。
[0111] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例1的巧晶鋪設(shè)的俯視圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例1的巧晶鋪設(shè)的側(cè) 視圖；從圖4和圖5中可W看出，相鄰兩個(gè)巧晶4之間W及巧晶與相蝸內(nèi)壁之間留有縫隙，石 英陶瓷條5填充在縫隙中，石英陶瓷條5和巧晶4緊密接觸鋪滿相蝸底部得到巧晶層。
[0112] 實(shí)施例2:
[0113] -種巧晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造類單晶，包括W下步驟：
[0114] 提供內(nèi)徑寬為796mm的相蝸，按照5X5的方式在相蝸底部鋪設(shè)長方體巧晶，巧晶的 長寬為152 X 152mm，巧晶的厚度為20mm，相鄰兩個(gè)巧晶之間留有4mm寬的縫隙，在縫隙中填 充導(dǎo)熱系數(shù)小于巧晶導(dǎo)熱系數(shù)的石英陶瓷條;石英陶瓷條為長寬為152X4mm和156X4mm， 厚度為20mm的長方體，相蝸內(nèi)壁和巧晶之間的縫隙也填充有四條石英陶瓷條，每條石英陶 瓷條為IOmm寬度，長度和相蝸內(nèi)徑相適應(yīng)，厚度為20mm。石英陶瓷條表面均涂覆有氮化娃涂 層，石英陶瓷條和巧晶緊密接觸鋪滿相蝸底部得到巧晶層；
[0115] 相蝸底部設(shè)有承載相蝸的石墨散熱板，石墨散熱板上對應(yīng)巧晶縫隙的位置W及巧 晶與相蝸內(nèi)壁的縫隙設(shè)有凹槽，凹槽的寬為40mm、深為25mm，凹槽中填充有石墨拉保溫材 料。凹槽的寬度大于巧晶的縫隙寬度，且凹槽中線與巧晶的縫隙中線重合。
[0116] 圖6為本發(fā)明實(shí)施例2的石墨散熱板上的凹槽俯視示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例2的 巧晶鋪設(shè)的側(cè)視圖。從圖6和圖7中可W看出，石墨散熱板6上設(shè)有凹槽7,凹槽7中填充有石 墨拉保溫材料，凹槽7的寬度大于巧晶4的縫隙寬度，且凹槽7中線與巧晶4的縫隙中線重合。
[0117] 實(shí)施例3:
[0118] -種巧晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造類單晶，包括W下步驟：
[0119] 在內(nèi)徑寬為796mm的相蝸底部按照5X5的方式鋪設(shè)長方體單晶娃塊，25個(gè)娃塊的 長、寬、厚度分別為140X 140 X20mm，相鄰兩個(gè)娃塊之間W及娃塊與相蝸壁之間留有縫隙， 縫隙的寬度為16mm，在縫隙中填充陶瓷石英條，石英陶瓷條為長、寬、厚度為156X16X20mm 或140X16X20mm的長方體，石英陶瓷條表面均涂覆有氮化娃涂層，石英陶瓷條和娃塊緊密 接觸鋪滿相蝸底部得到非巧晶層；
[0120] 然后再在非巧晶層上按照5X5的方式鋪設(shè)巧晶，中間9個(gè)巧晶長、寬、厚度分別為 153 X 153 X 20mm，靠相蝸壁的巧晶的長、寬、厚度分別為162.5 X 153 X 20mm，靠相蝸角的巧 晶的長、寬、厚度分別為162.5 X 162.5 X 20mm，巧晶之間的縫隙寬度為3mm，在巧晶之間的縫 隙中填充細(xì)碎娃料，顆粒大小范圍為〇.2-3mm，娃塊之間的縫隙寬度大于巧晶的縫隙寬度， 且娃塊之間的縫隙中線和巧晶之間的縫隙中線重合。
[0121] 圖8為本發(fā)明實(shí)施例3的巧晶鋪設(shè)的俯視圖，圖9為本發(fā)明實(shí)施例3的巧晶鋪設(shè)方法 的側(cè)視圖。從圖8和圖9中可W看出，圖8a為非巧晶層100的鋪設(shè)俯視圖，娃塊8之間W及娃塊 與相蝸內(nèi)壁之間留有縫隙，縫隙中填充有陶瓷石英條9,圖8b為巧晶層200的鋪設(shè)俯視圖，圖 中虛線框中為中間的9塊巧晶，靠相蝸壁的巧晶用101表示，靠相蝸角的巧晶用102表示，巧 晶10之間留有縫隙，縫隙中填充有細(xì)碎娃料11。從圖9中可W看出，先在相蝸底部鋪設(shè)非巧 晶層100,然后再在非巧晶層100上設(shè)置巧晶層200,非巧晶層100娃塊之間的縫隙寬度大于 巧晶層200巧晶的縫隙寬度，且娃塊之間的縫隙中線和巧晶之間的縫隙中線重合。
[0122] 實(shí)施例4:
[0123] -種巧晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造類單晶，包括W下步驟：
[0124] 在內(nèi)徑寬為796mm的相蝸底部按照5X5的方式鋪設(shè)長方體單晶娃塊，25個(gè)娃塊的 長、寬、厚度分別為140X 140 X20mm，相鄰兩個(gè)娃塊之間W及娃塊與相蝸壁之間留有縫隙， 縫隙的寬度為16mm，在縫隙中填充陶瓷石英條，石英陶瓷條為長、寬、厚度為156X16X20mm 或140 X 16 X 20的長方體，石英陶瓷條表面均涂覆有氮化娃涂層，石英陶瓷條和娃塊緊密接 觸鋪滿相蝸底部得到非巧晶層；
[0125] 然后再在非巧晶層上鋪設(shè)巧晶，中間的9個(gè)巧晶長、寬、厚度分別為153 X 153 X 20mm，靠相蝸壁的巧晶的長、寬、厚度分別為162.5 X 153 X 20mm，靠相蝸的角的巧晶的長、 寬、厚度分別為162.5 X 162.5 X 20mm，巧晶之間的縫隙寬度為3mm，在巧晶之間的縫隙中填 充細(xì)碎娃料，顆粒大小范圍為〇.2-3mm，娃塊之間的縫隙寬度大于巧晶的縫隙寬度，且娃塊 之間的縫隙中線和巧晶之間的縫隙中線重合；
[0126] 相蝸底部設(shè)有承載相蝸的石墨散熱板，石墨散熱板上對應(yīng)非巧晶層娃塊之間的縫 隙的位置設(shè)有凹槽，凹槽的寬為40mm、深為25mm，凹槽中填充有石墨拉保溫材料。凹槽的寬 度大于娃塊之間的縫隙寬度，且凹槽中線與非巧晶層娃塊之間的縫隙中線重合。
[0127] 實(shí)施例5:
[0128] -種巧晶的鋪設(shè)方法，用于鑄造類單晶，包括W下步驟：
[0129] 在內(nèi)徑寬為796mm的相蝸底部按照5X5的方式鋪設(shè)一層長方體單晶娃塊，中間的9 個(gè)娃塊的長、寬、厚度分別為120 X 120 X 20mm，靠相蝸壁的娃塊的長、寬、厚度分別為146 X 120 X 20mm，靠相蝸角的娃塊的長、寬、厚度分別為146 X 146 X 20mm，相鄰兩個(gè)娃塊之間留有 縫隙，縫隙的寬度為36mm，在縫隙中填充細(xì)碎娃料，顆粒大小范圍為0.2-3mm，細(xì)碎娃料和娃 塊緊密接觸鋪滿相蝸底部得到第一娃塊層；
[0130] 在第一娃塊層上按照5X5的方式鋪設(shè)一層長方體單晶娃塊，中間9塊娃塊的長、 寬、厚度分別為128 X 128 X 20mm，靠相蝸壁的娃塊的長、寬、厚度分別為150 X 128 X 20mm，靠 相蝸角的娃塊的長、寬、厚度分別為150X150X20mm，相鄰兩個(gè)娃塊之間留有縫隙，縫隙的 寬度為28mm，在縫隙中填充細(xì)碎娃料，顆粒大小范圍為0.2-3mm，細(xì)碎娃料和娃塊緊密接觸 鋪滿相蝸底部得到第二娃塊層；
[0131] 然后在第二娃塊層上按照5X5的方式鋪設(shè)再鋪設(shè)一層長方體單晶娃塊，中間的9 個(gè)娃塊的長、寬、厚度分別為136 X 136 X 20mm，靠相蝸壁的娃塊的長、寬、厚度分別為154 X 136 X 20mm，靠相蝸角的娃塊的長、寬、厚度分別為154 X 154 X 20mm，相鄰兩個(gè)娃塊之間留有 縫隙，縫隙的寬度為20mm，得到第=娃塊層；
[0132] 第一娃塊層、第二娃塊層和第=娃塊層構(gòu)成非巧晶層；
[0133] 然后再在非巧晶層上按照5X5的方式鋪設(shè)巧晶，中間的9個(gè)巧晶長、寬、厚度分別 為153 X 153 X 20mm，靠相蝸壁的巧晶的長、寬、厚度分別為162.5 X 153 X 20mm，靠相蝸的角 的巧晶的長、寬、厚度分別為162.5 X 162.5 X 20mm，巧晶之間的縫隙寬度為3mm，在巧晶之間 的縫隙中填充細(xì)碎娃料，顆粒大小范圍為〇.2-3mm，娃塊之間的縫隙寬度大于巧晶的縫隙寬 度，且娃塊之間的縫隙中線和巧晶之間的縫隙中線重合；
[0134] 相蝸底部設(shè)有承載相蝸的石墨散熱板，石墨散熱板上對應(yīng)非巧晶層娃塊之間的縫 隙的位置設(shè)有凹槽，凹槽的寬為40mm、深為25mm，凹槽中填充有石墨拉保溫材料。凹槽的寬 度大于娃塊之間的縫隙寬度，且凹槽中線與非巧晶層娃塊之間的縫隙中線重合。
[0135] 實(shí)施例6:
[0136] -種類單晶娃錠的制備方法，包括W下步驟：
[0137] (1)按照實(shí)施例1的方法鋪設(shè)巧晶，
[0138] (2)在巧晶層上方填裝娃料，加熱使娃料烙化形成娃烙體，待娃料完全烙化后形成 的固液界面剛好處在或深入巧晶層時(shí)，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使娃烙體在巧晶層基礎(chǔ)上 開始長晶；
[0139] (3)待全部娃烙體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶娃錠。
[0140] 將類單晶娃錠依次經(jīng)過切片和清洗制備得到類單晶娃片。本發(fā)明實(shí)施例制得的類 單晶娃片的位錯(cuò)較少，少子壽命高，類單晶一級片的比率達(dá)到70% W上，位錯(cuò)少;利用本發(fā) 明類單晶娃片制得的太陽能電池片的轉(zhuǎn)換效率比普通的類單晶娃片制得的電池效率提高 0.2%W 上。
[0141] 實(shí)施例7:
[0142] -種類單晶娃錠的制備方法，包括W下步驟：
[0143] (1)按照實(shí)施例2的方法鋪設(shè)巧晶，
[0144] (2)在巧晶層上方填裝娃料，加熱使娃料烙化形成娃烙體，待娃料完全烙化后形成 的固液界面剛好處在或深入巧晶層時(shí)，調(diào)節(jié)熱場形成過冷狀態(tài)，使娃烙體在巧晶層基礎(chǔ)上 開始長晶；
[0145] (3)待全部娃烙體結(jié)晶完后，經(jīng)退火冷卻得到類單晶娃錠。
[0146] 圖10為本發(fā)明實(shí)施例7的鑄錠爐的熱場模擬示意圖；從圖10中可W看出，在長晶過 程中，巧晶縫隙處散熱較慢