(dǎo)電構(gòu)件23與連接端子2之間設(shè)置N1、Au、或者Pd所形成的鍍敷層(未圖示)。
[0063]連接器31的收容部10與基板7的側(cè)面7e隔開給定的間隔而配置。此外，收容部10配置在散熱體I的臺(tái)部Ia上，并通過粘接劑或者雙面膠帶等接合劑(未圖示)而被固定。另外，連接器31的收容部10也可以與散熱體I的臺(tái)部Ia隔開給定的間隔而配置，也可以不通過接合劑將收容部10與臺(tái)部Ia接合。
[0064]如圖3所示，散熱體I在臺(tái)部Ia上具有第I凸部Ib以及第2凸部lc。第I凸部Ib以及第2凸部Ic向上方突出，在排列方向上隔開給定的間隔而配置。在該第I凸部Ib以及第2凸部Ic之間配置有收容部10。
[0065]第I凸部Ib以及第2凸部Ic通過壓花加工而與散熱體I 一體地被制作。另外，也可以通過將與臺(tái)部Ia分別地形成的構(gòu)件接合于臺(tái)部Ia來制作。此外，也可以通過對(duì)臺(tái)部Ia的一部分進(jìn)行彎曲加工，來使其向上方突出從而形成第I凸部Ib以及第2凸部lc。此外，第I凸部Ib以及第2凸部Ic俯視時(shí)也可以為矩形、圓形、或者半圓形。
[0066]保護(hù)構(gòu)件12為了保護(hù)導(dǎo)電構(gòu)件23，也可以設(shè)置成覆蓋導(dǎo)電構(gòu)件23以及連接器管腳8。在本實(shí)施方式中，保護(hù)構(gòu)件12遍及導(dǎo)電構(gòu)件23以及連接器管腳8的整個(gè)區(qū)域而設(shè)置，對(duì)導(dǎo)電構(gòu)件23以及連接器管腳8進(jìn)行密封。
[0067]而且，保護(hù)構(gòu)件12的一部分從導(dǎo)電構(gòu)件23上直到散熱體I而設(shè)置，保護(hù)構(gòu)件12與散熱體I相接。即，導(dǎo)電構(gòu)件23和散熱體I通過被一體化的保護(hù)構(gòu)件12而熱連接。
[0068]在此，若使熱敏頭Xl驅(qū)動(dòng)，則經(jīng)由導(dǎo)電構(gòu)件23從外部向頭基體3發(fā)送電信號(hào)，基于該電信號(hào)，熱敏頭Xl使發(fā)熱部9發(fā)熱驅(qū)動(dòng)。導(dǎo)電構(gòu)件23由于通電時(shí)的接觸電阻或者布線電阻而存在溫度上升的情況。由此，與導(dǎo)電構(gòu)件23相接地設(shè)置的保護(hù)構(gòu)件12的溫度也上升，若保護(hù)構(gòu)件12的散熱不能高效地進(jìn)行，則在保護(hù)構(gòu)件12蓄積熱，保護(hù)構(gòu)件12軟化，保護(hù)構(gòu)件12的接合強(qiáng)度有可能下降。
[0069]但是，熱敏頭Xl具有設(shè)置在導(dǎo)電構(gòu)件23上的保護(hù)構(gòu)件12與散熱體I相接的構(gòu)成。由此，由導(dǎo)電構(gòu)件23產(chǎn)生的熱經(jīng)由保護(hù)構(gòu)件12而被散熱體I散熱，能夠使保護(hù)構(gòu)件12的熱高效地散熱。其結(jié)果，能夠降低保護(hù)構(gòu)件12軟化的可能性，且能夠降低保護(hù)構(gòu)件12與基板7的接合強(qiáng)度下降的可能性。
[0070]此外，保護(hù)構(gòu)件U從導(dǎo)電構(gòu)件23上直到第I凸部Ib的上表面以及第2凸部Ic的上表面而設(shè)置。即，導(dǎo)電構(gòu)件23經(jīng)由保護(hù)構(gòu)件12與第I凸部Ib以及第2凸部Ic連接。而且，由于第I凸部Ib以及第2凸部Ic從臺(tái)部Ia向上方突出，因此能夠?qū)膶?dǎo)電構(gòu)件23到散熱體I的距離縮短第I凸部Ib以及第2凸部Ic突出的量。因此，能夠使在導(dǎo)電構(gòu)件23產(chǎn)生的熱容易散熱。進(jìn)而，由于成為通過第I凸部Ib以及第2凸部Ic來對(duì)保護(hù)構(gòu)件12進(jìn)行攔堵的構(gòu)造，因此能夠減少構(gòu)成熱敏頭Xl的保護(hù)構(gòu)件12的量，能夠降低熱敏頭Xl的制造成本。
[0071]另外，保護(hù)構(gòu)件U只要與第I凸部Ib以及第2凸部Ic相接即可，也可以不設(shè)置在第I凸部Ib以及第2凸部Ic的上表面。例如，在保護(hù)構(gòu)件12與第I凸部Ib以及第2凸部Ic的側(cè)面相接的情況下，也能夠使傳遞給保護(hù)構(gòu)件12的熱高效地散熱。
[0072]熱敏頭Xl具有如下構(gòu)成:收容部10配置在第I凸部Ib與第2凸部Ic之間，俯視時(shí)，保護(hù)構(gòu)件12配置在第I凸部Ib與收容部10之間、以及第2凸部Ic與收容部10之間。由此，能夠經(jīng)由保護(hù)構(gòu)件12使導(dǎo)電構(gòu)件23的熱向第I凸部Ib以及第2凸部Ic散熱，并且能夠使保護(hù)構(gòu)件12與連接器31以及散熱體I的接合面積增加，能夠使保護(hù)構(gòu)件12與連接器31以及散熱體I的接合牢固。
[0073]進(jìn)而，保護(hù)構(gòu)件12還配置在基板7的側(cè)面7e與第I凸部Ib以及第2凸部Ic之間。因此，能夠使保護(hù)構(gòu)件12與基板7以及散熱體I的接合面積增加，能夠提高保護(hù)構(gòu)件12的接合強(qiáng)度。
[0074]另外，雖然保護(hù)構(gòu)件12通過覆蓋導(dǎo)電構(gòu)件23以及連接器管腳8來保護(hù)電導(dǎo)通，但優(yōu)選如圖2所示，還設(shè)置在收容部10的上表面的一部分。由此，能夠通過保護(hù)構(gòu)件12來覆蓋連接器管腳8的整個(gè)區(qū)域，能夠進(jìn)一步保護(hù)電導(dǎo)通。
[0075]此外，如圖2所示，保護(hù)構(gòu)件12優(yōu)選還設(shè)置在收容部10與基板7的側(cè)面7e之間。由此，通過設(shè)置在連接器31的上表面的保護(hù)構(gòu)件12，能夠提高基板7的厚度方向的接合強(qiáng)度，并且在從外部插入連接器(未圖示)時(shí)，即使在連接器31產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)力矩，也能夠降低連接器31剝離的可能性。
[0076]此外，通過設(shè)置在收容部10與基板7的側(cè)面7e之間的保護(hù)構(gòu)件12，能夠提高連接器管腳8的延伸方向的接合強(qiáng)度。因此，能夠進(jìn)一步提高基板7與連接器31的接合強(qiáng)度。特別是，通過在收容部10的上表面的一部分設(shè)置保護(hù)構(gòu)件12，能夠使收容部10的上表面的接合強(qiáng)度提高。另外，也可以構(gòu)成為在基板7的側(cè)面7e與收容部10之間不設(shè)置間隙、基板7的側(cè)面7e與收容部10接觸。
[0077]此外，如圖3(a)所示，優(yōu)選在連接器31的收容部10的側(cè)面10a、基板7的側(cè)面7e、和第I凸部Ib以及第2凸部Ic所夾的區(qū)域30也設(shè)置保護(hù)構(gòu)件12。由此，能夠使導(dǎo)電構(gòu)件23的熱經(jīng)由配置在區(qū)域30的保護(hù)構(gòu)件12而向散熱體I散熱。
[0078]此外，通過將保護(hù)構(gòu)件12設(shè)置于區(qū)域30，