1.一種無粘連金屬密堆生長石墨烯的方法，其特征在于，所述方法包括步驟：
步驟1)，在金屬箔片的第一表面沉積氧化物，金屬箔片的第二表面為金屬面，將金屬箔片按氧化物表面朝向金屬面的順序堆疊或者卷起來，形成金屬堆垛或金屬卷；
步驟2)，采用化學(xué)氣相沉積法于所述金屬堆垛或金屬卷的金屬面上生長石墨烯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無粘連金屬密堆生長石墨烯的方法，其特征在于：步驟2)中，將所述金屬堆垛或金屬卷放入化學(xué)氣相反應(yīng)腔中，在700-1090℃下通入含碳?xì)怏w，在0.1-760torr的氣壓下反應(yīng)0.1-9999min，然后將金屬堆垛或者金屬卷進(jìn)行降溫，以于所述金屬堆垛或者金屬卷的金屬面上生長石墨烯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無粘連金屬密堆生長石墨烯的方法，其特征在于：所述金屬箔片包括銅及銅的合金中的一種，所述銅的合金包括銅鎳合金、銅錫合金、銅釕合金及銅鉬合金中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無粘連金屬密堆生長石墨烯的方法，其特征在于：所述金屬箔片的厚度范圍為0.001-10mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無粘連金屬密堆生長石墨烯的方法，其特征在于：在金屬箔片的第一表面沉積氧化物的方法包括濺射、蒸鍍、噴涂中的一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無粘連金屬密堆生長石墨烯的方法，其特征在于：所述氧化物為不與銅在高溫下粘連的物質(zhì)，包括二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無粘連金屬密堆生長石墨烯的方法，其特征在于：所述氧化物的厚度為0.001-1000μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無粘連金屬密堆生長石墨烯的方法，其特征在于：所述金屬堆垛包含的金屬箔片的數(shù)量為2-10000層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無粘連金屬密堆生長石墨烯的方法，其特征在于：所述金屬卷的直徑為0.1-1000cm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無粘連金屬密堆生長石墨烯的方法，其特征在于：金屬面上生長的石墨烯包括石墨烯的連續(xù)膜及石墨烯的晶疇中的一種或兩種。