技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積生長石墨烯的方法，是一種利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備以甲烷作為前驅(qū)體來制備少層石墨烯的工藝。采用多靶蒸發(fā)薄膜設(shè)備，使用高純度靶材(99.95％)，沉積條件如下：基片溫度為190?210℃；蒸發(fā)壓強(qiáng)為2×10?3Pa，濺射強(qiáng)度為9；將清洗干凈的石英片表面鍍上薄膜。將鍍有薄膜的石英片放入管式爐內(nèi)，通入保護(hù)氣體H2和Ar，快速升溫至600～1000℃，退火處理后通入甲烷作為生長前驅(qū)體，氣體濃度為10～100sccm，進(jìn)行生長，隨后快速冷卻至室溫。將反應(yīng)完的樣品取出，放入刻蝕液中刻蝕，將石英片表面的薄膜刻蝕干凈，即可獲得大面積無需轉(zhuǎn)移的高質(zhì)量石墨烯結(jié)構(gòu)。本發(fā)明大大降低了石墨烯的制備成本，為推進(jìn)石墨烯的工業(yè)應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。

技術(shù)研發(fā)人員：張振宇;郭梁超;杜岳峰;王博;郭東明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：大連理工大學(xué)
文檔號碼：201611140858
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.12
技術(shù)公布日：2017.05.31