域等多區(qū)設(shè)置，氣體輸送板110邊緣區(qū)域的第一氣體擴(kuò)散槽111’和第二氣體擴(kuò)散槽112’的槽的凹陷深度與中心區(qū)域的第一氣體擴(kuò)散槽111’和第二氣體擴(kuò)散槽112’的槽的深度可以設(shè)置為相同或不相同同，位于邊緣區(qū)域內(nèi)的第一氣體出氣通道和第二氣體出氣通道的截面豎直長度與位于中心區(qū)域內(nèi)的第一和第二氣體出氣通道的截面豎直長度相同或不相同。例如，如圖12所示，其中中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的氣體擴(kuò)散槽深度不同，在本實(shí)施例中可以設(shè)置邊緣區(qū)域的第一氣體擴(kuò)散槽111’和第二氣體擴(kuò)散槽112’深度大于中心區(qū)域的第一氣體擴(kuò)散槽111和第二氣體擴(kuò)散槽112，此種設(shè)計(jì)可以按照調(diào)節(jié)反應(yīng)氣體進(jìn)入反應(yīng)區(qū)域的速度，通過增加邊緣區(qū)域的氣體擴(kuò)散槽的深度，降低邊緣區(qū)域的氣體出氣通道的深度，加快反應(yīng)氣體進(jìn)入反應(yīng)區(qū)域的速度，本申請(qǐng)的該種設(shè)計(jì)并不局限于本實(shí)施例所述的邊緣區(qū)域氣體擴(kuò)散槽的深度大于中心區(qū)域氣體擴(kuò)散槽的深度，作為一種可以調(diào)節(jié)氣體出氣速率的方式，可以根據(jù)實(shí)際需要確定中心區(qū)域和邊緣區(qū)域的大小，以及氣體擴(kuò)散槽的深度差。
[0071]本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施方式公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種反應(yīng)氣體輸送裝置，用于化學(xué)氣相沉積或外延層生長反應(yīng)器，其特征在于，包括: 從上往下依次設(shè)置的一頂板、一隔離板和一氣體輸送板，所述頂板與所述隔離板相互間隔而于二者之間形成第一氣體擴(kuò)散區(qū)域，所述隔離板和所述氣體輸送板相互間隔而于二者之間形成第二氣體擴(kuò)散區(qū)域； 所述氣體輸送板為一體形成之板體，其包括一上表面，所述上表面上沿某一水平方向上開設(shè)有相互平行排列的多個(gè)縱長形第一氣體擴(kuò)散槽和多個(gè)縱長形第二氣體擴(kuò)散槽，并且每一所述第一氣體擴(kuò)散槽和每一所述第二氣體擴(kuò)散槽相互間隔排列設(shè)置，所述每一第一氣體擴(kuò)散槽下方還開設(shè)連接有一縱長形第一氣體出氣通道并且二者相連通，所述每一第二氣體擴(kuò)散槽下方還開設(shè)連接有一縱長形第二氣體出氣通道并且二者相連通；所述每一第一氣體擴(kuò)散槽和與之相鄰的每一第二氣體擴(kuò)散槽之間向下延伸設(shè)置有一縱長形的氣體導(dǎo)流條；所述每一縱長形的氣體導(dǎo)流條內(nèi)部設(shè)置有一縱長形的冷卻管道，所述每一縱長形的氣體導(dǎo)流條的下表面設(shè)有具一定弧度的弧形或設(shè)為尖錐形； 所述每一第一氣體擴(kuò)散槽上還進(jìn)一步連接設(shè)置有至少一根與所述第一氣體擴(kuò)散區(qū)域相連通的第一氣體輸送管。2.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述每一縱長形第一氣體出氣通道與所述每一縱長形第二氣體出氣通道相互平行排列，并且相互間隔排列設(shè)置。3.如權(quán)利要求1或2所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述縱長形第一氣體出氣通道為一縱長形的縫隙通道。4.如權(quán)利要求1或2所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述縱長形第二氣體出氣通道為一縱長形的縫隙通道。5.如權(quán)利要求1或2所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述縱長形第一氣體出氣通道包括若干個(gè)孔通道，所述若干個(gè)孔通道整體上構(gòu)成一縱長形的出氣通道。6.如權(quán)利要求1或2所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述縱長形第二氣體出氣通道包括若干個(gè)孔通道，所述若干個(gè)孔通道整體上構(gòu)成一縱長形的出氣通道。7.如權(quán)利要求1或2所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述每一縱長形的氣體導(dǎo)流條位于每一縱長形第一氣體出氣通道和每一縱長形第二氣體出氣通道之間。8.如權(quán)利要求7所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述縱長形的氣體導(dǎo)流條的下表面為向反應(yīng)氣體工藝處理區(qū)域凸出的弧形表面。9.如權(quán)利要求7所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述縱長形的氣體導(dǎo)流條的下表面為向反應(yīng)氣體工藝處理區(qū)域凹陷的弧形表面。10.如權(quán)利要求9所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述向工藝處理區(qū)域凹陷的弧形表面與所述第一氣體出氣通道和第二氣體出氣通道的通道側(cè)面連接處為弧形。11.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述每一縱長形的氣體導(dǎo)流條兩側(cè)分別連接一縱長形的子氣體導(dǎo)流條，所述氣體導(dǎo)流條與所述子氣體導(dǎo)流條相互平行并相互間隔一距離設(shè)置，二者之間形成一子氣體通道，所述子氣體通道與所述第一氣體出氣通道或第二氣體出氣通道在豎直的截面方向上呈一銳角。12.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述第一氣體出氣通道為寬度小于第一氣體擴(kuò)散槽槽寬度的縱長形的縫隙通道或直徑小于第一氣體擴(kuò)散槽槽寬度的若干孔通道；第二氣體出氣通道為寬度小于第二氣體擴(kuò)散槽槽寬度的縱長形的縫隙通道或直徑小于第二氣體擴(kuò)散槽槽寬度的若干孔通道。13.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述氣體輸送裝置至少包括邊緣區(qū)域和中心區(qū)域，位于所述邊緣區(qū)域內(nèi)的第一和第二氣體出氣通道的截面豎直長度與位于所述中心區(qū)域內(nèi)的第一和第二氣體出氣通道的截面豎直長度不相同或相同。14.如權(quán)利要求1所述的反應(yīng)氣體輸送裝置，其特征在于:所述氣體輸送裝置至少包括邊緣區(qū)域和中心區(qū)域，所述邊緣區(qū)域和所述中心區(qū)域的第一氣體擴(kuò)散槽的槽凹陷深度大于所述中心區(qū)域的第一氣體擴(kuò)散槽的槽凹陷深度，所述第二氣體擴(kuò)散槽的槽凹陷深度大于所述中心區(qū)域的第二氣體擴(kuò)散槽的槽凹陷深度。15.一種化學(xué)氣相沉積或外延層生長反應(yīng)器，包括一反應(yīng)腔，所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置一基片承載架，所述基片承載架上方設(shè)置一如權(quán)利要求1至14之任何一項(xiàng)所述的反應(yīng)氣體輸送裝置。16.一種制作氣體輸送裝置的方法，其特征在于:所述方法包括下列步驟: 提供一具有一定厚度的板材用以制作氣體輸送板，該板材具有相對(duì)平行的上表面和下表面； 在所述板材上表面沿某一水平方向開鑿制作相互平行且具有一定深度的縱長形的第一氣體擴(kuò)散槽和縱長形的第二氣體擴(kuò)散槽，所述第一氣體擴(kuò)散槽和所述第二氣體擴(kuò)散槽交替設(shè)置；在所述第一氣體擴(kuò)散槽的槽底開鑿設(shè)置寬度小于第一氣體擴(kuò)散槽槽寬度的縱長形的縫隙通道或直徑小于第一氣體擴(kuò)散槽槽寬度的若干孔通道，所述縫隙通道或所述孔通道構(gòu)成第一氣體出氣通道，在所述第二氣體擴(kuò)散槽的槽底開鑿設(shè)置寬度小于第二氣體擴(kuò)散槽槽寬度的縱長形的縫隙通道或直徑小于第二氣體擴(kuò)散槽槽寬度的若干孔通道，所述縫隙通道或所述孔通道構(gòu)成第二氣體出氣通道；所述每一第一出氣通道和所述每一第二氣體出氣通道之間的板材構(gòu)成縱長形的氣體導(dǎo)流條； 在每一氣體導(dǎo)流條內(nèi)部開鑿設(shè)置縱長形的冷卻通道；設(shè)置氣體導(dǎo)流條的下表面為具有一定弧度的下表面或尖錐形下表面； 在制作完成的氣體輸送板上表面緊密固定一密封板，將所述密封板上對(duì)應(yīng)第二氣體擴(kuò)散槽的區(qū)域挖空設(shè)置，在所述密封板上對(duì)應(yīng)每一第一氣體擴(kuò)散槽的位置設(shè)置至少一輸送管插接口 ； 在所述氣體輸送板上方一定距離設(shè)置一隔離板，所述隔離板和所述氣體輸送板之間形成第二氣體擴(kuò)散區(qū)域，在所述隔離板上對(duì)應(yīng)每一輸送管插接口的位置設(shè)置一小孔，每個(gè)小孔和其對(duì)應(yīng)的輸送管插接口處插入一第一氣體輸送管，所述第一氣體輸送管與所述小孔和所述輸送管插接口連接處密封設(shè)置； 在所述隔離板上方一定距離設(shè)置一頂板，所述頂板與所述隔離板之間形成第一氣體擴(kuò)散區(qū)域。17.如權(quán)利要求16所述的方法,其特征在于:在制作氣體輸送板時(shí),設(shè)置所述氣體輸送板靠近邊緣區(qū)域的第一氣體擴(kuò)散槽和第二氣體擴(kuò)散槽的槽深度大于靠近中心區(qū)域的第一氣體擴(kuò)散槽和第二氣體擴(kuò)散槽的槽深度。18.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于:制作氣體輸送板下表面時(shí)，設(shè)置所述縱長形氣體導(dǎo)流條的下表面為向下凸起的弧形表面或向上凹進(jìn)的弧形表面。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于化學(xué)氣相沉積或外延層生長反應(yīng)器的氣體輸送裝置，包括一隔離板和一氣體輸送板，所述隔離板上方形成第一氣體擴(kuò)散區(qū)域，所述隔離板和所述氣體輸送板之間形成第二氣體擴(kuò)散區(qū)域；所述氣體輸送板上表面交替設(shè)置相互平行的縱長形的第一氣體擴(kuò)散槽和縱長形的第二氣體擴(kuò)散槽，第一氣體擴(kuò)散槽和第二氣體擴(kuò)散槽槽底部分別設(shè)置第一氣體出氣通道和第二氣體出氣通道，分別用于將第一氣體擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)的氣體和第二氣體擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)的氣體輸送到處理區(qū)域內(nèi)；相鄰的第一氣體出氣通道出口和第二氣體出氣通道的出口之間的氣體輸送板下表面為弧形或尖錐形。
【IPC分類】C23C16/455
【公開號(hào)】CN105624645
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410620810
【發(fā)明人】姜銀鑫, 杜志游
【申請(qǐng)人】中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請(qǐng)日】2014年11月6日