mm或5mm。
[0055] 本發(fā)明實(shí)施方式中，細(xì)碎娃料來(lái)源于娃塊切片過(guò)程中產(chǎn)生的碎片，或者是娃料破 碎生產(chǎn)流程產(chǎn)生的細(xì)碎料。
[0056] 本發(fā)明實(shí)施方式中，細(xì)碎娃料為單晶娃或多晶娃。
[0057] 本發(fā)明實(shí)施方式中，細(xì)碎娃料為太陽(yáng)能級(jí)純度。
[0058] 本發(fā)明實(shí)施方式中，巧晶之間的縫隙的寬度為3-15mm。
[0059] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，巧晶之間的縫隙的寬度為10-15mm。
[0060] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，巧晶之間的縫隙的寬度為1 Omm、1 Imm、12mm、13mm、14mm 或15mm。
[0061] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，巧晶之間的縫隙的寬度為3-lOmm。
[0062] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，巧晶之間的縫隙的寬度為3mm、4mm、5mm、6mm、7mm、8mm、 9mm或I0mm。
[0063] 本發(fā)明實(shí)施方式中，巧晶層的厚度為20-30mm。
[0064] 本發(fā)明實(shí)施方式中，巧晶為晶向?yàn)閇10 0 ]、[ 110 ]或[111 ]的單晶娃。
[0065] 本發(fā)明實(shí)施方式中，巧晶與相蝸內(nèi)壁的縫隙也填充有低導(dǎo)熱材料。
[0066] 在巧晶和相蝸內(nèi)壁的縫隙填充低導(dǎo)熱材料對(duì)相蝸內(nèi)壁產(chǎn)生的多晶有抑制作用，同 時(shí)也抑制了巧晶和相蝸內(nèi)壁的縫隙的位錯(cuò)的生長(zhǎng)。
[0067] 本發(fā)明一實(shí)施方式中，在鋪設(shè)巧晶之前，先在相蝸底部鋪設(shè)一層或多層非巧晶層， 非巧晶層的鋪設(shè)方法為:在相蝸底部鋪設(shè)娃塊，相鄰兩個(gè)娃塊之間留有縫隙，在縫隙中填充 低導(dǎo)熱材料;低導(dǎo)熱材料和娃塊緊密接觸鋪滿相蝸底部得到非巧晶層，然后再在非巧晶層 上鋪設(shè)巧晶層，娃塊之間的縫隙與巧晶之間的縫隙在垂直于相蝸底部方向上的位置相同或 相近。
[0068] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，娃塊為單晶娃或多晶娃。
[0069] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，娃塊的形狀規(guī)則。
[0070] 娃塊的尺寸大小不作特殊限定。
[0071] 本發(fā)明實(shí)施方式中，娃塊的長(zhǎng)寬為(120-157.5) X 140mm。
[0072] 本發(fā)明實(shí)施方式中，娃塊的厚度為5-20mm。
[0073] 本發(fā)明實(shí)施方式中，非巧晶層的厚度為10-20mm。
[0074] 本發(fā)明實(shí)施方式中，娃塊之間的縫隙寬度大于巧晶的縫隙寬度，且娃塊的縫隙中 線和巧晶層縫隙中線重合。
[0075] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，娃塊之間的縫隙寬度為巧晶縫隙寬度的4倍或W上。
[0076] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，娃塊之間的縫隙寬度為巧晶縫隙寬度的4倍-10倍。
[0077] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，娃塊之間的縫隙寬度為巧晶之間的縫隙寬度的4倍、5 倍、6倍、7倍、8倍、9倍或10倍。
[0078] 本發(fā)明實(shí)施方式中，非巧晶層中娃塊與相蝸內(nèi)壁的縫隙也填充有低導(dǎo)熱材料。
[0079] 本發(fā)明實(shí)施方式中，非巧晶層可W為一層娃塊層或多層娃塊層，娃塊之間的縫隙 填充有低導(dǎo)熱材料，當(dāng)非巧晶層包括多層娃塊時(shí)，每層娃塊之間的縫隙在垂直于相蝸底部 方向上的位置相同或相近。
[0080] 本發(fā)明實(shí)施方式中，當(dāng)非巧晶層包括多層娃塊時(shí)，相鄰的兩層娃塊中，下層娃塊之 間的縫隙寬度大于上層娃塊之間的縫隙寬度，且下層娃塊之間的縫隙中線和上層娃塊之間 的縫隙中線重合。
[0081] 通過(guò)在巧晶層底部設(shè)置非巧晶層，非巧晶層對(duì)應(yīng)于巧晶之間的縫隙中也填充有低 導(dǎo)熱材料，進(jìn)一步降低了巧晶縫隙處的散熱速度，降低了巧晶處的晶體生長(zhǎng)速度，抑制巧晶 縫隙處的多晶生長(zhǎng)。
[0082] 本發(fā)明另一實(shí)施方式中，相蝸底部設(shè)有承載相蝸的石墨散熱板，石墨散熱板上對(duì) 應(yīng)巧晶之間縫隙的位置設(shè)有凹槽，凹槽中填充有保溫材料。
[0083] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，凹槽的寬度大于或等于巧晶的縫隙寬度。
[0084] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，凹槽寬度為巧晶之間的縫隙寬度的4倍或W上，且凹槽 中線與巧晶之間的縫隙中線重合。
[0085] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，凹槽寬度為巧晶之間的縫隙寬度的4倍、5倍、6倍、7倍、 8倍、9倍或10倍。
[0086] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，凹槽的寬度為巧晶之間縫隙寬度的10倍。
[0087] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，石墨散熱板上對(duì)應(yīng)巧晶與相蝸內(nèi)壁之間縫隙的位置也 設(shè)有凹槽。
[0088] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，凹槽的深度為大于相蝸底的厚度。
[0089] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，凹槽的深度為25-30mm。
[0090] 本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施方式中，凹槽的深度為 25111111、26111111、27111111、28111111、29111111或3〇111111。
[0091 ]本發(fā)明實(shí)施方式中，保溫材料為石墨拉。
[0092]對(duì)應(yīng)于巧晶下方的石墨散熱板為二局石墨(二局是指局純度、局強(qiáng)度和局密度)散 熱良好，巧晶縫隙處對(duì)應(yīng)的為散熱差的石墨拉。
[0093] 本發(fā)明通過(guò)在石墨散熱板中設(shè)置對(duì)應(yīng)于巧晶縫隙的凹槽，凹槽中設(shè)有石墨拉保溫 材料，進(jìn)一步降低了巧晶縫隙處的散熱速度，進(jìn)一步降低了巧晶處的晶體生長(zhǎng)速度，抑制了 多晶的生長(zhǎng)。
[0094] 本發(fā)明巧晶的鋪設(shè)方案也可W為上述兩個(gè)技術(shù)方案的結(jié)合:先在相蝸底部鋪設(shè)一 層非巧晶層，然后在非巧晶層上鋪設(shè)巧晶層;相蝸底部設(shè)有承載相蝸的石墨散熱板，石墨散 熱板上對(duì)應(yīng)非巧晶層娃塊之間縫隙的位置設(shè)有凹槽，凹槽中填充有保溫材料。
[0095] 該實(shí)施方式中，進(jìn)一步降低了巧晶縫隙處的散熱速度，降低了巧晶處的晶體生長(zhǎng) 速度，抑制巧晶縫隙處的多晶生長(zhǎng)。
[0096] 本發(fā)明一實(shí)施方式中，凹槽的寬度大于娃塊之間的縫隙寬度，娃塊之間的縫隙寬 度大于巧晶之間的縫隙寬度。
[0097] 本發(fā)明通過(guò)在相鄰兩個(gè)巧晶之間的縫隙中填充有導(dǎo)熱系數(shù)小于巧晶導(dǎo)熱系數(shù)的 低導(dǎo)熱材料，在引晶過(guò)程中，長(zhǎng)晶最開始階段，單晶巧晶上方的娃烙體形成單晶，巧晶縫隙 上方的娃烙體在低導(dǎo)熱材料上形核，如低導(dǎo)熱材料為有孔狀多晶碎料，形核成細(xì)小多晶，或 為高純石英陶瓷表面涂有高純氮化娃，屬于異質(zhì)形核，形成晶粒大的多晶，得到的都是多 晶。由于在巧晶縫隙引入了多晶，運(yùn)樣就避免了雜質(zhì)或者娃烙體進(jìn)入巧晶縫隙，避免了雜質(zhì) 或娃烙體進(jìn)入巧晶縫隙會(huì)產(chǎn)生雜質(zhì)應(yīng)力或生長(zhǎng)應(yīng)力，減少了巧晶縫隙中位錯(cuò)的產(chǎn)生。另外， 在長(zhǎng)晶過(guò)程中，巧晶縫隙處散熱較慢，巧晶處的晶體生長(zhǎng)速度大于縫隙處的晶體生長(zhǎng)速度， 抑制了縫隙處多晶的生長(zhǎng)，最終該縫隙處的多晶被單晶擠掉，形成單晶晶界。
[0098] 本發(fā)明第二方面提供了一種類單晶娃錠的制備方法，包括W下步驟：
[0099] (1)提供相蝸，在相蝸底部鋪設(shè)巧晶，相鄰兩個(gè)巧晶之間留有縫隙，在縫隙中填充 導(dǎo)熱系數(shù)小于巧晶導(dǎo)熱系數(shù)的低導(dǎo)熱材料;低導(dǎo)熱材料和巧晶緊密接觸鋪滿相蝸底部得到 半子晶層；
[0100] (2)在巧晶層上方填裝娃料，加熱使娃料烙化形成娃烙體，待娃料完全烙化后形成 的固液界面剛好處在或深入巧晶層時(shí)，調(diào)節(jié)熱場(chǎng)形成過(guò)冷狀態(tài)，使娃烙體在巧晶層基礎(chǔ)上 開始長(zhǎng)晶；
[0101] (3)待全部娃烙體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶娃錠。
[0102] 本發(fā)明實(shí)施方式中，類單晶娃錠的少子壽命不少于祉S。
[0103] 本發(fā)明實(shí)施方式中，類單晶娃錠的位錯(cuò)密度小于1.5 X lO^cm2。
[0104] 本發(fā)明實(shí)施方式中，相蝸的內(nèi)壁涂覆有氮化娃涂層。
[0105] 本發(fā)明第二方面提供的一種類單晶娃錠的制備方法，通過(guò)在相鄰兩個(gè)巧晶之間的 縫隙中填充有導(dǎo)熱系數(shù)小于巧晶導(dǎo)熱系數(shù)的低導(dǎo)熱材料，制得的類單晶娃錠單晶率較高， 位錯(cuò)較少。
[0106] 本發(fā)明第=方面提供了一種類單晶娃片，類單晶娃片為按照上述的制備方法制得 的類單晶娃錠為原料經(jīng)開方-切片-清洗制備得到。
[0107] 本發(fā)明第=方面提供的一種類單晶娃片，位錯(cuò)較少，少子壽命較高，性能較好。本 發(fā)明提供的類單娃片類單晶一級(jí)片比例達(dá)到70% W上;利用本發(fā)明類單晶娃片制得的太陽(yáng) 能電池片的轉(zhuǎn)換效率比普通的類單晶娃片制得的電池效率提高0.2% W上。
[010引實(shí)施例1:
[0109] -種巧晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造類單晶，包括W下步驟：
[0110] 提供內(nèi)徑寬為796mm的相蝸，按照5X5的方式在相蝸底部鋪設(shè)長(zhǎng)方體巧晶，巧晶的 長(zhǎng)寬為152 X 152mm，巧晶的厚度為20mm，相鄰兩個(gè)巧晶之間留有4mm寬的縫隙，在縫隙中填 充導(dǎo)熱系數(shù)小于巧晶導(dǎo)熱系數(shù)的石英陶瓷條;石英陶瓷條為長(zhǎng)寬為152X4mm和156X4mm， 厚度為20m的長(zhǎng)方體，相蝸內(nèi)壁和巧晶之間的縫隙也填充有四條石英陶瓷條，每條石英陶瓷 條的寬度為10mm，長(zhǎng)度和相蝸內(nèi)徑相適應(yīng)，厚度為20mm。石英陶瓷條表面均涂覆有氮化娃涂 層，石英陶瓷條和巧晶緊密接觸鋪滿相蝸底部得到巧晶層