，為了使放射線硬化 性粘著劑層硬化后，可以有效的使用放射線部分透過的特性。
[0057] 基材，有單層的形態(tài)，也有積層的形態(tài)，基材中可以含，交叉結(jié)合劑，粘著符合劑， 填充劑，阻燃劑，抗氧化劑，軟化劑，紫外線吸收劑，可塑劑，界面活性劑，等等添加劑 基材的形成方法不限，可以采用已知的慣用的形成方法，比如，塑料制基材的形成方 法，比如日歷成膜法，鍛造成膜法，膨脹法等等，有積成多層的情況，可以用干壓法?；囊?有無(wú)延伸的狀態(tài)，延伸處理用一軸或兩軸。
[0058] 基材的厚度不限，10~300 μ m，30~200 μ m比較合適。
[0059] 本發(fā)明，切割膜，如圖1所示，基材至少有一面由放射線硬化層粘著劑層所構(gòu)成， 這一層外接離型膜保護(hù)。
[0060] 圖1是本發(fā)明的切割膜的斷面簡(jiǎn)略示意圖，在圖1中，1指的是切割膜，2是基材， 3是放射線硬化性粘著劑層，4是離型膜。這款切割膜是由，基材2的一面有3的放射線硬 化性粘著劑層構(gòu)成，并由4的離型膜保護(hù)，圖1所示的切割膜是放射線硬化性粘著劑層3,既 前記放射線硬化層粘著劑層（既含有丙稀系聚合物（A)和放射線重合性化合物（B)按一定 的比例形成粘著劑層)，基材也如前幾所述。
[0061] 如圖1所示，本切割膜，前記放射線硬化層粘著劑層在基材的一面形成，有必要的 話，兩面都可以做，然后隨一面形成的粘著劑層，再在基材的另一面做一層放射線硬化層粘 著劑層以外的粘著劑層(熱剝離型粘著劑層等等)。
[0062] 如前記所述，為了保護(hù)切割膜的粘著劑層，需要使用離型膜，離型膜材質(zhì)不限，例 如，紙類，聚乙稀，聚丙稀，1，4_苯二甲酸二甲酯與1，2-乙二醇和2, 2'-氧雙[乙醇]的聚 合物的樹脂等等，為了提高粘著劑層的剝離性，離型膜的表面，進(jìn)行了硅處理，長(zhǎng)鎖烷基處 理，氟素處理等剝離處理。更進(jìn)一步，為了防止粘著劑層同環(huán)境紫外線發(fā)生反應(yīng)，在做防紫 外線處理，離型膜厚度不限，通常在10~200 μ m左右（25~100 μ m比較合適)。
[0063] 本發(fā)明的切割膜，基材一面有放射線硬化層粘著劑層構(gòu)成，基材另一面有其他粘 著劑層，離型層構(gòu)成。其他粘著劑層種類不限，一般以通過加熱，實(shí)現(xiàn)熱剝離性的粘著劑層， 以及加熱和放射線照射后實(shí)現(xiàn)剝離的粘著劑層為主。為了形成這種粘著劑組成物，例如已 知的粘著劑(有烷系，橡膠系，氨基甲酸酯系，硅系，聚酯系，聚酰胺系，樹脂系，氟系粘著劑 等等）中選取一種，添加必要的含有粘著劑，放射性聚合性化合物，發(fā)泡劑的粘著劑組成物。 另一方面，基材的另一面為了制作離型處理劑，從已知的離型處理劑(硅處理，長(zhǎng)鎖烷基處 理，氟素處理劑）中選取一種。
[0064] 切割膜，以滾筒狀卷起，紙狀層積。膠帶在進(jìn)行半導(dǎo)體硅片切割的情況時(shí)，根據(jù)預(yù) 定的形狀進(jìn)行切斷片加工。
[0065] 活性面貼付用切割膜，自然氧化膜未完全形成狀態(tài)的活性面使用是很重要的。前 面所說的活性面，存在未氧化狀態(tài)的活性原子，改活性原子的形成有和粘著劑層的成分化 學(xué)結(jié)合的特性，順帶一提，活性面存在著對(duì)為氧化且粘著劑成分其反應(yīng)的原子。本發(fā)明，長(zhǎng) 時(shí)間貼付后，經(jīng)紫外線照射，就會(huì)容易從活性面上剝離。含化學(xué)合成的活性原子的粘著劑層 的成分，對(duì)活性原子有反應(yīng)的官能基的化合物。比如吸水性樹脂等等 被加工物的活性面，例如半導(dǎo)體硅片，半導(dǎo)體封裝體，玻璃，陶瓷等等。這樣的加工物材 料一般為，硅系化合物，鍺系化合物，砷化鎵等，進(jìn)行背面減薄，新的拋光面產(chǎn)生的時(shí)候，存 在未氧化狀態(tài)的活性硅素原子，未氧化狀態(tài)的鍺原子，未氧化狀態(tài)的鎵原子的等未氧化的 活性原子。這些活性原子，經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間自然環(huán)境原因，遭氧化，后變得失去活性。
[0066] 此款切割膜，為了保護(hù)減薄后的被加工物，為了保持原子的活性狀態(tài)貼付在硅片 活性面，在剝離的時(shí)候，同貼付時(shí)間無(wú)關(guān)，對(duì)被加工物的活性面的粘著力，經(jīng)放射線照射，使 其粘性降低，容易剝離。依此，此切割膜，對(duì)硅片背面減薄，及其后碎肩處理，連續(xù)短時(shí)間內(nèi)， 經(jīng)減薄后露出的新活性面，這之后可以有效的實(shí)施的切割工序，拾取pick up工序。具體來(lái) 說，在切割前，起到有效保護(hù)脆弱的被加工物的作用，就切割工序來(lái)說，被加工物被牢牢固 定，有效實(shí)施切割，拾取pick up工藝方面，需要減弱膠帶對(duì)被加工物的粘著力，起到發(fā)揮 容易對(duì)切斷片拾取pick up的功能。
[0067] 依此，此款活性面貼付用切割膜，對(duì)自然氧化膜未完全形成狀態(tài)的活性面非常適 用。
[0068] 此款活性面貼付用切割膜，放射線硬化層粘著劑層的粘著力(對(duì)硅片剝離角度 15°，牽引速度：150mm/分，測(cè)定溫度：23°C ±3°C)，在2. 3N/25mm幅一下較為合適，這樣切 斷片的拾取pick up情況會(huì)比較好，發(fā)生殘膠的情況也會(huì)減少。放射線硬化層粘著劑層的 粘著力，如圖2所示，在硅片表面貼附后，測(cè)定溫度：23°C ±3°C粘著劑層對(duì)硅片角度15°， 牽引速度：150mm/分。這樣放射線硬化層粘著劑層的粘著力，對(duì)鏡面硅片的使用有規(guī)定，鏡 面娃片的粗糙度也有所規(guī)定，鏡面娃片的材質(zhì)在切割以及拾取pick up的被加工物，半導(dǎo)體 硅片的同等材質(zhì)，溫度在23 °C ±3 °C為基準(zhǔn)。
[0069] 圖2是此款切割膜的粘著力測(cè)定方法的斷面圖概要，在圖2中5指的是切割膜， 51是基材，52是放射線硬化層粘著劑層，6是硅片，X表示膠帶5剝離的方向，Θ表示膠帶 與硅片間的剝離角度，如圖在切割膜5的基材51的另一面有放射線硬化層粘著劑層52構(gòu) 成，這層如前面所述，是含有丙稀系聚合物（A)和放射線重合性化合物（B)按一定的比例形 成粘著劑層。圖2娃片一面貼付的膜與娃片保持15°的角度，朝X的方向，以150mm/分的 速度，剝離，此數(shù)據(jù)在23°的室溫下測(cè)得。
[0070] 此款切割膜，放射線硬化層粘著劑層貼付在硅片表面，經(jīng)切割后，照射剝離后，硅 片表面的碳素元素比率Cl (%) xps與貼付前硅片表面的碳素元素比率C2 (%) xps的差 (C1-C2)，這個(gè)值有在5以下的特性。這樣Λ C在5以下，切割膜發(fā)生污染的情況極低，也 就是減少所謂的殘膠。
[0071] 這樣的碳素元素比率[碳素元素比率Cl (%)，碳素元素比率C2 (%)]，X射線光 電子能譜學(xué)）的測(cè)定。具體來(lái)說，XPS的碳素元素比率Cl (%)，放射線硬化層粘著劑層與 硅片表面接觸，貼附后，進(jìn)行切割然后剝離，用X射線電子分析儀，X射線源：MgK a 1 5 K V( 3 0 0W)，取角：45°，測(cè)定面積：1X3. 5mm的條件下，對(duì)硅片貼付的切割膜的剝離 面的射線進(jìn)行分析。另一方面，XPS的碳素元素比率C2 (%)，放射線硬化層粘著劑層與硅 片表面接觸，貼附后，進(jìn)行切割然后剝離，用X射線電子分析儀，X射線源：MgKa I 5K V( 3 O O W)，取角：45°，測(cè)定面積：1X3. 5mm的條件下，對(duì)硅片貼付的切割膜的剝離面 的射線進(jìn)行分析。
[0072] 被加工物的切斷片拾取pick up的方法 被加工物的活性面，前記的切割膜貼付切割后，切斷片拾取pick up，在實(shí)際操作的時(shí) 候，膠層（X)同被加工物的貼付是十分重要的。這樣被加工物在切割后拾取pick up的時(shí) 候，因?yàn)槭褂昧饲懈钅?，長(zhǎng)時(shí)間貼附后照射放射線，就會(huì)容易拾取pick up。同樣前記的拾取 pick up的方法也被使用在厚度未滿100 μm的被加工物上。
[0073] 這樣針對(duì)本發(fā)明的被加工物的切斷片拾取pick up的方法，對(duì)被加工物活性面 貼付的切割膜的貼膜工藝，貼膜后，為了切割被加工物的切割工藝，切割工藝后，實(shí)行拾取 pick up〇
[0074] 貼膜工藝，就是在被加工物表面貼付切割膜。貼膜工藝通常就是膠層同被加工物 表面貼合，用滾筒等擠壓手段，進(jìn)行貼付，還有在加壓可能的容器中，被加工物和切割膜，前 記同樣的方式擠壓，在容器內(nèi)進(jìn)行加壓。這樣在實(shí)際貼付的時(shí)候，就可以一邊加壓一邊貼 合。在減壓容器內(nèi)，和前記同樣的方式貼膜，實(shí)際貼付溫度不限，20~80°較為合適。
[0075] 切割工藝指的是，以制造半導(dǎo)體芯片為目的，對(duì)貼膜后的被加工物進(jìn)行小片切割。 切割工藝遵照一般常用法則。當(dāng)被加工物為半導(dǎo)體硅片的時(shí)候，通常在硅片電路一面用高 速旋轉(zhuǎn)的刀片進(jìn)行切割。這是被稱為采用全切的方式。切割機(jī)器不限，從已知的幾種中選 取。該膠帶在切割過程中，牢牢固定住被切割物，抑制飛料，防止了被加工物的自身破損。
[0076] 拾取pick up工藝是指，貼膜后切割，從膜上剝離切斷片的過程。拾取pick up的 方法不限，