技術(shù)特征：

1.一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)石墨烯的方法，其特征在于以下步驟：

步驟S100：將1mm厚的石英片(2×2cm)放入清洗液中，并加熱至60℃浸泡后取出，再用酒精、丙酮、去離子水超聲清洗并干燥，使用氣槍吹干；其中，清洗液為H₂SO₄:H₂O₂＝2:1，將H₂O₂由引流棒緩慢引入H₂SO₄；

步驟S200：采用多靶蒸發(fā)薄膜設(shè)備，使用高純度靶材(99.95％)，沉積條件如下：基片溫度為190-210℃；蒸發(fā)壓強(qiáng)為2×10^-3Pa，濺射強(qiáng)度為9；將步驟(100)清洗干凈的石英片表面鍍上薄膜；

步驟S300：將步驟(200)中鍍有薄膜的石英片放入管式爐內(nèi)，通入保護(hù)氣體H₂和Ar，快速升溫至600～1000℃，退火處理后通入甲烷作為生長(zhǎng)前驅(qū)體，氣體濃度為10～100sccm，H₂和Ar流量同上，進(jìn)行生長(zhǎng)，隨后快速冷卻至室溫；

步驟S400：將步驟(300)中反應(yīng)完的樣品取出，放入刻蝕液中刻蝕，將石英片表面的薄膜刻蝕干凈，最后再用去離子水清洗干凈并使用氣槍吹干，即可獲得大面積無(wú)需轉(zhuǎn)移的高質(zhì)量石墨烯結(jié)構(gòu)；其中，刻蝕液為CuSO₄:HCl:H₂O＝1g:5ml:5ml。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)石墨烯的方法，其特征在于：所述石英片表面所鍍的薄膜為銅膜、鎳膜、金膜、鉑膜、鐵膜及其復(fù)合膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)石墨烯的方法，其特征在于：所述石英片表面所鍍的薄膜的厚度為1～1000nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)石墨烯的方法，其特征在于：采用鍍膜的方式為電子束蒸發(fā)、熱蒸鍍、磁控濺射方法。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)石墨烯的方法，其特征在于：氫氣的濃度為10～60sccm，甲烷的濃度為10～40sccm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或5所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)石墨烯的方法，其特征在于：在管式爐中的退火溫度為700～900℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積生長(zhǎng)石墨烯的方法，其特征在于：退火時(shí)間為1～60min，生長(zhǎng)時(shí)間為10～30min。