陣列基板、觸控顯示面板及觸控顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及觸控顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及陣列基板、觸控顯示面板及觸控顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]內(nèi)嵌式觸摸顯示屏上設(shè)有公共電極。在觸摸檢測(cè)時(shí)公共電極復(fù)用為觸控發(fā)射電極，接收觸控驅(qū)動(dòng)信號(hào)，觸摸檢測(cè)電路根據(jù)顯示屏上電容的變化確定觸摸點(diǎn)。公共電極可以采用ITO導(dǎo)電玻璃制作。在內(nèi)嵌式觸摸顯示屏中，觸控顯示面板上的公共電極呈條狀平行排布。由于公共電極的面積較大，其電阻值較高，對(duì)觸摸檢測(cè)電路的精度影響較大。
[0003]—般地，內(nèi)嵌式觸摸顯示屏可以包括多個(gè)金屬層，包括用于形成掃描線的第一金屬層、用于形成數(shù)據(jù)線的第二金屬層，以及用于形成公共電極線的第三金屬層。通常，第三金屬層與第一金屬層和第二金屬層不同層設(shè)置。公共電極與形成于第三金屬層上的公共電極線并聯(lián)連接，可以有效地減小公共電極的阻值。
[0004]在上述采用在第三金屬層上形成公共電極線與公共電極并聯(lián)以減小公共電極電阻的方法中，需要在顯示屏制作過程中單獨(dú)形成第三金屬層。而為了避免第三金屬層與其他導(dǎo)電層(例如第二金屬層和公共電極)之間形成電場(chǎng)，還需要在第三金屬層與其他導(dǎo)電層之間制作絕緣層，不僅增加了顯示屏的厚度，也增加了工藝復(fù)雜度。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]有鑒于此，期望能夠提供一種制作工藝簡(jiǎn)單且降低公共電極電阻的陣列基板。為了解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝岁嚵谢?、觸控顯示面板及觸控顯示裝置。
[0006]第一方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N陣列基板，包括:襯底基板，包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)；在垂直于所述襯底基板的方向上排列的多個(gè)金屬層;所述多個(gè)金屬層包括第一金屬層和第二金屬層;所述第一金屬層用于形成所述陣列基板的掃描線；所述第二金屬層用于形成所述陣列基板的數(shù)據(jù)線;所述顯示區(qū)內(nèi)設(shè)有多個(gè)像素單元，所述像素單元呈陣列排布，所述像素單元的行方向?yàn)樗鰭呙杈€的延伸方向，所述像素單元的列方向?yàn)閿?shù)據(jù)線的延伸方向；觸控電極層，所述觸控電極層包括多個(gè)觸控電極;多條觸控信號(hào)線，所述觸控信號(hào)線與一個(gè)所述觸控電極電相連，為所述觸控電極傳輸觸控信號(hào);所述觸控信號(hào)線與至少一層所述多個(gè)金屬層同層設(shè)置。
[0007]第二方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝巳绫旧暾?qǐng)第一方面所提供的陣列基板以及與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的彩膜基板。
[0008]第三方面，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N觸控顯示裝置，包括如本申請(qǐng)第二方面所提供的觸控顯示面板。
[0009]本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢濉⒂|控顯示面板及觸控顯示裝置，通過將與觸控電極并聯(lián)的觸控信號(hào)線與陣列基板上已有的金屬層同層設(shè)置，在制作過程中，可以通過同一道工序形成觸控電極所在金屬層上的所有線路圖形，在降低觸控電極電阻的同時(shí)簡(jiǎn)化了工藝。
【附圖說明】
[0010]通過閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯:
[0011]圖1是本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢宓囊粋€(gè)局部剖面圖；
[0012]圖2是本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢宓囊粋€(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖3是圖2所不陣列基板的局部剖面圖；
[0014]圖4是本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢宓牧硪粋€(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖5是圖4所示陣列基板的局部剖面圖；
[0016]圖6A是本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢宓挠忠粋€(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖6B是本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢宓脑僖粋€(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖7A是圖6A所不陣列基板的局部剖面圖；
[0019]圖7B是圖6B所示陣列基板的局部剖面圖；
[0020]圖8是本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢宓脑僖粋€(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖9是圖8所不陣列基板的局部剖面圖；
[0022]圖10是本申請(qǐng)?zhí)峁┑挠|控顯示面板的一個(gè)實(shí)施例的局部剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)實(shí)用新型，而非對(duì)該實(shí)用新型的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與有關(guān)實(shí)用新型相關(guān)的部分。
[0024]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請(qǐng)。
[0025]請(qǐng)參考圖1，其示出了本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢宓囊粋€(gè)局部剖面圖。如圖1所示，陣列基板100包括襯底基板10，襯底基板10包括顯示區(qū)101和非顯示區(qū)102。陣列基板100還包括在垂直于襯底基板10的方向上排列的多個(gè)金屬層。多個(gè)金屬層至少包括第一金屬層11和第二金屬層12。其中，第一金屬層11用于形成陣列基板100的掃描線111(圖1中僅示出一條)，第二金屬層12用于形成陣列基板100的數(shù)據(jù)線121。顯示區(qū)101內(nèi)設(shè)有多個(gè)呈陣列排布的像素單元。像素單元的行方向?yàn)閽呙杈€111的延伸方向，像素單元的列方向?yàn)閿?shù)據(jù)線121的延伸方向。陣列基板100還包括觸控電極層13和多條觸控信號(hào)線。觸控電極層13包括多個(gè)觸控電極131。觸控信號(hào)線與一個(gè)觸控電極131電相連，為觸控電極131傳輸觸控信號(hào)。觸控信號(hào)線與至少一層上述多個(gè)金屬層同層設(shè)置。如圖1中，觸控信號(hào)線112可以與第一金屬層11同層設(shè)置。在其他的實(shí)施例中，觸控信號(hào)線112也可以與第二金屬層12同層設(shè)置。
[0026]陣列基板100的非顯示區(qū)102內(nèi)設(shè)有驅(qū)動(dòng)電路，陣列基板100的顯示區(qū)101內(nèi)設(shè)有多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元包括一個(gè)薄膜晶體管，掃描線111的一端與薄膜晶體管的柵極電相連，掃描線111的另一端與柵極驅(qū)動(dòng)電路113電相連;數(shù)據(jù)線121的一端與薄膜晶體管的源極電相連，數(shù)據(jù)線121的另一端與源極驅(qū)動(dòng)電路123電相連;在進(jìn)行一幅畫面的顯示時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路能夠發(fā)出驅(qū)動(dòng)掃描信號(hào)，通過掃描線111控制薄膜晶體管的導(dǎo)通和斷開，當(dāng)薄膜晶體管被導(dǎo)通，顯示信號(hào)通過數(shù)據(jù)線121輸入顯示像素中，從而進(jìn)行一幅畫面的顯示。柵極驅(qū)動(dòng)電路113可以與第一金屬層11同層設(shè)置，源極驅(qū)動(dòng)電路123可以與第二金屬層12同層設(shè)置。
[0027]在本實(shí)施例中，觸控電極131可以用于實(shí)現(xiàn)包含陣列基板100的顯示面板的觸控功能。在互容式觸控顯示面板中，觸控電極131可以用作互容式觸控電極，例如作為觸控發(fā)射電極，通過觸控信號(hào)線112接收觸控信號(hào)，與觸控接收電極形成互電容，通過檢測(cè)互電容的變化來確定觸摸點(diǎn)。在自容式觸摸顯示面板中，觸控電極131可以用作自容式觸控電極，通過觸控信號(hào)線112接收觸控信號(hào)，并將在檢測(cè)到觸摸點(diǎn)時(shí)將由于自電容變化而產(chǎn)生的感應(yīng)信號(hào)通過觸控信號(hào)線112傳遞至觸摸檢測(cè)電路。
[0028]本實(shí)施例提供的陣列基板100，通過將觸控信號(hào)線與陣列基板上已有的金屬層同層設(shè)置，省去了觸控信號(hào)線金屬層的制作，在制作陣列基板時(shí)可以降低工藝復(fù)雜度。
[0029]進(jìn)一步參考圖2，其示出了本申請(qǐng)?zhí)峁┑年嚵谢宓囊粋€(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，陣列基板200包括呈陣列排布的像素單元203、沿像素單元203的行方向延伸的掃描線211以及沿像素單元203的列方向延伸的數(shù)據(jù)線221。在本實(shí)施例中，用于向觸控電極傳輸觸控信號(hào)的觸控信號(hào)線212與掃描線所在的第一金屬層同層設(shè)置。觸控信號(hào)線212設(shè)置于相鄰兩行像素單元203之間，與顯示區(qū)內(nèi)的掃描線211絕緣且走線方向一致。在圖2中，觸控信號(hào)線212與掃描線211平行。在顯示階段，掃描線211接收柵極掃描電路輸出的掃描信號(hào)，此時(shí)觸控信號(hào)線212可以作為公共電極線為公共電極傳輸顯示所需要的公共電壓。由于掃描線211和觸控信號(hào)線212絕緣，掃描線211和觸控信號(hào)線212上的信號(hào)互不干擾，避免形成寄生電容影響顯示效果，并且可以使用一道工序同時(shí)形成觸控信號(hào)線212與掃描線211，降低了工藝成本，也減少了顯示面板的膜層數(shù)量。
[0030]在本實(shí)施例的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，陣列基板還包括形成于第一金屬層和觸控電極層之間的第一絕緣層。第一絕緣層上設(shè)有貫穿第一絕緣層的至少一個(gè)第一導(dǎo)通孔241，觸控信號(hào)線212通過至少一個(gè)第一導(dǎo)通孔241與多個(gè)觸控電極電連接。
[0031]進(jìn)一步參考圖3，其示出了圖2所示陣列基板的局部剖面圖。圖3所示為沿圖2中與數(shù)據(jù)線221平行線的SI剖開的切面示意圖。如圖3所示，陣列基板200包括襯底基板20，襯底基板20包括顯示區(qū)201和非顯示區(qū)202。陣列基板200還包括在垂直于襯底基板20的方向上排列的第一金屬層21和第二金屬層22。其中，第一金屬層21用于形成陣列基板200的掃描線211，第二金屬層22用于形成陣列基板200的數(shù)據(jù)線221。顯示區(qū)201內(nèi)設(shè)有多個(gè)呈陣列排布的像素單元。像素單元的行方向?yàn)閽呙杈€211的延伸方向，像素單元的列方向?yàn)閿?shù)據(jù)線221的延伸方向。陣列基板200還包括觸控電極層23和觸控信號(hào)線212。觸控信號(hào)線212與第一金屬層21同層設(shè)置。觸控電極層23包括多個(gè)觸控電極231。觸控信號(hào)線212與一個(gè)觸控電極231電相連，為觸控電極231傳輸觸控信號(hào)。
[0032]在本實(shí)施的一些可選的實(shí)現(xiàn)方式中，陣列基板200還包括形成于第一金屬層21和觸控電極層23之間的第一絕緣層24。第一絕