，傳輸晶體管MT使第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平被設(shè)定為第三電平，此第三電平系接近或?qū)嵸|(zhì)上等于第一電平。反之，當(dāng)傳輸晶體管MT接收該偏壓電平FPW且第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓電平為第二電平(高電平，對(duì)應(yīng)至數(shù)位值“I”)時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平系獨(dú)立于第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓電平。
[0124]舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)傳輸晶體管MT的控制端接收I伏特的偏壓電平FPW且第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓電平為第一電平(O伏特)，由于傳輸晶體管MT的控制端與第一節(jié)點(diǎn)NI間的電壓差大于傳輸晶體管MT的閾值電壓,傳輸晶體管MT為導(dǎo)通,此時(shí)不論第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平為何，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平會(huì)因?yàn)閭鬏斁w管MT的被導(dǎo)通而設(shè)定為實(shí)質(zhì)上等于或接近第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓電平，亦即O伏特或接近O伏特(若傳輸晶體管MT的漏極端與源極端在導(dǎo)通時(shí)具有小伏特?cái)?shù)的電壓差)。
[0125]又，當(dāng)傳輸晶體管MT的控制端接收I伏特的偏壓電平FPW且第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓電平為第二電平(例如5伏特)，此時(shí)假使第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平為第三電平(例如O伏特)，由于傳輸晶體管MT的控制端與第二節(jié)點(diǎn)N2間的電壓差大于傳輸晶體管MT的閾值電壓而使得傳輸晶體管MT導(dǎo)通，第二節(jié)點(diǎn)N2將被傳輸晶體管MT的導(dǎo)通電流充電而使得電壓電平上升至約0.3伏特(亦即等于I伏特減去一閾值電壓0.7伏特)。此時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平(0.3伏特)系接近約為O伏特的第三電平，仍無(wú)法使感測(cè)晶體管MSE導(dǎo)通。
[0126]又，當(dāng)傳輸晶體管MT的控制端接收I伏特的偏壓電平FPW且第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓電平為第二電平(例如5伏特)，此時(shí)假使第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平為第四電平(例如5伏特)，由于傳輸晶體管MT的漏極端與源極端的電壓電平皆大于控制端的電壓電平，故傳輸晶體管MT不導(dǎo)通，使第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平仍維持第四電平(例如5伏特)。
[0127]簡(jiǎn)言之，當(dāng)傳輸晶體管MT接收偏壓電平FPW，傳輸晶體管MT只會(huì)將第一節(jié)點(diǎn)NI的第一電平傳輸(對(duì)應(yīng)于低電平或數(shù)字值“O”)至第二節(jié)點(diǎn)N2，而不會(huì)將第一節(jié)點(diǎn)NI的第二電平傳輸(對(duì)應(yīng)于高電平或數(shù)字值“I”)至第二節(jié)點(diǎn)N2(使得第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平獨(dú)立于第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓電平)。
[0128]于另一例子中，假使傳輸晶體管MT為P型晶體管的話，則偏壓電平FPW的大小介于傳輸晶體管MT的高電壓源電壓減去一個(gè)閾值電壓至高電壓源電壓減去兩個(gè)閾值電壓之間。
[0129]于本實(shí)施例中，在設(shè)定時(shí)間區(qū)段Tset內(nèi)，當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路202與第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路206所儲(chǔ)存的第一數(shù)據(jù)電壓以及第二數(shù)據(jù)電壓所對(duì)應(yīng)的一組儲(chǔ)存數(shù)據(jù)(例如為“11”、“ 10，，、“ 00 ”、或“ O I”)與驗(yàn)證電壓所對(duì)應(yīng)的驗(yàn)證數(shù)據(jù)(例如為“ 11 ”、“ 10，，、“ 00 ”、或“01”)相符，第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓電平系被設(shè)定為第二電平(高電平，對(duì)應(yīng)至數(shù)字值“I”)，使得第二節(jié)點(diǎn)N2獨(dú)立于第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓電平而維持在一個(gè)接近或?qū)嵸|(zhì)上等于原本電壓電平的電壓電平(可能為第三電平或第四電平)。反之，當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)電壓以及第二數(shù)據(jù)電壓所對(duì)應(yīng)的一組儲(chǔ)存數(shù)據(jù)與驗(yàn)證電壓所對(duì)應(yīng)的驗(yàn)證數(shù)據(jù)不相符，第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓電平被設(shè)定為第一電平(低電平，對(duì)應(yīng)至數(shù)字值“O”)，使得第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平被設(shè)定為第三電平(低電平，對(duì)應(yīng)至數(shù)位值“ O ”)。
[0130]請(qǐng)參考圖12，其繪示當(dāng)驗(yàn)證電壓為電壓PV1，且第一數(shù)據(jù)電壓以及第二數(shù)據(jù)電壓所對(duì)應(yīng)的一組儲(chǔ)存數(shù)據(jù)與驗(yàn)證電壓所對(duì)應(yīng)的驗(yàn)證數(shù)據(jù)不相符的情況的示意圖。
[0131]如圖12所示，假設(shè)第一數(shù)據(jù)電壓(第三節(jié)點(diǎn)N3的電壓)以及第二數(shù)據(jù)電壓(第五節(jié)點(diǎn)N5的電壓)分別對(duì)應(yīng)于數(shù)字值“O”以及“1”，也就是說(shuō)，第一數(shù)據(jù)電壓以及第二數(shù)據(jù)電壓所對(duì)應(yīng)的一組數(shù)據(jù)為2位數(shù)據(jù)“01”。假設(shè)目前所使用的驗(yàn)證電壓為電壓PV1。由于為驗(yàn)證電壓(PVl)所對(duì)應(yīng)的所需對(duì)儲(chǔ)存于目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC的內(nèi)容值進(jìn)行驗(yàn)證的驗(yàn)證數(shù)據(jù)為數(shù)字值“ 10”，故知，此種情況之下，第一數(shù)據(jù)電壓以及第二數(shù)據(jù)電壓所對(duì)應(yīng)的一組儲(chǔ)存數(shù)據(jù)(“01”)與驗(yàn)證數(shù)據(jù)“10”并不相符。此時(shí)，第一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路202以及第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路206分別經(jīng)由設(shè)定電流路徑Isetl以及設(shè)定電流路徑Iset2輸出第一數(shù)據(jù)電壓(對(duì)應(yīng)數(shù)字值“O”)以及反相的第二數(shù)據(jù)電壓(對(duì)應(yīng)數(shù)字值“O”)至第一節(jié)點(diǎn)NI，使得第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓電平為第一電平(低電平，對(duì)應(yīng)數(shù)字值“O”)，進(jìn)而使得第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平被設(shè)定至接近或?qū)嵸|(zhì)上等于第一電平的第三電平(低電平，對(duì)應(yīng)數(shù)位值“O”)。
[0132]請(qǐng)參考圖13，其繪示當(dāng)驗(yàn)證電壓為電壓PV1，且第一數(shù)據(jù)電壓以及第二數(shù)據(jù)電壓所對(duì)應(yīng)的一組儲(chǔ)存數(shù)據(jù)與驗(yàn)證電壓所對(duì)應(yīng)的驗(yàn)證數(shù)據(jù)相符的情況的示意圖。如圖13所示，假設(shè)第一數(shù)據(jù)電壓(節(jié)點(diǎn)N3的電壓)以及第二數(shù)據(jù)電壓(第五節(jié)點(diǎn)N5的電壓)分別對(duì)應(yīng)于數(shù)字值“ I ”以及“O”，也就是說(shuō)，第一數(shù)據(jù)電壓以及第二數(shù)據(jù)電壓所對(duì)應(yīng)的一組儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為2位數(shù)據(jù)“10”。假設(shè)目前所使用的驗(yàn)證電壓為電壓PVl。此情況下，第一數(shù)據(jù)電壓以及第二數(shù)據(jù)電壓所對(duì)應(yīng)的一組儲(chǔ)存數(shù)據(jù)“10”與為驗(yàn)證電壓(PVl)所對(duì)應(yīng)的驗(yàn)證數(shù)據(jù)“10”相符。此時(shí)，第一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路202以及第二數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路206分別經(jīng)由設(shè)定電流路徑Iset3以及設(shè)定電流路徑Iset4輸出第一數(shù)據(jù)電壓(對(duì)應(yīng)數(shù)字值“I”)以及反相的第二數(shù)據(jù)電壓(對(duì)應(yīng)數(shù)字值“I”)至第一節(jié)點(diǎn)NI，使得第二節(jié)點(diǎn)N2的為接近或?qū)嵸|(zhì)上等于原本的電壓電平(可能為第三電平或第四電平，圖13中以X代表)。
[0133]本實(shí)施例中，當(dāng)存儲(chǔ)單元閾值電壓大于驗(yàn)證電壓，于驗(yàn)證時(shí)將不會(huì)有電流流過目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC，使第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平系對(duì)應(yīng)至數(shù)字值“1”，這表示對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC編程成功且不需再次編程。反之，當(dāng)存儲(chǔ)單元閾值電壓小于驗(yàn)證電壓，于驗(yàn)證時(shí)將會(huì)產(chǎn)生電流并流過目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC，使第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平系對(duì)應(yīng)至數(shù)字值“0”，這表示對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC編程失敗且需要再次編程。然而，當(dāng)?shù)诙?jié)點(diǎn)N2的電壓電平對(duì)應(yīng)至數(shù)字值“I”時(shí)，并不一定代表數(shù)據(jù)已正確地寫入目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC。舉例來(lái)說(shuō)，請(qǐng)參照?qǐng)D11，假使目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC原本欲編程至對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)“10”，但卻被編程至對(duì)應(yīng)資料“00” (編程過度而失敗)，此時(shí)，當(dāng)以具有電壓電平PVl的驗(yàn)證電壓對(duì)此目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC進(jìn)行驗(yàn)證時(shí)，由于不會(huì)產(chǎn)生電流對(duì)第二節(jié)點(diǎn)N2進(jìn)行放電(目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC的柵極端電壓電平小于存儲(chǔ)單元閾值電壓)，使第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平仍維持于預(yù)充電時(shí)的高電平(對(duì)應(yīng)至數(shù)位值“I”)，進(jìn)而誤判為編程成功。因此，本實(shí)施例的集成電路200通過接收具有特定電壓電平的偏壓電平的傳輸晶體管MT，可在第一數(shù)據(jù)電壓以及第二數(shù)據(jù)電壓所對(duì)應(yīng)的一組儲(chǔ)存數(shù)據(jù)與驗(yàn)證電壓所對(duì)應(yīng)的驗(yàn)證數(shù)據(jù)不相符時(shí)，依據(jù)第一節(jié)點(diǎn)NI的第一電平(對(duì)應(yīng)至數(shù)字值“O”)設(shè)定第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平，使第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平為接近或?qū)嵸|(zhì)上等于第一電平(對(duì)應(yīng)至數(shù)字值“0”，表示需要再次編程)，以簡(jiǎn)單的電路控制程序即可有效地避免類似上述情況的誤判的發(fā)生。
[0134]雖然本實(shí)施例是以驗(yàn)證電壓為電壓PVl為例做說(shuō)明，本實(shí)施例亦適用于驗(yàn)證電壓為電壓PV2或PV3的情況下。同樣地，雖然本實(shí)施例是以第一數(shù)據(jù)電壓以及第二數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)至2位數(shù)據(jù)“10”為例做說(shuō)明，本實(shí)施例亦可適用于第一數(shù)據(jù)電壓以及第二數(shù)據(jù)電壓對(duì)應(yīng)至2位數(shù)據(jù)“ 11”、“ 00 ”、及“ O I”的情況下。
[0135]接著，在讀取驗(yàn)證時(shí)間區(qū)段Tstrv，集成電路200依據(jù)第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓電平選擇性地改變第一數(shù)據(jù)電壓或第二數(shù)據(jù)電壓，以決定是否繼續(xù)對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC進(jìn)行編程。
[0136]擦除操作
[0137]圖14繪示集成電路200于擦除操作的訊號(hào)波形圖。由圖14可看出，集成電路200先對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC執(zhí)行讀取操作(包括初始化時(shí)間區(qū)段Tin1、預(yù)充電時(shí)間區(qū)段Tpre、感測(cè)時(shí)間區(qū)段Tsen以及讀取時(shí)間區(qū)段Tstr)，并將目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存至第三節(jié)點(diǎn)N3以作為第一數(shù)據(jù)電壓。接著，在檢查時(shí)間區(qū)段Tche，第一晶體管Ml被致能，第一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路202將第三節(jié)點(diǎn)N3的第一數(shù)據(jù)電壓輸出至第一節(jié)點(diǎn)NI。之后，在擦除時(shí)間階段Tres，擦除電路216依據(jù)第一節(jié)點(diǎn)NI的電壓電平，決定是否對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單元MC進(jìn)行擦除操作。舉例來(lái)說(shuō)，擦除電路216包括一 P型晶體管，此P型晶體管的柵極端耦接至第一節(jié)點(diǎn)NI。當(dāng)?shù)谝还?jié)點(diǎn)NI的電壓電平為低電平(如第一電平，對(duì)應(yīng)至數(shù)位值“O”)，P型晶體管為導(dǎo)通，此時(shí)擦除電路216使存儲(chǔ)單元閾值電壓被設(shè)