SL切斷CF基板11及TFT基板12。在本比較例中，由于在形成帶有垂直裂痕的劃線SL之后將CF基板11及TFT基板12貼合，所以因劃線SL的裂痕意外地在厚度方向上伸展，而易在所想要的時(shí)點(diǎn)之前切斷CF基板11及TFT基板12中的至少任一個(gè)。其結(jié)果，可能會(huì)難以繼續(xù)進(jìn)行LCD面板101 (圖1 (B))的制造步驟。
[0095]與此相對(duì)，根據(jù)本實(shí)施方式，作為規(guī)定切斷CF基板11的位置的線，形成在其正下方不具有裂痕的溝槽線TL(圖8(A))。被用作切斷的直接契機(jī)的裂痕線CL(圖8(B))是在形成溝槽線TL之后形成。由此，形成溝槽線TL后且形成裂痕線CL前的CF基板11要被切斷的位置由溝槽線TL規(guī)定，但由于尚未形成裂痕線CL，因此仍處于不易產(chǎn)生切斷的穩(wěn)定狀態(tài)(無(wú)裂痕狀態(tài))。在該穩(wěn)定狀態(tài)下，在CF基板11的溝槽線TL即規(guī)定切斷CF基板11的位置的線上配置TFT基板12。之后，通過(guò)使裂痕沿著溝槽線TL伸展而形成裂痕線CL，該裂痕線CL被用作切斷的直接契機(jī)。由此也可以在被TFT基板12覆蓋的位置形成裂痕線CL。如上所述，能夠避免在與將CF基板11及TFT基板12貼合相關(guān)的作業(yè)中CF基板11意外地切斷，并且能夠在CF基板11上被TFT基板12覆蓋的部分也設(shè)置線，沿著該線進(jìn)行切斷。
[0096]而且，同樣地，能夠避免在與貼合相關(guān)的作業(yè)中TFT基板12意外地切斷，并且能夠在TFT基板12上被CF基板11覆蓋的部分也設(shè)置線，沿著該線進(jìn)行切斷。
[0097]另外，本實(shí)施方式中的裂痕線CL的形成步驟與以往的所謂分?jǐn)嗖襟E本質(zhì)上不同。分?jǐn)嗖襟E是使已經(jīng)形成的裂痕在厚度方向上進(jìn)一步伸展。另一方面，本實(shí)施方式中的裂痕線CL的形成步驟帶來(lái)從因形成溝槽線TL而獲得的無(wú)裂痕狀態(tài)到具有裂痕的狀態(tài)的變化。認(rèn)為該變化是因釋放無(wú)裂痕狀態(tài)所具有的內(nèi)部應(yīng)力而產(chǎn)生。認(rèn)為形成溝槽線TL時(shí)的塑性變形、及因形成溝槽線TL而產(chǎn)生的內(nèi)部應(yīng)力的大小或方向性等狀態(tài)在使用旋轉(zhuǎn)刀的轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)與像本實(shí)施方式那樣使用刀尖的滑動(dòng)時(shí)不同，在使用刀尖的滑動(dòng)時(shí)，在更廣泛的刻劃條件下易產(chǎn)生裂痕。而且，認(rèn)為釋放內(nèi)部應(yīng)力需要某些契機(jī)，如上所述的因從外部施加應(yīng)力而在溝槽線TL上產(chǎn)生裂痕作為所述契機(jī)發(fā)揮作用。溝槽線TL及裂痕線CL的優(yōu)選的形成方法的詳情在下文中敘述。
[0098](實(shí)施方式2)
[0099]圖15(A)?(E)分別是概略地表示本實(shí)施方式中的液晶顯示面板101 (圖1(A)及(B))的制造方法的第I?第5步驟的剖視圖。圖15㈧?(E)各自的截面是沿著線 XVA-XVA (圖 16)、線 XVB-XVB (圖 17)、線 XVC-XVC (圖 18)、線 XVD-XVD (圖 19)及線XVE-XVE(圖20)。另外，與實(shí)施方式I不同的是在本實(shí)施方式中，TFT基板12對(duì)應(yīng)于第I脆性基板，CF基板11對(duì)應(yīng)于第2脆性基板。而且，內(nèi)表面SF3對(duì)應(yīng)于第I主面，外表面SF4對(duì)應(yīng)于第2主面，內(nèi)表面SFl對(duì)應(yīng)于第3主面，外表面SF2對(duì)應(yīng)于第4主面。
[0100]在本實(shí)施方式中，TFT基板12的溝槽線TL形成于內(nèi)表面SF3上(圖15(A))，且CF基板11的溝槽線TL形成于外表面SF2上(圖15 (B))。由此，TFT基板12的裂痕線CL形成于內(nèi)表面SF3上，且CF基板11的裂痕線CL形成于外表面SF2上(圖15(D))。作為步驟S90(圖2)的分?jǐn)喾椒ū旧砼c實(shí)施方式I的圖9(A)大致相同，但并非在外表面SF2上而是在外表面SF4上施加荷重。
[0101]另外，關(guān)于所述以外的構(gòu)成，由于與所述實(shí)施方式I的構(gòu)成大致相同，因此對(duì)相同或?qū)?yīng)的要素標(biāo)注相同的符號(hào)，并且不重復(fù)其說(shuō)明。
[0102]根據(jù)本實(shí)施方式，也能夠獲得與實(shí)施方式I大致相同的效果。而且，根據(jù)本實(shí)施方式，內(nèi)表面SFl因配置彩色濾光片及黑矩陣等而大多具有復(fù)雜的構(gòu)成，因此可以不在內(nèi)表面SFl而在外表面SF2配置溝槽線TL。由此能夠穩(wěn)定地形成CF基板11的溝槽線TL。
[0103](實(shí)施方式3)
[0104]圖21是概略地表示本實(shí)施方式中的IXD面板101 (圖1⑷及⑶)的制造方法的流程圖。圖22(A)?(E)各自的截面是沿著線XXIIA-XXIIA(圖23)、線XXIIB-XXIIB(圖24)、線 XXIIC-XXIIC(圖 25)、線 XXIID-XXIID(圖 26)及線 XXIIE-XXIIE(圖 27)。
[0105]參照?qǐng)D22(A)及圖23，通過(guò)與實(shí)施方式I相同的步驟Sll?S13(圖21)而準(zhǔn)備形成著溝槽線TL的CF基板11。
[0106]參照?qǐng)D22⑶及圖24，準(zhǔn)備TFT基板12(圖21:步驟S21)。將CF基板11及TFT基板12以CF基板11的內(nèi)表面SFl與TFT基板12的內(nèi)表面SF3對(duì)向的方式相互貼合(圖21:步驟S40)。由此，獲得作為CF基板11及TFT基板12的積層體的單元基板10。形成于CF基板11的溝槽線TL被TFT基板12覆蓋。在本實(shí)施方式中，形成于CF基板11的溝槽線TL被TFT基板12局部地覆蓋。換句話說(shuō)，形成于CF基板11的內(nèi)表面SFl上的溝槽線TL局部地露出。
[0107]參照?qǐng)D22(C)及圖25，接著沿CF基板11的溝槽線TL形成裂痕線CL (圖21:步驟S61) ο
[0108]參照?qǐng)D22⑶及圖26，接著在TFT基板12的外表面SF4上形成劃線SL(圖21:步驟S72)。如上所述，劃線SL包含刻劃時(shí)形成的垂直裂痕的線(裂痕線)。劃線SL是通過(guò)使刀尖沿著最終會(huì)形成該劃線SL的線在TFT基板12的外表面SF4上移位而形成。
[0109]進(jìn)而，參照?qǐng)D22(E)及圖27，作為步驟S90(圖21)，沿著CF基板11的裂痕線CL切斷CF基板11，且沿著TFT基板12的劃線SL切斷TFT基板12。另外，切斷方法與圖9 (A)大致相同。
[0110]再次參照?qǐng)D1 (B)，接著，通過(guò)在CF基板11及TFT基板12之間的間隙內(nèi)注入液晶而形成液晶層20。通過(guò)以上，能夠從一個(gè)單元基板10 (圖22(D))獲得多個(gè)IXD面板101。
[0111]另外，關(guān)于所述以外的構(gòu)成，由于與所述實(shí)施方式I的構(gòu)成大致相同，因此對(duì)相同或?qū)?yīng)的要素標(biāo)注相同的符號(hào)，并且不重復(fù)其說(shuō)明。
[0112]根據(jù)本實(shí)施方式，也能夠獲得與實(shí)施方式I大致相同的效果。
[0113]而且，根據(jù)本實(shí)施方式，在形成著劃線SL的時(shí)點(diǎn)已將CF基板11及TFT基板12相互貼合，進(jìn)而在CF基板11上形成裂痕線CL。由此，即便因劃線SL的垂直裂痕因某些因素伸展而意外地產(chǎn)生沿劃線SL的切斷，通常也無(wú)妨。
[0114]而且，內(nèi)表面SF3因配置TFT等而大多具有復(fù)雜的構(gòu)成，因此TFT基板12的劃線SL不形成在內(nèi)表面SF3而形成在外表面SF4。由此，能夠穩(wěn)定地形成劃線SL。
[0115]參照?qǐng)D28，在本實(shí)施方式的變化例中，變換所述步驟S61及S72(圖21)的順序。圖29及圖30概略地表示步驟S72中形成著劃線SL的時(shí)點(diǎn)的構(gòu)成。
[0116](實(shí)施方式4)
[0117]圖31是概略地表示本實(shí)施方式中的IXD面板101 (圖1⑷及⑶)的制造方法的流程圖。圖32 (A)?(E)各自的截面是沿著線XXXIIA-XXXIIA (圖33)、線XXXIIB-XXXIIB (圖34)、線 XXXIIC-XXXIIC(圖 35)、線 XXXIID_XXXIID(圖 36)及線 XXXIIE_XXXIIE(圖 37)。
[0118]參照?qǐng)D32(A)及圖33，通過(guò)與實(shí)施方式I相同的步驟S21?S23(圖31)，準(zhǔn)備形成著溝槽線TL的TFT基板12。
[0119]參照?qǐng)D32⑶及圖34，準(zhǔn)備CF基板11 (圖31:步驟Sll)。將CF基板11及TFT基板12以CF基板11的內(nèi)表面SFl與TFT基板12的內(nèi)表面SF3對(duì)向的方式相互貼合(圖31:步驟S40)。由此，獲得作為CF基板11及TFT基板12的積層體的單元基板10。形成在TFT基板12上的溝槽線TL被CF基板11覆蓋。在本實(shí)施方式中，形成在TFT基板12上的溝槽線TL被CF基板11局部地覆蓋。換句話說(shuō)，形成在TFT基板12的內(nèi)表面SF3上的溝槽線TL局部地露出。
[0120]參照?qǐng)D32 (C)及圖35，接著沿TFT基板12的溝槽線TL形成裂痕線CL (圖31:步驟 S62)ο
[0121]參照?qǐng)D32⑶及圖36，接著在CF基板11的外表面SF2上形成劃線SL (圖31:步驟S71)。如上所述，劃線SL可利用公知的典型的刻劃技術(shù)形成，具有刻劃時(shí)形成的垂直裂痕的線。
[0122]進(jìn)而，參照?qǐng)D32(E)及圖37，作為步驟S90(圖31)，沿著TFT基板12的裂痕線CL切斷TFT基板12，且沿著CF基板11的劃線SL切斷CF基板11。
[0123]接著，通過(guò)在CF基板11及TFT基板12之間的間隙內(nèi)注入液晶而形成液晶層20 (圖1 (B))。根據(jù)以上，能夠從一個(gè)單元基板10 (圖32⑶)獲得多個(gè)LCD面板101 (圖UB)) ο
[0124]另外，關(guān)于所述以外的構(gòu)成，由于與所述實(shí)施方式2的構(gòu)成大致相同，因此對(duì)相同或?qū)?yīng)的要素標(biāo)注相同的符號(hào)，并且不重復(fù)其說(shuō)明。
[0125]根據(jù)本實(shí)施方式，也能夠獲得與實(shí)施方式I大致相同的效果。
[0126]而且，根據(jù)本實(shí)施方式，在形成著劃線SL的時(shí)點(diǎn)已將CF基板11及TFT基板12相互貼合，進(jìn)而在TFT基板12上形成裂痕線CL。由此，即便劃線SL的垂直裂痕因某些因素伸展而意外地產(chǎn)生沿劃線SL的切斷，通常也無(wú)妨。
[0127]而且，內(nèi)表面SFl因配置彩色濾光片及黑矩陣等而大多具有復(fù)雜的構(gòu)成，因此CF基板11的劃線SL不形成在內(nèi)表面SFl而形成在外表面SF2。由此，能夠穩(wěn)定地形成劃線SL0
[0128]參照?qǐng)D38，在本實(shí)施方式的變化例中，變換所述步驟S62及S71(圖31)的順序。圖39及圖40概略地表示步驟S71中形成著劃線SL的時(shí)點(diǎn)的構(gòu)成。
[0129](實(shí)施方式5)
[0130]圖41是概略地表示本實(shí)施方式中的IXD面板101 (圖1 (A)及(B))的制造方法的流程圖。與實(shí)施方式2?4不同的是在本實(shí)施