方式中，針對CF基板11及TFT基板12中的任一個，規(guī)定要被切斷的位置是劃分為形成溝槽線TL (步驟S13或S23)、及形成劃線SL (步驟S70)來進行。該劃分方法為任意，例如，在平面布局的XY正交坐標(biāo)中，形成沿著X軸的溝槽線TL、及沿著Y軸的劃線SL。另外，也可以變換步驟S60及S70的順序。
[0131]另外，關(guān)于所述以外的構(gòu)成，由于與所述實施方式2?4的構(gòu)成大致相同，因此對相同或?qū)?yīng)的要素標(biāo)注相同的符號，并且不重復(fù)其說明。
[0132](實施方式6)
[0133]以下，對所述各實施方式中的形成溝槽線TL所使用的具有刀尖的切割器具進行說明。
[0134]圖42 (A)及⑶表示刀尖51壓抵于CF基板11的情況。切割器具50具有刀尖51及柄52。刀尖51設(shè)置著頂面SDl(第I面)、及包圍頂面SDl的多個面。這些多個面包含側(cè)面SD2 (第2面)及側(cè)面SD3 (第3面)。頂面SD1、側(cè)面SD2及SD3 (第I?第3面)朝向互不相同的方向，并且相互鄰接。刀尖51具有由頂面SDl、側(cè)面SD2及SD3匯合而成的頂點，由該頂點構(gòu)成刀尖51的突起部PP。而且，側(cè)面SD2及SD3形成構(gòu)成刀尖51的側(cè)部PS的棱線。側(cè)部PS從突起部PP呈線狀延伸。而且，側(cè)部PS由于如上所述為棱線，因此具有呈線狀延伸的凸形狀。
[0135]刀尖51優(yōu)選為金剛石刀頭。也就是說，從能夠減小硬度及表面粗糙度的方面來看，刀尖51優(yōu)選為由金剛石制作。刀尖51更優(yōu)選為由單晶金剛石制作。從晶體學(xué)上來說，進而優(yōu)選為頂面SDl為{001}面，側(cè)面SD2及SD3分別為{111}面。此情況下，側(cè)面SD2及SD3具有不同的朝向，但在晶體學(xué)上，為相互等效的結(jié)晶面。
[0136]另外，也可以使用非單晶的金剛石，例如也可以使用利用CVD(Chemical VaporDeposit1n，化學(xué)氣相沉積)法合成的多晶體金剛石?；蛘?，也可以使用在不含鐵族元素等結(jié)合材料的情況下由微粒石墨或非石墨狀碳燒結(jié)而成的多晶體金剛石、或利用鐵族元素等結(jié)合材料使金剛石粒子結(jié)合而成的燒結(jié)金剛石。
[0137]柄52沿著軸向AX延伸。刀尖51優(yōu)選為以頂面SDl的法線方向大致沿著軸向AX的方式安裝于柄52。
[0138]為了使用切割器具50形成溝槽線TL(圖8(A))，而將刀尖51的突起部PP及側(cè)部PS朝向CF基板11具有的厚度方向DT壓抵于CF基板11的內(nèi)表面SF1。接著，使刀尖51大致沿著側(cè)部PS投影于內(nèi)表面SFl上的方向在內(nèi)表面SFl上滑動。由此，在內(nèi)表面SFl上形成不帶垂直裂痕的槽狀的溝槽線TL。溝槽線TL是因CF基板11的塑性變形而產(chǎn)生，但此時也可以稍微磨削CF基板11。但這種磨削可能會產(chǎn)生細(xì)微的碎片，因此優(yōu)選為盡可能少地磨削。
[0139]有通過使刀尖51滑動而同時形成溝槽線TL及裂痕線CL的情況(圖8(B))、及只形成溝槽線TL的情況(圖8 (A))。裂痕線CL是從溝槽線TL的凹處在厚度方向DT上伸展而成的裂痕，在內(nèi)表面SFl上呈線狀延伸。根據(jù)下述方法，可以在只形成溝槽線TL之后，沿著該溝槽線TL形成裂痕線CL。
[0140]接下來，以下尤其著眼于CF基板11 (本實施方式中的第I脆性基板)的切斷方法進行說明。另外，為了容易理解圖及說明，只對沿一個方向(各俯視圖中為橫向)切斷的情況進行說明，但切斷像實施方式I?5中所說明那樣，可沿多個方向(例如，各俯視圖中為橫向及縱向)進行切斷。而且，對于TFT基板12 (本實施方式中的第2脆性基板)也可以應(yīng)用相同的切斷方法。而且，也可以將TFT基板12作為第I脆性基板，將CF基板11作為第2脆性基板。而且，關(guān)于CF基板11與TFT基板12之間的貼附，與實施方式I?5中所說明的一樣，故省略其圖示。
[0141]參照圖43(A)，CF基板11具有平坦的內(nèi)表面SF1。包圍內(nèi)表面SFl的邊緣包含相互對向的邊m)l(第I邊)及邊ED2(第2邊)。在圖43㈧所示的例中，邊緣為長方形狀。由此，邊EDl及ED2為相互平行的邊。而且，在圖43(A)所示的例中，邊EDl及ED2為長方形的短邊。
[0142]將刀尖51在位置NI壓抵于內(nèi)表面SF1。位置NI的詳情在下文中進行敘述。參照圖42(A)，以如下方式壓抵刀尖51:在CF基板11的內(nèi)表面SFl上將刀尖51的突起部PP配置在邊EDl及側(cè)部PS之間，并且將刀尖51的側(cè)部PS配置在突起部PP與邊ED2之間。
[0143]接著，在內(nèi)表面SFl上形成多條溝槽線TL(圖中為兩條線)。在位置NI (第I位置)及位置N3之間進行溝槽線TL的形成。位置N2(第2位置)位于位置NI及N3之間。由此，溝槽線TL形成在位置NI及N2之間、與位置N2及N3之間。位置NI及N3可位于遠(yuǎn)離CF基板11的內(nèi)表面SFl的邊緣的位置，或者，也可以為位置NI及N3中的一個位置或這兩個位置位于內(nèi)表面SFl的邊緣。為前者時，形成的溝槽線TL遠(yuǎn)離CF基板11的邊緣，為后者時，形成的溝槽線TL與CF基板11的邊緣相接。位置NI及N2中的位置NI更接近邊m)l，而且，位置NI及N2中的位置N2更接近邊ED2。另外，在圖43(A)所示的例子中，位置NI接近邊EDl及ED2中的邊EDI。位置N2接近邊EDl及ED2中的邊ED2，但也可以為位置NI及N2這兩個位置位于邊EDl或ED2的其中一條邊的附近。
[0144]當(dāng)形成溝槽線TL時，在本實施方式中，使刀尖51從位置NI向位置N2移位，進而從位置N2向位置N3移位。也就是說，參照圖42(A)，使刀尖51朝向從邊EDl向邊ED2的方向即方向DA移位。方向DA與將從刀尖51延伸的軸向AX投影于內(nèi)表面SFl上的方向?qū)?yīng)。此情況下，通過柄52將刀尖51在內(nèi)表面SFl上拉拽。
[0145]接著，持續(xù)所期望的時間地維持實施方式I中所說明的無裂痕狀態(tài)(圖8(A))。在此期間，像實施方式I?5中所說明那樣，將CF基板11與TFT基板12(未圖示)貼附。
[0146]參照圖43(B)，在形成溝槽線TL之后，通過使厚度方向DT上的CF基板11的裂痕沿著溝槽線TL從位置N2向位置NI (圖中，參照虛線箭頭)伸展而形成裂痕線CL。通過使輔助線AL及溝槽線TL在位置N2相互交叉而開始形成裂痕線CL。為此，在形成溝槽線TL之后形成輔助線AL。輔助線AL是帶有厚度方向DT上的裂痕的普通劃線。輔助線AL的形成方法并無特別限定，但也可以如圖43(B)所示，將內(nèi)表面SFl的邊緣作為基點而形成。
[0147]另外，與從位置N2向位置NI的方向相比，在從位置N2向位置N3的方向上不易形成裂痕線CL。也就是說，裂痕線CL伸展的容易程度存在方向依存性。由此可能產(chǎn)生如下現(xiàn)象:在位置NI及N2之間形成裂痕線CL，而在位置N2及N3之間未形成裂痕線CL。本實施方式的目的是沿著位置NI及N2間切斷CF基板11，且不以沿著位置N2及N3間分離CF基板11為目的。由此，必須在位置NI及N2間形成裂痕線CL，另一方面，在位置N2及N3間形成裂痕線CL的難度不會成為問題。
[0148]接著，沿著裂痕線CL切斷CF基板11。具體來說，進行分?jǐn)嗖襟E。另外，在形成裂痕線CL時裂痕線CL在厚度方向DT上完全進展的情況下，可同時形成裂痕線CL及切斷CF基板11。此情況下，可省略分?jǐn)嗖襟E。
[0149]根據(jù)以上所述，可進行CF基板11的切斷。
[0150]接下來，以下對所述切斷方法的第I?第3變化例進行說明。
[0151]參照圖44(A)，第I變化例是有關(guān)輔助線AL與溝槽線TL的交叉不足以作為開始形成裂痕線CL(圖43 (B))的契機的情況。參照圖44(B)，通過對CF基板11施加產(chǎn)生彎曲力矩等的外力而使厚度方向DT上的裂痕沿著輔助線AL伸展，結(jié)果將CF基板11分離。由此，開始形成裂痕線CL。另外，在圖44(A)中，輔助線AL形成在CF基板11的內(nèi)表面SFl上，但用于分離CF基板11的輔助線AL也可以形成在CF基板11的外表面SF2上。此情況下，輔助線AL及溝槽線TL在平面布局上在位置N2相互交叉，但并不相互直接接觸。此情況下，與第I實施方式不同的是CF基板11的溝槽線TL的端部無須露出。
[0152]而且，在第I變化例中，通過將CF基板11分離而釋放溝槽線TL附近的內(nèi)部應(yīng)力的應(yīng)變，由此開始形成裂痕線CL。因此，輔助線AL本身也可以為通過對溝槽線TL施加應(yīng)力而形成的裂痕線CL。
[0153]參照圖45，在第2變化例中，將刀尖51在位置N3壓抵于CF基板11的內(nèi)表面SFl。當(dāng)形成溝槽線TL時，在本變化例中，使刀尖51從位置N3向位置N2移位，進而從位置N2向位置NI移位。也就是說，參照圖42，使刀尖51朝向從邊ED2向邊EDl的方向即方向DB移位。方向DB對應(yīng)于與將從刀尖51延伸的軸向AX投影于內(nèi)表面SFl上的方向相反的方向。此情況下，通過柄52將刀尖51在內(nèi)表面SFl上向前推動。
[0154]參照圖46，在第3變化例中，當(dāng)形成溝槽線TL時，刀尖51在位置N2以比在位置NI更大的力壓抵于CF基板11的內(nèi)表面SFl。具體來說，將位置N4設(shè)為位置NI及N2之間的位置，在溝槽線TL的形成到達(dá)位置N4的時點，刀尖51的荷重提高。換句話說，溝槽線TL的荷重在溝槽線TL的終端部即位置N4及N3之間比位置NI提高。由此，能夠減輕終端部以外的荷重，并且易誘發(fā)從位置N2形成裂痕線CL。
[0155]根據(jù)本實施方式，能夠更確實地從溝槽線TL形成裂痕線CL。
[0156]而且，在本實施方式中，與下述實施方式7不同的是在形成著溝槽線TL的時點(圖43 (A))尚未形成輔助線AL。由此，能夠不受來自輔助線AL的影響而更穩(wěn)定地維持無裂痕狀態(tài)。另外，在無裂痕狀態(tài)的穩(wěn)定性不成問題的情況下，也可以不在未形成輔助線AL的圖43(A)的狀態(tài)下而在形成著輔助線AL的圖43(A)的狀態(tài)下維持無裂痕狀態(tài)。
[0157](實施方式7)
[0158]以下，使用圖47?圖49對本實施方式中的液晶顯示面板的制造方法進行說明。
[0159]參照圖47，在本實施方式中，在形成溝槽線TL之前形成輔助線AL。輔助線AL的形成方法本身與圖43 (B)(實施方式6)相同。