緣層24上設(shè)有貫穿第一絕緣層24的至少一個第一導通孔241。觸控信號線212通過至少一個第一導通孔241與多個觸控電極231電連接。
[0033]如圖3所示,第一絕緣層24可以形成于第一金屬層21和觸控電極層23之間。第一絕緣層可以為多個,例如當?shù)诙饘賹?2形成于第一金屬層21和觸控電極層23之間時,第一金屬層21和第二金屬層22之間、以及第二金屬層22和觸控電極層23之間可以均設(shè)有第一絕緣層24。在制作陣列基板時,可以沿垂直于襯底基板方向依次形成:第一金屬層21、第一層第一絕緣層、第二金屬層22、第二層第一絕緣層、觸控電極層23,并在第一層第一絕緣層和第二層第一絕緣層相對的位置上設(shè)置第一導通孔。觸控信號線212形成于第一金屬層21上,通過貫穿第一層第一絕緣層和第二層第一絕緣層的第一導通孔241與觸控電極231電連接。
[0034]在本實施例的一些可選的實現(xiàn)方式中,在第一絕緣層24上可以設(shè)有多個并聯(lián)的第一導通孔241。多個并聯(lián)的第一導通孔不僅可以進一步減小觸控電極的電阻,還可以在觸控信號線無法通過一個第一導通孔向觸控電極傳輸信號時其他第一導通孔可以保證觸控信號線與觸控電極的電連接的穩(wěn)定性。
[0035]在進一步的實現(xiàn)方式中,第一導通孔241設(shè)置于相鄰的兩個像素單元之間。在本實施例中,可以以一定長度間隔設(shè)置第一導通孔。任意兩個第一導通孔241之間相隔多個像素單元的長度,即多個像素單元之間僅設(shè)置一個導通孔,有利于提升陣列基板的開口率。
[0036]需要說明的是,陣列基板200的非顯示區(qū)202內(nèi)設(shè)有柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路以及薄膜晶體管,這些公知的結(jié)構(gòu)在圖2中并未示出。
[0037]請參考圖4,其示出了本申請?zhí)峁┑年嚵谢宓牧硪粋€實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示,陣列基板400包括呈陣列排布的像素單元403、沿像素單元403的行方向延伸的掃描線411以及沿像素單元403的列方向延伸的數(shù)據(jù)線421。在本實施例中,用于向觸控電極傳輸觸控信號的觸控信號線422與數(shù)據(jù)線421所在的第二金屬層同層設(shè)置。觸控信號線422設(shè)置于相鄰兩列像素單元403之間,與顯示區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)線421絕緣且走線方向一致。在圖4中,觸控信號線422與數(shù)據(jù)線421平行。在顯示階段,數(shù)據(jù)線421接收驅(qū)動電路輸出的數(shù)據(jù)信號,此時觸控信號線422作為公共電極線為公共電極傳輸顯示所需要的公共電壓。由于數(shù)據(jù)線421和觸控信號線422絕緣,數(shù)據(jù)線421和觸控信號線422上的信號互不干擾,避免形成寄生電容影響顯示效果。并且可以使用一道工序同時形成觸控信號線422與數(shù)據(jù)線421,降低了工藝成本,也減少了顯示面板的膜層數(shù)量。
[0038]在本實施例的一些可選的實現(xiàn)方式中,陣列基板還包括形成于第二金屬層和觸控電極層之間的第二絕緣層。第二絕緣層上設(shè)有貫穿第二絕緣層的至少一個第二導通孔441,觸控信號線422通過至少一個第二導通孔441與多個觸控電極電連接。
[0039]進一步參考圖5,其示出了圖4所示陣列基板的局部剖面圖。圖5所示為沿圖4中與掃描線411平行的線S2剖開的切面示意圖。如圖5所示,陣列基板400包括襯底基板40,襯底基板40包括顯示區(qū)401和非顯示區(qū)402。陣列基板400還包括在垂直于襯底基板40的方向上排列的第一金屬層41和第二金屬層42。其中,第一金屬層41用于形成陣列基板400的掃描線411,第二金屬層42用于形成陣列基板400的數(shù)據(jù)線421。顯示區(qū)401內(nèi)設(shè)有多個呈陣列排布的像素單元。像素單元的行方向為掃描線411的延伸方向,像素單元的列方向為數(shù)據(jù)線421的延伸方向。陣列基板400還包括觸控電極層43和觸控信號線422。觸控信號線422與第二金屬層42同層設(shè)置。觸控電極層43包括多個觸控電極431。觸控信號線422與一個觸控電極431電相連,為觸控電極431傳輸觸控信號。
[0040]在本實施的一些可選的實現(xiàn)方式中,陣列400還包括形成于第二金屬層42和觸控電極層43之間的第二絕緣層44。第二絕緣層44上設(shè)有貫穿第二絕緣層的至少一個第二導通孔441。觸控信號線422通過至少一個第二導通孔441與多個觸控電極431電連接。
[0041]如圖5所示,第二絕緣層44可以形成于第二金屬層42和觸控電極層43之間。在本實施例的一些可選的實現(xiàn)方式中,在第二絕緣層44上可以設(shè)有多個并聯(lián)的第二導通孔441。多個并聯(lián)的第一導通孔不僅可以進一步減小觸控電極的電阻,還可以保證觸控信號線與觸控電極的連接的穩(wěn)定性。
[0042]在進一步的實現(xiàn)方式中,第二導通孔441設(shè)置于相鄰的兩個像素單元之間。在本實施例中,任意兩個第二導通孔441之間可以相隔多個像素單元的長度,多個公共電極可以共用一個第二導通孔,有利于提升陣列基板的開口率。
[0043]在一些實施例中,如果陣列基板用于LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低溫多晶娃)屏幕,則陣列基板還可以包括TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管)遮光金屬層,用于遮擋陣列基板上與像素單元連接的TFT,避免TFT受到光照后產(chǎn)生漏電流影響像素單元的掃描和顯示。
[0044]進一步參考圖6A,其示出了本申請?zhí)峁┑年嚵谢宓挠忠粋€實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6A所示,陣列基板600A包括呈陣列排布的像素單元603、沿像素單元603的行方向延伸的掃描線611以及沿像素單元603的列方向延伸的數(shù)據(jù)線621JFT遮光金屬層在襯底基板上具有正投影,且正投影將TFT遮擋,避免TFT受到光照。在本實施例中,用于向觸控電極傳輸觸控信號的觸控信號線652與TFT遮光金屬651所在的TFT遮光金屬層同層設(shè)置。觸控信號線652設(shè)置于相鄰兩行像素單元603之間,與顯示區(qū)內(nèi)的掃描線611絕緣且走線方向一致。在圖6A中,觸控信號線652與掃描線611平行。在顯示階段,掃描線611接收柵極驅(qū)動電路輸出的掃描信號,此時觸控信號線652作為公共電極線為公共電極傳輸顯示所需要的公共電壓。由于TFT遮光金屬層僅用于遮擋薄膜晶體管,其與陣列基板上的其他導電層之間設(shè)有絕緣層,故而TFT遮光金屬層與第一金屬層、第二金屬層、觸控電極層以及其他導電層(例如像素電極層)之間彼此絕緣,與TFT遮光金屬層同層設(shè)置的觸控信號線652與形成于第一金屬層61上的掃描線絕緣,觸控信號線652與掃描線611上的信號互不干擾,從而可以避免形成寄生電容影響顯示效果。另外,與TFT遮光金屬層同層設(shè)置的觸控信號線652與設(shè)置于其他導電層的信號線(例如數(shù)據(jù)線、柵線、源極驅(qū)動電路中的信號線、柵極驅(qū)動電路中的信號線等)之間不會發(fā)生短路,從而保證陣列基板顯示效果的穩(wěn)定性。
[0045]繼續(xù)參考圖6B,其示出了本申請?zhí)峁┑年嚵谢宓脑僖粋€實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6B所示,陣列基板600B包括呈陣列排布的像素單元603、沿像素單元603的行方向延伸的掃描線611以及沿像素單元603的列方向延伸的數(shù)據(jù)線621JFT遮光金屬層在襯底基板上的具有正投影,且正投影將TFT遮擋,避免TFT受到光照。在本實施例中,用于向觸控電極傳輸觸控信號的觸控信號線653與TFT遮光金屬651所在的TFT遮光金屬層同層設(shè)置。觸控信號線653設(shè)置于相鄰兩列像素單元603之間,與顯示區(qū)內(nèi)的數(shù)據(jù)線611絕緣且走線方向一致。在圖6B中,觸控信號線653與數(shù)據(jù)線621平行。在顯示階段,數(shù)據(jù)線621接收驅(qū)動電路輸出的數(shù)據(jù)信號,此時觸控信號線653作為公共電極線為公共電極傳輸顯示所需要的公共電壓。由于數(shù)據(jù)線621和觸控信號線653絕緣,數(shù)據(jù)線621和觸控信號線653上的信號互不干擾,從而可以避免形成寄生電容影響顯示效果。
[0046]在圖6A或圖6B所示的實施例中,陣列基板600A或600B還可以包括形成于TFT遮光金屬層和觸控電極層之間的第三絕緣層。第三絕緣層上設(shè)有貫穿第三絕緣層的至少一個第三導通孔641或651,觸控信號線通過至少一個第三導通孔641或651與多個觸控電極電連接。
[0047]進一步參考圖7A,其示出了圖6A所示陣列基板的局部剖面圖。圖7A所示為沿圖6A中與數(shù)據(jù)線621平行的線S3剖開的切面。如圖7A所示,陣列基板600A包括襯底基板60,襯底基板60包括顯示區(qū)601和非顯示區(qū)602。陣列基板600A還包括在垂直于襯底基板60的方向上排列的第一金屬層61、第二金屬層62和TFT遮光金屬層65。其中,第一金屬層61用于形成陣列基板600A的掃描線611和TFT的柵極612,第二金屬層62用于形成陣列基板600A的數(shù)據(jù)線621。顯示區(qū)601內(nèi)設(shè)有多個呈陣列排布的像素單元。像素單元的行方向為掃描線611的延伸方向,像素單元的列方向為數(shù)據(jù)線621的延伸方向。陣列基板600A還包括觸控電極層63和與TFT遮光金屬層65同層設(shè)置的觸控信號線652。觸控電極層63包括多個觸控電極631。觸控信號線652與一個觸控電極631電相連,為觸控電極631傳輸觸控信號。
[0048]在本實施的一些可選的實現(xiàn)方式中,陣列基板600A還包括形成于TFT遮光金屬層65和觸控電極層63之間的第三絕緣層64。第三絕緣層64上設(shè)有貫穿第三絕緣層的至少一個第三導通孔641。觸控信號線652通過至少一個第三導通孔641與多個觸控電極631電連接。
[0049]進一步參考圖7B,其示出了圖6B所示陣列基板的局