，巧晶位置處的散熱速度較快。圖11為本發(fā)明實(shí)施例7的晶體生 長示意圖；從圖11中可W看出，巧晶之間的縫隙填充有低導(dǎo)熱材料5,石墨散熱板6上對應(yīng)巧 晶縫隙的位置設(shè)有凹槽7,在晶體生產(chǎn)過程中，晶體的生長界面為波浪形，晶體優(yōu)先W單晶 巧晶4生長方向生長，從而把巧晶縫隙中的多晶體擠掉。最后都生長成了單晶體，并最終W 單晶體生長完成。
[0147]將類單晶娃錠依次經(jīng)過切片和清洗制備得到類單晶娃片。本發(fā)明實(shí)施例制得的類 單晶娃片的位錯(cuò)較少，少子壽命高，類單晶一級片的比率達(dá)到70% W上;利用本發(fā)明類單晶 娃片制得的太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率比普通的類單晶娃片制得的電池效率提高0.2% W 上。
[014引實(shí)施例8:
[0149] -種類單晶娃錠的制備方法，包括W下步驟：
[0150] (1)按照實(shí)施例3的方法鋪設(shè)巧晶，
[0151] (2)在巧晶層上方填裝娃料，加熱使娃料烙化形成娃烙體，待娃料完全烙化后形成 的固液界面剛好處在或深入巧晶層時(shí)，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使娃烙體在巧晶層基礎(chǔ)上 開始長晶；
[0152] (3)待全部娃烙體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶娃錠。
[0153] 圖12為本發(fā)明實(shí)施例8的晶體生長示意圖；先在相蝸底部鋪設(shè)非巧晶層100,然后 再在非巧晶層100上設(shè)置巧晶層200,非巧晶層100娃塊之間的縫隙寬度大于巧晶層200巧晶 的縫隙寬度，且娃塊之間的縫隙中線和巧晶之間的縫隙中線重合。長晶過程中，巧晶縫隙開 始為多晶引晶，W減少位錯(cuò)產(chǎn)生，并由于巧晶縫隙下方散熱較慢，使得多晶在生長過程中被 單晶擠掉，形成單晶晶界。圖13為本發(fā)明實(shí)施例8制得的類單晶娃錠的少子壽命測試圖。從 圖13中可W看出，制得的類單晶娃錠的位錯(cuò)較少，少子壽命高。
[0154] 將類單晶娃錠依次經(jīng)過切片和清洗制備得到類單晶娃片。本發(fā)明實(shí)施例制得的類 單晶娃片的位錯(cuò)較少，少子壽命高，類單晶一級片的比率達(dá)到70% W上;利用本發(fā)明類單晶 娃片制得的太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率比普通的類單晶娃片制得的電池效率提高0.2% W 上。
[0155] 實(shí)施例9:
[0156] -種類單晶娃錠的制備方法，包括W下步驟：
[0157] (1)按照實(shí)施例4的方法鋪設(shè)巧晶，
[0158] (2)在巧晶層上方填裝娃料，加熱使娃料烙化形成娃烙體，待娃料完全烙化后形成 的固液界面剛好處在或深入巧晶層時(shí)，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使娃烙體在巧晶層基礎(chǔ)上 開始長晶；
[0159] (3)待全部娃烙體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶娃錠。
[0160] 將類單晶娃錠依次經(jīng)過切片和清洗制備得到類單晶娃片。本發(fā)明實(shí)施例制得的類 單晶娃片的位錯(cuò)較少，少子壽命高，類單晶一級片的比率達(dá)到70% W上;利用本發(fā)明類單晶 娃片制得的太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率比普通的類單晶娃片制得的電池效率提高0.2% W 上。
[0161] 實(shí)施例10:
[0162] -種類單晶娃錠的制備方法，包括W下步驟：
[0163] (I)按照實(shí)施例5的方法鋪設(shè)巧晶，
[0164] (2)在巧晶層上方填裝娃料，加熱使娃料烙化形成娃烙體，待娃料完全烙化后形成 的固液界面剛好處在或深入巧晶層時(shí)，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使娃烙體在巧晶層基礎(chǔ)上 開始長晶；
[0165] (3)待全部娃烙體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶娃錠。
[0166] 將類單晶娃錠依次經(jīng)過切片和清洗制備得到類單晶娃片。本發(fā)明實(shí)施例制得的類 單晶娃片的位錯(cuò)較少，少子壽命高，類單晶一級片的比率達(dá)到70% W上;利用本發(fā)明類單晶 娃片制得的太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率比普通的類單晶娃片制得的電池效率提高0.2% W 上。
[0167] 對比實(shí)施例
[0168] 為了驗(yàn)證本發(fā)明的有益效果，提供對比試驗(yàn)如下。
[0169] 對比試驗(yàn)1:對比試驗(yàn)1在相蝸底部按照【背景技術(shù)】的方法鋪設(shè)一層巧晶層，巧晶與 巧晶之間緊密接觸，巧晶之間的縫隙不填充任何材料，在巧晶上方填裝娃料，制備類單晶娃 錠。
[0170] 對比試驗(yàn)2:對比試驗(yàn)1在相蝸底部按照【背景技術(shù)】的方法鋪設(shè)一層巧晶層，巧晶與 巧晶之間緊密接觸，巧晶之間的縫隙不填充任何材料，在巧晶上方填裝娃料。同時(shí)相蝸底部 的石墨散熱板對應(yīng)巧晶縫隙的位置設(shè)有凹槽，凹槽中填充有石墨拉保溫材料，凹槽的其他 參數(shù)同實(shí)施例2,制備類單晶娃錠。
[0171] 將對比試驗(yàn)1、對比試驗(yàn)2和實(shí)施例6-10制得的類單晶娃錠的性能進(jìn)行對比，對比 結(jié)果如下表1所示：
[0172] 表1
[0174] 注:類單晶一級片是指單晶比例大于90%的娃片。
[0175] 從表1中可W看出，和對比試驗(yàn)IW及對比試驗(yàn)2相比，本發(fā)明實(shí)施例6-10制得的類 單晶娃錠少子壽命更高，位錯(cuò)密度更低，類單晶一級片比率更高，類單晶娃片制得的太陽能 電池片的轉(zhuǎn)換效率也更高，表明本發(fā)明實(shí)施例通過在巧晶之間的縫隙中填充導(dǎo)熱系數(shù)小于 巧晶導(dǎo)熱系數(shù)的低導(dǎo)熱材料，可W抑制多晶的生長，同時(shí)可W減少巧晶縫隙中位錯(cuò)的產(chǎn)生。
[0176] W上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并 不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員 來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可W做出若干變形和改進(jìn)，運(yùn)些都屬于本發(fā)明的保 護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)W所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種籽晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造類單晶，其特征在于，包括以下步驟： 提供坩堝，在所述坩堝底部鋪設(shè)籽晶，相鄰兩個(gè)所述籽晶之間留有縫隙，在所述縫隙中 填充導(dǎo)熱系數(shù)小于所述籽晶導(dǎo)熱系數(shù)的低導(dǎo)熱材料;所述低導(dǎo)熱材料和所述籽晶緊密接觸 鋪滿所述坩堝底部得到籽晶層。2. 如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述低導(dǎo)熱材料的導(dǎo)熱系數(shù)小于 0.2ff/(m · K)〇3. 如權(quán)利要求2所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述低導(dǎo)熱材料為細(xì)碎硅料或石 英陶瓷。4. 如權(quán)利要求3所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述細(xì)碎硅料為碎片狀或顆粒 狀，所述細(xì)碎硅料的粒徑大小為〇. 2-5_。5. 如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述縫隙的寬度為3-15_。6. 如權(quán)利要求1所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，在鋪設(shè)所述籽晶之前，先在所述 坩堝底部鋪設(shè)一層或多層非籽晶層，所述非籽晶層的鋪設(shè)方法為:在所述坩堝底部鋪設(shè)硅 塊，相鄰兩個(gè)所述硅塊之間留有縫隙，在所述縫隙中填充所述低導(dǎo)熱材料;所述低導(dǎo)熱材料 和所述硅塊緊密接觸鋪滿所述坩堝底部得到非籽晶層，然后再在所述非籽晶層上鋪設(shè)所述 籽晶層，所述硅塊之間的縫隙與所述籽晶之間的縫隙在垂直于所述坩堝底部方向上的位置 相同或相近。7. 如權(quán)利要求1或6所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述坩堝底部設(shè)有承載所述 坩堝的石墨散熱板，所述石墨散熱板上對應(yīng)所述籽晶之間縫隙的位置設(shè)有凹槽，所述凹槽 中填充有保溫材料。8. 如權(quán)利要求7所述的籽晶的鋪設(shè)方法，其特征在于，所述凹槽的寬度大于所述籽晶之 間的縫隙寬度。9. 一種類單晶硅錠的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： (1) 提供坩堝，在所述坩堝底部鋪設(shè)籽晶，相鄰兩個(gè)所述籽晶之間留有縫隙，在所述縫 隙中填充導(dǎo)熱系數(shù)小于所述籽晶導(dǎo)熱系數(shù)的低導(dǎo)熱材料;所述低導(dǎo)熱材料和所述籽晶緊密 接觸鋪滿所述坩堝底部得到籽晶層； (2) 在所述籽晶層上方填裝硅料，加熱使所述硅料熔化形成硅熔體，待所述硅料完全熔 化后形成的固液界面剛好處在或深入所述籽晶層時(shí)，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使所述硅熔 體在所述籽晶層基礎(chǔ)上開始長晶； (3) 待全部硅熔體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶硅錠。10. -種類單晶硅片，其特征在于，所述類單晶硅片是以權(quán)利要求9所述制備方法制得 的類單晶硅錠為原料經(jīng)開方-切片-清洗制備得到。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種籽晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造類單晶，包括以下步驟：提供坩堝，在坩堝底部鋪設(shè)籽晶，相鄰兩個(gè)籽晶之間留有縫隙，在縫隙中填充導(dǎo)熱系數(shù)小于籽晶導(dǎo)熱系數(shù)的低導(dǎo)熱材料；低導(dǎo)熱材料和籽晶緊密接觸鋪滿坩堝底部得到籽晶層。通過在相鄰兩個(gè)籽晶之間的縫隙中填充有導(dǎo)熱系數(shù)小于籽晶導(dǎo)熱系數(shù)的低導(dǎo)熱材料，籽晶縫隙中填充有低導(dǎo)熱材料，長晶開始時(shí)，硅熔體在低導(dǎo)熱材料上進(jìn)行多晶引晶，避免了雜質(zhì)或者硅熔體進(jìn)入籽晶縫隙，減少了籽晶縫隙中位錯(cuò)產(chǎn)生。另外，在長晶過程中，籽晶處的晶體生長速度大于縫隙處的晶體生長速度，抑制了縫隙處多晶的生長，該縫隙處的多晶被單晶擠掉，形成單晶晶界。本發(fā)明還提供了一種類單晶硅片及其制備方法。
【IPC分類】C30B29/06, C30B15/36
【公開號(hào)】CN105603521
【申請?zhí)枴緾N201610076887
【發(fā)明人】何亮, 周成, 胡動(dòng)力, 雷琦, 陳紅榮
【申請人】江西賽維Ldk太陽能高科技有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2016年2月3日