1.一種電子設(shè)備用導(dǎo)熱性發(fā)泡體片，其是具有硅樹脂A、導(dǎo)熱體粒子B和氣泡的發(fā)泡體片，所述導(dǎo)熱體粒子B分散在所述硅樹脂A中，
相對(duì)于100質(zhì)量份所述硅樹脂A，導(dǎo)熱體粒子B的含量為100～400質(zhì)量份，
該發(fā)泡體片的25％壓縮強(qiáng)度為200kPa以下，厚度為0.8mm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備用導(dǎo)熱性發(fā)泡體片，其50％壓縮強(qiáng)度為200kPa以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子設(shè)備用導(dǎo)熱性發(fā)泡體片，所述導(dǎo)熱體粒子B的平均粒徑為50μm以下，熱導(dǎo)率為8W/(m·K)以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的電子設(shè)備用導(dǎo)熱性發(fā)泡體片，所述導(dǎo)熱體粒子B是選自氧化鋁、氧化鎂、氮化硼、滑石和氮化鋁中的至少1種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的電子設(shè)備用導(dǎo)熱性發(fā)泡體片，其熱導(dǎo)率為0.1～10W/(m·K)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的電子設(shè)備用導(dǎo)熱性發(fā)泡體片，其發(fā)泡倍率為1.5～5倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的電子設(shè)備用導(dǎo)熱性發(fā)泡體片，所述氣泡是通過(guò)由物理發(fā)泡劑引起的發(fā)泡、利用機(jī)械發(fā)泡法混入的氣體、或者這兩者而形成的。
8.一種制造方法，是權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的電子設(shè)備用導(dǎo)熱性發(fā)泡體片的制造方法，所述制造方法通過(guò)在含有固化性硅樹脂組合物和導(dǎo)熱性粒子B的發(fā)泡體組合物中形成氣泡，并且將所述固化性硅樹脂組合物固化，從而獲得發(fā)泡體片。