電路基板材料在真空度1500Pa以下進(jìn)一步進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的脫氣。
[0245] 此外，脫氣工序還可以作為預(yù)熱工序在熱壓接工序之前進(jìn)行。此時(shí)，預(yù)熱工序可以 在例如真空度1500Pa以下的真空下、加熱溫度50 °C~150 °C的范圍內(nèi)進(jìn)行。預(yù)熱工序中的加 熱溫度優(yōu)選60~120°C左右、更優(yōu)選70~110°C。
[0246] 通過進(jìn)行這樣的預(yù)熱工序，即使是未經(jīng)過脫氣工序的膜，也能夠使存在于液晶聚 合物膜的表面和/或其中的空氣、水分以一定程度釋放出來，其結(jié)果是，即使在不使用粘接 劑的情況下也能夠提高液晶聚合物膜和其被粘物的層間粘接性。
[0247] 預(yù)熱工序可以在真空度1500Pa以下的真空下進(jìn)行，優(yōu)選在1300Pa以下、更優(yōu)選在 llOOPa以下進(jìn)行。
[0248] 此外，預(yù)熱工序中，可以在不損害發(fā)明的效果的范圍內(nèi)施加壓力，例如施加 0.8MPa 以下、更優(yōu)選〇. 6MPa以下左右，優(yōu)選盡量不加壓。
[0249] 此外，預(yù)熱工序可以進(jìn)行例如30~120分鐘左右，可以優(yōu)選進(jìn)行40~100分鐘左右、 更優(yōu)選45~75分鐘左右。
[0250] 例如，將第一脫氣工序和第2脫氣工序組合時(shí)，可以按照下述方式進(jìn)行脫氣工序。
[0251] (第一脫氣工序:加熱脫氣工序）
[0252] 為了防止在層疊電路基板時(shí)或此后的工序中從電路基材和粘接性材料用液晶聚 合物膜、及導(dǎo)體層的金屬層產(chǎn)生脫氣，預(yù)先將單元電路基板和粘接性材料用液晶聚合物膜 在例如大氣壓下(或常壓下)加熱，從而進(jìn)行脫氣。
[0253] 關(guān)于加熱溫度，可以在100~200 °C的范圍內(nèi)進(jìn)行、優(yōu)選在110~190 °C的范圍內(nèi)進(jìn) 行。此外，加熱時(shí)間可以根據(jù)加熱溫度適當(dāng)調(diào)節(jié)，可以為例如30分鐘~4小時(shí)、優(yōu)選1小時(shí)~3 小時(shí)。
[0254] 此外，加熱脫氣可以在不含真空度1500Pa以下的條件下進(jìn)行，例如，可以在不調(diào)整 壓力的大氣壓下（或常壓下)進(jìn)行，根據(jù)需要，也可以在由大氣壓減壓的條件下（例如，超過 1500Pa且小于lOOOOOPa、優(yōu)選3000~50000Pa左右）下進(jìn)行加熱。
[0255] 需要說明的是，為了防止導(dǎo)體(銅箱等）的氧化，第一脫氣工序優(yōu)選在氮?dú)獾炔换?潑氣體氣氛下進(jìn)行加熱?；蛘?，也可以在導(dǎo)體表面形成有耐氧化性皮膜(例如，耐氧化性合 金層、耐氧化性鍍覆層、苯并三唑類等的防銹劑層等)的狀態(tài)下進(jìn)行。
[0256] (第二脫氣工序:脫氣強(qiáng)化工序）
[0257] 優(yōu)選然后在真空氣氛下進(jìn)一步進(jìn)行單元電路基板、及粘接性材料用液晶聚合物膜 的脫氣。該工序可以在真空度1500Pa以下進(jìn)行、優(yōu)選在1300Pa以下、更優(yōu)選在llOOPa以下進(jìn) 行。此外，脫氣時(shí)間可以根據(jù)真空度適當(dāng)調(diào)節(jié)，可以為例如30分鐘以上、40分鐘以上、或50分 鐘以上，可以為6小時(shí)以下、4小時(shí)以下、3小時(shí)以下、2小時(shí)以下、或1.5小時(shí)以下。
[0258] 真空脫氣可以在常溫下（例如10~50 °C、優(yōu)選15~45 °C的范圍）進(jìn)行，從提高脫氣 效率的觀點(diǎn)出發(fā)，也可以在加熱下進(jìn)行。進(jìn)行加熱時(shí)，可以在加熱溫度80 °C~200 °C的范圍 內(nèi)加熱從而進(jìn)行，優(yōu)選在100 °C~200 °C的范圍、更優(yōu)選在115 °C~200 °C范圍內(nèi)進(jìn)行。如上所 述，通過在這樣的低于熔點(diǎn)的特定溫度下進(jìn)行加熱，能夠抑制由膜劇烈地產(chǎn)生水分、且將膜 中的水以水蒸氣形式脫除。
[0259] 此外，第二脫氣工序中，從提高脫氣性的觀點(diǎn)出發(fā)，可以在實(shí)質(zhì)上不進(jìn)行加壓的無 加壓下(壓力解除下)進(jìn)行脫氣。例如，在使用真空熱壓裝置制作電路基板時(shí)，通過第一脫氣 工序?qū)卧娐坊搴驼辰有圆牧嫌靡壕Ь酆衔锬みM(jìn)行脫氣后交替層疊地設(shè)置在裝置內(nèi)， 第二脫氣工序在無加壓下進(jìn)行脫氣即可。
[0260] 由于將通過這樣的脫氣工序而具有極低的水分量、空氣量的液晶聚合物膜作為基 板材料使用，因此能夠抑制例如多層層疊時(shí)因脫氣不足而夾入空氣所致的局部粘附不良。 特別是多層電路基板的情況下，即使多層層疊時(shí)層數(shù)多的情況下也能夠抑制中央部的膜的 脫氣不足。
[0261] (熱壓接工序）
[0262] 熱壓接工序中，將在準(zhǔn)備工序中準(zhǔn)備的電路基板材料疊合成規(guī)定的電路基板結(jié) 構(gòu)，在規(guī)定的壓力下加熱，從而將電路基板材料熱壓接。
[0263] 層疊的電路基板的結(jié)構(gòu)可以根據(jù)電路基板的期望結(jié)構(gòu)適當(dāng)設(shè)定，沒有特別限制， 通常，電路基板材料按照夾持導(dǎo)體層(或?qū)w電路)的方式重合并層疊。
[0264] 需要說明的是，電路基板材料在進(jìn)行熱壓接時(shí)為層疊著的狀態(tài)即可，將電路基板 材料層疊的工序可以根據(jù)準(zhǔn)備的電路基板材料的狀態(tài)、作業(yè)順序等在準(zhǔn)備工序、脫氣工序、 熱壓接工序等中的任一階段進(jìn)行。
[0265] 重合時(shí)，例如，可以在至少2片的至少一個(gè)面形成有導(dǎo)體電路的絕緣基板之間配設(shè) 粘結(jié)片，根據(jù)需要在最外層配設(shè)覆蓋膜;也可以不通過粘結(jié)片地配設(shè)至少2片的至少一個(gè)面 形成有導(dǎo)體電路的的絕緣基板，根據(jù)需要在最外層配設(shè)覆蓋膜。在可以不通過粘結(jié)片而直 接配設(shè)絕緣基板彼此時(shí)，能夠降低電路基板整體的厚度。
[0266] 熱壓接可以根據(jù)電路基板材料的種類等使用真空熱壓裝置、加熱輥層疊設(shè)備等進(jìn) 行，從能夠進(jìn)一步減少來自液晶聚合物膜的空氣的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用真空熱壓裝置。例 如，在真空熱壓時(shí)，優(yōu)選一邊保持基于真空脫氣的層疊體脫氣狀態(tài)一邊進(jìn)行熱壓接，熱壓接 時(shí)的真空度優(yōu)選保持在與第二脫氣工序相同的程度(例如，1500Pa以下）。
[0267] 在使用通過脫氣工序提高了熱粘接性的熱塑性液晶聚合物膜時(shí)，在將粘接的熱粘 接性熱塑性液晶聚合物膜(溫度不同的熱塑性液晶聚合物膜間的情況下，更低溫的熱塑性 液晶聚合物膜)的熔點(diǎn)設(shè)為Tm時(shí)，熱壓接時(shí)的加熱溫度例如可以為(Tm-60) °C~(Tm+40) °C 的范圍，可以從優(yōu)選(Tm-55) °C~（Tm+30) °C、更優(yōu)選(Tm-50) °C~（Tm+25) °C左右的較寬 溫度范圍中選擇。例如，在高溫下進(jìn)行熱壓接時(shí)，可以是(Tm - 20) °C~(Tm+40) °C的范圍（例 如，（Tm-20)°C~（Tm+20)°C的范圍），可以優(yōu)選（Tm-10)°C~（Tm+30)°C左右的范圍，可以 更優(yōu)選(Tm-10)°C~(Tm+10)°C的范圍。
[0268] 此外，本發(fā)明中在將脫氣工序（i)及（ii)組合時(shí)，令人驚訝的是，即使在低于進(jìn)行 粘接的熱粘接性熱塑性液晶聚合物膜的熔點(diǎn)下進(jìn)行粘接，也能夠達(dá)成良好的層間粘接性， 例如，可以在(Tm-60)°C以上且低于（Tm-20)°C下進(jìn)行熱壓接，可以在(Tm-50)°C以上且 低于(Tm-30) °C、更優(yōu)選(Tm-40) °C~（Tm-32) °C下進(jìn)行熱壓接。
[0269] 此外，熱壓接時(shí)施加的壓力可以根據(jù)液晶聚合物膜的性質(zhì)從例如0.5~6MPa的較 寬范圍內(nèi)選擇，由于本發(fā)明中使用經(jīng)過了脫氣工序的熱粘接性優(yōu)良的液晶聚合物膜進(jìn)行粘 接，因此即使加壓壓力為5MPa以下、特別是4.5MPa以下（例如，0.5MPa~3MPa、優(yōu)選1~ 2.5MPa)，也能夠在液晶聚合物膜層間進(jìn)行良好的粘接，粘接后也能夠抑制由于空氣的夾入 而產(chǎn)生的局部的粘附不良。
[0270] 此外，本發(fā)明中，在將脫氣工序（i)及（ii)組合時(shí)，熱壓接工序還可以包含低壓下 的熱壓接工序，例如，關(guān)于低壓下，可以在加壓壓力0.5~2.5MPa的范圍內(nèi)進(jìn)行熱壓接，可以 在優(yōu)選0.6~2MPa的范圍、更優(yōu)選0.7~1.5MPa的范圍內(nèi)進(jìn)行熱壓接。
[0271] 此外，本發(fā)明中，熱壓接可以以1次加壓來進(jìn)行，也可以以2次等多次加壓來進(jìn)行。 例如，進(jìn)行2次加壓時(shí)，可以通過熱壓接的前工序、即在高壓下（例如超過2.5MPa且5MPa以下 的范圍）進(jìn)行加壓而進(jìn)行臨時(shí)粘接，然后在上述低壓下進(jìn)行主粘接。低壓下的熱壓接可以比 高壓下的熱壓接的時(shí)間更長(zhǎng)。此外，低壓下的加熱溫度可以為比高壓下的加熱溫度更高。
[0272] 此外，關(guān)于熱壓接工序所需要的時(shí)間（一定的溫度及壓力下的保持時(shí)間），只要能 夠使電路基板的層間粘接性良好則沒有特別限制，可以進(jìn)行例如15~60分鐘左右，可以優(yōu) 選進(jìn)行20~50分鐘左右、進(jìn)而優(yōu)選進(jìn)行20~40分鐘左右。需要說明的是，進(jìn)行多次加壓的情 況下，可以是各保持時(shí)間的合計(jì)時(shí)間。
[0273] 需要說明的是，在制造電路基板時(shí)，可以根據(jù)需要進(jìn)行公知或慣用地進(jìn)行的各種 制造工序(例如，電路形成工序、貫通連接工序、層間連接工序等）。
[0274] 優(yōu)選的一實(shí)施方式的電路基板的制造方法可以是例如下述電路基板的制造方法：
[0275] 其具備如下工序:準(zhǔn)備一個(gè)以上的包含在單面或兩面形成有導(dǎo)體層的熱塑性液晶 聚合物膜的單元電路基板、和一種以上的用于與該單元電路基板的導(dǎo)體層粘接的包含熱塑 性液晶聚合物膜的電路基板材料的工序；
[0276] 第一脫氣工序，對(duì)前述單元電路基板和前述電路基板材料在例如大氣壓下（或常 壓下）、100 °C~200 °C的范圍內(nèi)加熱30分鐘以上而進(jìn)行脫氣；
[0277] 第二脫氣工序，對(duì)前述單元電路基板和前述電路基板材料在真空度1500Pa以下進(jìn) 一步進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的脫氣;和
[0278] 對(duì)將前述電路基板材料和前述單元電路基板層疊而形成的層疊體進(jìn)行加熱及加 壓、通過熱壓接而將前述層疊體一體化的工序，并且，
[0279] 與前述電路基板材料粘接的一側(cè)的前述導(dǎo)體層表面的通過基于IS04287 -1997的 方法測(cè)定的十點(diǎn)平均粗糙度(Rzjis)為1.25μηι以下。
[0280] 以下參照附圖分別對(duì)上述本發(fā)明的電路基板的制造方法的一實(shí)施方式(不使用粘 結(jié)片地將絕緣基板層疊的形態(tài)）、另一實(shí)施方式(使用粘結(jié)片地將絕緣基板層疊的形態(tài))進(jìn) 行說明。需要說明的是，本發(fā)明不受該實(shí)施方式限定。
[0281] 圖2Α為示出不使用粘結(jié)片地將絕緣基板層疊時(shí)的、電路基板的層疊前的狀態(tài)的剖 面示意圖。其中，準(zhǔn)備在第一熱塑性液晶聚合物膜5的兩面貼合有銅箱4、4的第一單元電路 基板(兩面覆銅板）1〇和在第二塑性液晶聚合物膜6的單面貼有銅箱4的第二單元電路基板 (單面覆銅基板)20。其中，第一熱塑性液晶聚合物膜1和第二熱塑性液晶聚合物膜2可以是 厚度相同或不同的由相同原材料形成的膜。
[0282] 然后將被對(duì)置的單元電路基板夾持的銅箱等實(shí)施電路加工（例如，帶狀線圖案） 后，形成導(dǎo)體電路。
[0283]然后，優(yōu)選在氮?dú)鈿夥障聦⒌谝粏卧娐坊?0、及第二單元電路基板20加熱規(guī) 定時(shí)間(第一脫氣工序）。此時(shí)的溫度、時(shí)間條件可以使用上述中說明的條件。
[0284] 然后，在真空熱壓裝置的腔室(未圖示）中將第一單元電路基板10及第二單元電路 基板20層疊、載置，形成圖2Β所示的層疊體30。然后，一邊抽真空而保持1500Pa以下的真空 度，一邊進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的加熱(第二脫氣工序）。此時(shí)的溫度、時(shí)間條件可以使用上述記載的 條件。
[0285] 然后，在使真空度保持1500Pa以下的狀態(tài)下將溫度提高到熱壓接條件并加壓，對(duì) 層疊體30的各層進(jìn)行壓接。熱壓接時(shí)的溫度、壓力條件可以使用上述說明的條件。
[0286] 然后，按照通常的工藝使裝置內(nèi)恢復(fù)常溫常壓條件后，從裝置中回收電路基板30。
[0287] 上述實(shí)施方式中，將第一單元電路基板10和第二單元電路基板20直接粘接，作為 變形例，也可以根據(jù)需要直接在第一單元電路基板10和第二單元電路基板20之間使用粘結(jié) 片。此外，作為另一變形例，可以使導(dǎo)體電路成為微帶狀線圖案并用覆蓋膜代替第二單元電 路基板20。
[0288] 此外，圖2B所示的例子中，電路基板形成有3層導(dǎo)體層，但導(dǎo)體層的數(shù)目可以適當(dāng) 設(shè)定為1層或多層(例如，2~10層）。
[0289] 圖3A是示出使用粘結(jié)片地對(duì)絕緣基板進(jìn)行層疊時(shí)的電路基板的層疊前的狀態(tài)的 剖面示意圖。其中，準(zhǔn)備在第一熱塑性液晶聚合物膜7的兩面貼合有銅箱40的第一單元電路 基板(兩面覆銅板)70、在第二塑性液晶聚合物膜8的單面覆蓋有銅箱40的第二單元電路基 板(單面覆銅基板)80、由熔點(diǎn)低于第一熱塑性液晶聚合物膜7和第二熱塑性液晶聚合物膜8 的第三熱塑性液晶聚合物膜9形成的粘結(jié)片(粘接性材料用液晶聚合物膜)90。其中，第一熱 塑性液晶聚合物膜7和第二熱塑性液晶聚合物膜8可以是厚度相同或不同的由相同原材料 形成的膜。
[0290] 然后，對(duì)各單元電路基板的銅箱40實(shí)施電路加工后，對(duì)第一單元電路基板的銅箱 表面實(shí)施FlatBONDGT(Mec Corporation制）處理，在銅箱表面形成耐氧化性合金層(未圖 示），然后進(jìn)行FlatBONDGC(Mec Corporation制)處理，從而附著硅烷偶聯(lián)劑、形成導(dǎo)體層。
[0291] 然后，優(yōu)選在氮?dú)鈿夥障聦?duì)第一單元電路基板70、第二單元電路基板80、及粘結(jié)片 90進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的加熱(第一脫氣工序）。此時(shí)的溫度、時(shí)間條件可以使用上述說明的條件。
[0292] 然后，在真空熱壓裝置的腔室(未圖示）內(nèi)，將第一單元電路基板70、粘結(jié)片90、第 二單元電路基板80層疊、載置，形成圖3B所示的層疊體50。然后，一邊抽真空而保持1500Pa 以下的真空度，一邊進(jìn)行規(guī)定時(shí)間的加熱(第二脫氣工序）。此時(shí)的溫度、時(shí)間條件可以使用 上述記載的條件。
[0293] 然后，在使真空度保持1500Pa以下的狀態(tài)下將溫度提高到熱壓接條件并加壓，對(duì) 層疊體50的各層進(jìn)行壓接。熱壓接時(shí)的溫度、壓力條件可以使用上述說明的條件。
[0294]然后，按照通常的工藝使裝置內(nèi)恢復(fù)常溫常壓條件后，從裝置中回收電路基板50。
[0295] 這些所示的例子都是在絕緣層的兩面接合有導(dǎo)體層(銅箱）的第一單元電路基板 上通過或者不通過粘結(jié)片層疊在絕緣層的單面(上表面)形成有導(dǎo)體層的第二單元電路基 板，但圖示的構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的電路基板沒有限定作用。例如，電路基板也可以僅具有兩片導(dǎo) 體層，也可以具有四片以上的導(dǎo)體層。此外，為了覆蓋導(dǎo)體層，電路基板可以具備包含液晶 聚合物膜的覆蓋膜作為最外層。
[0296] [電路基板]
[0297] 第4構(gòu)成的電路基板(優(yōu)選多層電路基板)為具備多片選自至少一個(gè)面形成有導(dǎo)體 層的絕緣基板、接合片、及覆蓋膜中的至少一種電路基板材料，且選自絕緣基板、接合片及 覆蓋膜中的至少1片為熱塑性液晶聚合物膜的電路基板。
[0298] 前述電路基板的耐熱性優(yōu)異，將電路基板基于JIS C 5012的方法在焊料浴290°C 的環(huán)境下靜置60秒時(shí)，具有焊料耐熱性。焊料耐熱性的評(píng)價(jià)可以如下進(jìn)行：基于JIS C 5012，在焊料浴的溫度為290°C、漂?。? 口一卜)時(shí)間為60秒的條件下進(jìn)行浮焊試驗(yàn)，目視和 使用光學(xué)顯微鏡（X 5倍以上）觀察漂浮試驗(yàn)后的基板是否具有高度100μπι以上的鼓泡而進(jìn) 行評(píng)價(jià)。
[0299] 例如，本發(fā)明的電路基板可以是具有以下構(gòu)成的電路基板等。
[0300] (i)具備單元電路基板和接合片、且通過接合片層疊兩片以上的單元電路基板的 電路基板(多層或?qū)盈B電路基板），所述單元電路基板具有包含熱塑性的液晶聚合物膜(第 一液晶聚合物膜)的絕緣層(基材層)和形成于前述膜的單面或兩面上的導(dǎo)體層；
[0301] (ii)具備單元電路基板和用于覆蓋該單元電路基板的導(dǎo)體層的覆蓋膜的電路基 板(單層或二層電路基板），所述單元電路基板具有包含熱塑性的液晶聚合物膜(第一液晶 聚合物膜)的絕緣層(基材層)和形成于前述膜的單面或兩面上的導(dǎo)體層；
[0302] (iii)為將上述（i)及（ii)組合而成的構(gòu)成，是具備單元電路基板、接合片和覆蓋 膜，且兩片以上的單元電路基板通過接合片而層疊、電路基板的最外層由覆蓋單元電路基 板的導(dǎo)體層的覆蓋膜構(gòu)成的電路基板(多層或?qū)盈B電路基板）；
[0303] (iv)具備多片單元電路基板，且兩片以上的單元電路基板不通過接合片而是直接 層疊的電路基板(多層或?qū)盈B電路基板），所述單元電路基板具備包含熱塑性的液晶聚合物 膜的絕緣層(基材層）；以及
[0304] (v)為將上述（ii)及（iv)組合而成的構(gòu)成，是具備兩片以上的單元電路基板和覆 蓋膜，且兩片以上的單元電路基板不通過接合片而是直接層疊，電路基板的最外層由覆蓋 單元電路基板的導(dǎo)體層的覆蓋膜構(gòu)成的電路基板(多層或?qū)盈B電路基板）。
[0305]需要說明的是，關(guān)于導(dǎo)體層，如制造方法中已經(jīng)說明那樣，與前述電路基板材料粘 接一側(cè)的前述導(dǎo)體層表面的基于依照IS04287 -1997的方法的十點(diǎn)平均粗糙度(RzjIS)可以 為例如1.25μηι以下。
[0306]此外，如述電路基板中，為了能夠提尚液晶聚合物I旲的粘接性，例如關(guān)于熱塑性液 晶聚合物膜和與該膜粘接的電路基板材料之間的基于JIS - C5016 -1994的粘接強(qiáng)度，在熱 塑性液晶聚合物膜和絕緣性基板材料（優(yōu)選其它熱塑性液晶聚合物膜）之間可以為例如 0.8kN/m以上(例如，0.8~3kN/m)，可以優(yōu)選0.9kN/m以上，可以更優(yōu)選lkN/m以上，可以進(jìn)一 步優(yōu)選l.lkN/m以上。需要說明的是，粘接強(qiáng)度可以是基于JIS C5016 -1994以每分鐘50mm 的速度沿著90°的方向?qū)⒈徽澄锉舜死瓌儯瑫r(shí)用拉伸試驗(yàn)機(jī)[NIDEC-SMMPO CORPORATION 制、數(shù)字壓力計(jì)FGP-2]進(jìn)行測(cè)定而得到的拉剝強(qiáng)度的值。
[0307]此外，前述電路基板中，為了能夠提高液晶聚合物膜