技術(shù)特征：

1.一種芯片壓降的測試方法，所述芯片包括襯底、位于襯底上的多個功能模塊以及用于連接各功能模塊的互連線層；

所述功能模塊通過所述互連線層連接外部電壓輸入端；且各功能模塊通過互連線層電連接在一起；

其特征在于，所述芯片壓降的測試方法包括：

獲取所述外部電壓輸入端與各功能模塊之間的第一等效電阻；

獲取多個功能模塊兩兩之間的第二等效電阻；

基于所述第一等效電阻和第二等效電阻建立所述芯片的電阻特性矩陣M_ii，i為芯片中功能模塊的個數(shù)，其中第n行的元素為包括R_nm和R_nn，其中R_nm為第m個功能模塊對第n個功能模塊的電阻影響數(shù)值，R_nn為第n個功能模塊的第一等效電阻；所述R_nm＝(R_nn+R_mm+r_nm)/2-r_nm，其中r_nm為第n個功能模塊與第m個功能模塊之間的第二等效電阻；

建立各功能模塊的功耗電流的列矩陣N_i，第n行的元素為第n個功能模塊的功耗電流數(shù)值I_n；

以所述電阻特性矩陣M_ii乘所述列矩陣N_i，獲得各功能模塊對應(yīng)的壓降值。

2.如權(quán)利要求1所述的芯片壓降的測試方法，其特征在于，所述外部電壓輸入端包括多個外部電壓管腳，所述多個功能模塊同時連接多個所述外部電壓管腳。

3.如權(quán)利要求1的芯片壓降的測試方法，其特征在于，所述外部電壓輸入端為電源電壓輸入端，所述功能模塊包括電源電壓端口；

所述功能模塊通過互連線層連接外部電壓輸入端包括：所述功能模塊的電源電壓端口通過所述互連線層連接所述電源電壓輸入端；

各功能模塊通過互連線層電連接在一起包括：各功能模塊的電源電壓端口通過所述互連線層連接在一起；

所述功能模塊還包括接地電壓端口，所述功能模塊的接地電壓端口通過 所述互連線層連接外部的接地電壓輸入端。

4.如權(quán)利要求1的芯片壓降的測試方法，其特征在于，所述外部電壓輸入端為接地電壓輸入端，所述功能模塊包括接地電壓端口；

所述功能模塊通過互連線層連接外部電壓輸入端包括：所述功能模塊的接地電壓端口通過所述互連線層連接所述接地電壓輸入端；

各功能模塊通過互連線層電連接在一起包括：各功能模塊的接地電壓端口通過所述互連線層連接在一起；

所述功能模塊還包括電源電壓端口，所述功能模塊的電源電壓端口通過所述互連線層連接外部的電源電壓輸入端。

5.如權(quán)利要求4的芯片壓降的測試方法，其特征在于，所述互連線層包括用于連接各個所述功能模塊的電源電壓端口和電源電壓輸入端的電源互連線層，以及用于連接各個所述功能模塊的接地電壓端口和接地電壓輸入端的接地互連線層；

各功能模塊通過互連線層電連接在一起包括：各功能模塊的接地電壓端口通過所述接地互連線層連接在一起，且通過接地互連線層連接同一接地電壓輸入端；

所述電源互連線層包括多條互不連接的電源互連線，且所述多條互不連接的電源互連線分別連接外部不同的電源電壓輸入端；

所述多個功能模塊的接地電壓端口通過所述多條互不連接的電源互連線層連接不同的電源電壓輸入端。

6.如權(quán)利要求1的芯片壓降的測試方法，其特征在于，所述互連線層為包括多層互連線的多層結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1的芯片壓降的測試方法，其特征在于，所述芯片還包括安裝在所述互連線層上的電源開關(guān)，所述電源開關(guān)位于所述功能模塊和外部電壓輸入端之間；

獲取所述外部電壓輸入端與各功能模塊之間的第一等效電阻的步驟包括：同時獲取所述電源開關(guān)導(dǎo)通后的等效電阻，所述第一等效電阻包括外部電壓 輸入端與各功能模塊之間的互連線層的等效電阻和電源開關(guān)的等效電阻。

8.一種芯片改進(jìn)方法，其特征在于，通過如權(quán)利要求1～7所述的芯片壓降的測試方法獲取各功能模塊的壓降值；

將各功能模塊的壓降值與各功能模塊的臨界壓降值作比對，如果壓降值大于臨界壓降值，則將該功能模塊判斷為待優(yōu)化的功能模塊；

在所述芯片上形成互連結(jié)構(gòu)，用以連接所述待優(yōu)化的功能模塊和外部電壓輸入端，或是用以連接所述待優(yōu)化的功能模塊周邊的其他功能模塊和外部電壓輸入端，降低所述待優(yōu)化的功能模塊與外部電壓輸入端之間的第一等效電阻，以降低所述待優(yōu)化的功能模塊的壓降值。

9.如權(quán)利要求8所述芯片改進(jìn)方法，其特征在于，形成互連結(jié)構(gòu)的步驟包括：

去除部分芯片；

在去除部分芯片的位置處，形成連接所述待優(yōu)化的功能模塊和外部電壓輸入端的互連結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求9所述芯片改進(jìn)方法，其特征在于，芯片還包括位于襯底上的介質(zhì)層內(nèi)的填充金屬，去除部分芯片的步驟包括：

去除所述填充金屬。

11.如權(quán)利要求10所述芯片改進(jìn)方法，其特征在于，所述互連線層包括多層互連線，且所述互連線層位于所述多個功能模塊上方；所述多個功能模塊層為包括多層功能模塊的多層結(jié)構(gòu)；

去除部分芯片的步驟包括：去除位于最下層的互連線層與最上層的功能模塊之間的填充金屬；

在所述芯片上形成互連結(jié)構(gòu)的步驟包括：在已去除填充金屬處形成互連結(jié)構(gòu)，使所述互連結(jié)構(gòu)平行于已去除填充金屬上方的互連線；

在平行的互連結(jié)構(gòu)和互連線間形成導(dǎo)電插塞，以連接所述待優(yōu)化的功能模塊和外部電壓輸入端。

12.如權(quán)利要求11所述芯片改進(jìn)方法，其特征在于，已去除填充金屬上方的互連線為所述外部電壓輸入端和待優(yōu)化的功能模塊之間的互連線。

13.一種芯片結(jié)構(gòu)的測試方法，所述芯片包括襯底、位于襯底上的多個功能模塊，以及用于連接各功能模塊的互連線層；

所述功能模塊通過互連線層連接外部電壓輸入端；且各功能模塊通過互連線層電連接在一起；

所述互連線層為包括多層互連線，其中，第n層互連線具有方塊電阻R_n；

其特征在于，

獲取所述外部電壓輸入端與各功能模塊之間的第三等效電阻；

獲取多個功能模塊兩兩之間的第四等效電阻；

在獲取所述第三等效電阻和第四等效電阻的步驟中，向等效電阻獲取的工具載入第1層至第a層的互連線的方塊電阻值，并設(shè)定第a+1層至第b層互連線的方塊電阻值為0，其中，b為互連線層中的互連線數(shù)量，且b≥a＞0；

基于所述第三等效電阻和第四等效電阻建立所述芯片的第一電阻特性矩陣M_ii(a)，i為芯片中功能模塊的個數(shù)，其中第n行的元素為包括R_nm和R_nn，其中R_nm為第m個功能模塊對第n個功能模塊的電阻影響數(shù)值，R_nn為第n個功能模塊的第一等效電阻；所述R_nm＝(R_nn+R_mm+r_nm)/2-r_nm，其中r_nm為第n個功能模塊與第m個功能模塊之間的第二等效電阻；

獲取所述外部電壓輸入端與各功能模塊之間的第五等效電阻；

獲取多個功能模塊兩兩之間的第六等效電阻；

在獲取所述第五等效電阻和第六等效電阻的步驟中，向等效電阻獲取的工具載入第1層至第a-1層的互連線的方塊電阻值，并設(shè)定第a層至第b層互連線的方塊電阻值為0；

基于所述第五等效電阻和第六等效電阻建立所述芯片的第二電阻特性矩陣M_ii(a-1)；

獲取第a層互連線的電阻相關(guān)矩陣M(a)＝M_ii(a)-M_ii(a-1)；

獲取各互連線層的電阻相關(guān)矩陣；

通過比較不同互連線對應(yīng)的電阻相關(guān)矩陣中同一位置的元素的關(guān)系，分析所述互連線層的性能，以測試芯片結(jié)構(gòu)。

14.如權(quán)利要求13所述芯片結(jié)構(gòu)的測試方法，其特征在于，通過比較不同互連線層的電阻相關(guān)矩陣中，同一位置的元素的關(guān)系的步驟包括：比較不同的互連線對應(yīng)的電阻相關(guān)矩陣中，第1行第1列元素所處的矩陣對角線上相同位置元素的關(guān)系。