位器LS2、第二逆變器IV2以及第三逆變器IV3。例如，第二逆變器IV2可以輸出反向的邏輯信號(hào)。第二電平移位器LS2將反向的邏輯信號(hào)的電壓電平移位至第二電壓VPP2或地電壓VSS的電壓電平。第三逆變器IV3是CMOS逆變器，并且基于來(lái)自第二電平移位器LS2的輸出信號(hào)來(lái)生成第二開關(guān)信號(hào)GSEL2〈n>。第二電壓VPP2或地電壓VSS可以輸出為第二開關(guān)信號(hào)GSEL2〈n>。
[0150]在圖14中，為了便于說(shuō)明，不出生成一對(duì)第一開關(guān)信號(hào)GSELl〈n>和第二開關(guān)信號(hào)GSEL2〈n>的電路，但發(fā)明構(gòu)思的其他實(shí)施例不限于此。行解碼塊10 (參見(jiàn)圖8A)可以生成多個(gè)第一開關(guān)信號(hào)和第二開關(guān)信號(hào)。行解碼塊10可以包括如圖14中所示的多個(gè)電路，并且可以生成多個(gè)第一開關(guān)信號(hào)和第二開關(guān)信號(hào)。
[0151]圖15是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的電壓選擇器141a的示例的電路圖。
[0152]參照?qǐng)D15，電壓選擇器141a可以包括輸出第一電壓VPPl的第一電壓選擇電路41和輸出第二電壓VPP2的第二電壓選擇電路42。
[0153]第一電壓選擇電路41基于模式選擇信號(hào)SEL_SET、SEL_RESET和SEL_READ根據(jù)存儲(chǔ)裝置(圖2的100)的操作模式而輸出第一電壓VPP1。第一電壓選擇電路41可以包括分別響應(yīng)于模式選擇信號(hào)SEL_SET、SEL_RESET和SEL_READ而操作的多個(gè)開關(guān)。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，例如，開關(guān)可以包括如圖15中所示的MOS晶體管。在圖15中，將開關(guān)描述為PMOS晶體管，但是不限于此。例如，開關(guān)可以是NMOS晶體管或傳輸柵極。
[0154]例如，第一電壓選擇電路41中的諸如第一 PMOS晶體管MPl至第三PMOS晶體管MP3的開關(guān)被配置為響應(yīng)于各自的模式選擇信號(hào)而將第一設(shè)定電壓VPPl_set、第一重置電壓VPPl_reset或第一讀取電壓VPPl_read輸出為第一電壓VPP1。例如，當(dāng)存儲(chǔ)裝置100執(zhí)行設(shè)定寫入操作時(shí)，PMOS晶體管MPl響應(yīng)于設(shè)定選擇信號(hào)SEL_SET而導(dǎo)通并且將第一設(shè)定電壓VPPl_set輸出為第一電壓VPPI。
[0155]第二電壓選擇電路42基于模式選擇信號(hào)SEL_SET、SEL_RESET和SEL_READ根據(jù)存儲(chǔ)裝置100的操作模式而輸出第二電壓VPP2。第二電壓選擇電路42的結(jié)構(gòu)和操作與第一電壓選擇電路41的操作和結(jié)構(gòu)相同。
[0156]例如，第二電壓選擇電路42中的諸如第四PMOS晶體管MP4至第六PMOS晶體管MP6的開關(guān)響應(yīng)于相應(yīng)的模式選擇信號(hào)而將第二設(shè)定電壓VPP2_set、第二重置電壓VPP2_reset或第二讀取電壓VPP2_read輸出為第二電壓VPP2。例如，當(dāng)存儲(chǔ)裝置100執(zhí)行設(shè)定寫入操作時(shí)，第四PMOS晶體管MP4響應(yīng)于設(shè)定選擇信號(hào)SEL_SET而導(dǎo)通并且將第二設(shè)定電壓VPP2_set輸出為第二電壓VPP2。
[0157]相應(yīng)地，第一電壓VPPl和第二電壓VPP2的電壓電平可以根據(jù)存儲(chǔ)裝置100的操作模式而變化。
[0158]圖16是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的電壓生成器140a的框圖。參照?qǐng)D16，電壓生成器140a包括電荷栗50和電壓選擇器60。電荷栗50可以基于對(duì)其施加的電源電壓(未示出)而生成第一高電壓VPP1_PRE和第二高電壓VPP2_PRE。這里，第一高電壓VPP1_PRE的電壓電平可以高于第二高電壓VPP2_PRE的電壓電平。在發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)實(shí)施例中，施加到電荷栗50的電源電壓可以是模擬電源電壓VCC。
[0159]電壓選擇器60接收第一高電壓VPP1_PRE、第二高電壓VPP2_PRE和邏輯電源電壓VINT。電壓選擇器60也接收模擬電源電壓VCC。模擬電源電壓VCC的電壓電平可以高于邏輯電源電壓VINT的電壓電平，第二高電壓VPP2_PRE的電壓電平可以高于模擬電源電壓VCC的電壓電平。
[0160]電壓選擇器60基于模擬選擇信號(hào)SEL_SET、SEL_RESET和SEL_READ而選擇并輸出接收到的電壓中的一個(gè)電壓作為第一電壓VPP1，并且選擇并輸出接收到的電壓中的另一個(gè)電壓作為第二電壓VPP2。如此，第一電壓VPPl和第二電壓VPP2的電壓電平可以根據(jù)存儲(chǔ)裝置的操作模式而變化。
[0161]在本實(shí)施例中，提供電荷栗50以生成高電壓，但是發(fā)明構(gòu)思的其他實(shí)施例不限于此?？梢岳蒙筛唠妷旱牧硪粋€(gè)電路來(lái)代替電荷栗50。例如，可以使用另一個(gè)升壓電路，該升壓電路基于電源電壓而生成電壓電平比電源電壓的電壓電平高的電壓。
[0162]圖17A是示出圖16的電荷栗50的示例的電路圖，圖17B是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的施加到電荷栗50的栗浦信號(hào)(pumping signal)的波形圖。
[0163]參照?qǐng)D17A，電荷栗50包括基于模擬電源電壓VCC生成第二高電壓VPP2_PRE的第一激勵(lì)電路51以及基于第二高電壓VPP2_PRE生成第一高電壓VPP1_PRE的第二激勵(lì)電路52。第一激勵(lì)電路51可以基于模擬電源電壓VCC和施加到第一電容器Cl和第二電容器C2的栗浦信號(hào)Φ I和Φ 2來(lái)生成第二高電壓VPP2_PRE。第二高電壓VPP2_PRE的電壓電平可以根據(jù)第一栗浦信號(hào)Φ I和第二栗浦信號(hào)Φ2的電壓電平而變化。此外，如圖17B中所示，當(dāng)栗浦信號(hào)Φ1、Φ2、Φ3和Φ4的高電平電壓是模擬電源電壓VCC時(shí)，可以生成電壓電平是模擬電源電壓VCC的電壓電平的三倍的第二高電壓VPP2_PRE。
[0164]第二激勵(lì)電路52可以基于第二高電壓VPP2_PRE和施加到第四電容器C4和第五電容器C5的第三栗浦信號(hào)Φ3和第四栗浦信號(hào)Φ4來(lái)生成第一高電壓VPP1_PRE。第一高電壓VPP1_PRE的電壓電平可以根據(jù)第三栗浦信號(hào)Φ3和第四栗浦信號(hào)Φ4的電壓電平以及第二高電壓VPP2_PRE的電壓電平而變化。此外，如圖17B中所示，當(dāng)栗浦信號(hào)Φ1、Φ2、Φ 3和Φ 4的高電平電壓是模擬電源電壓VCC時(shí)，可以生成電壓電平是模擬電源電壓VCC的電壓電平的五倍的第一高電壓VPP1_PRE。
[0165]以上，參照?qǐng)D17A和圖17B描述了電壓生成單元140a中包括的電荷栗50。然而，電荷栗50不限于圖17A中所示的電路結(jié)構(gòu)，而可以具有各種電路結(jié)構(gòu)。另外，可以根據(jù)第一高電壓VPP1_PRE和第二高電壓VPP2_PRE的目標(biāo)電壓而不同地改變電荷栗50的電路結(jié)構(gòu)。
[0166]圖18是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的圖16的電壓選擇器60的示例的電路圖。
[0167]圖18的電壓選擇器60的結(jié)構(gòu)和操作與圖15的電壓選擇器141a的結(jié)構(gòu)和操作類似。參照?qǐng)D18，施加由電荷栗50生成的第一高電壓VPP1_PRE作為第一設(shè)定電壓VPPl_set，施加邏輯電源電壓VINT作為第一重置電壓VPPl_reset、第二設(shè)定電壓VPP2_set或第二讀取電壓VPP2_read。另外，可以施加模擬電源電壓VCC、第一高電壓VPP1_PRE和第二高電壓VPP2_PRE之一作為第一讀取電壓VPPl_read。另外，可以施加第二高電壓VPP2_PRE作為第二重置電壓VPP2_reset。
[0168]可以基于模式選擇信號(hào)SEL_SET、SEL_RESET和SEL_READ，根據(jù)存儲(chǔ)裝置(圖2的100)的操作模式，選擇第一電壓選擇電路61和第二電壓選擇電路62，分別用于輸出第一電壓VPPl和第二電壓VPP2。
[0169]圖19是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的電壓生成器140b的另一個(gè)示例的框圖。參照?qǐng)D19，電壓生成器140b包括電荷栗50、電壓選擇器60和電壓調(diào)整器70。電荷栗50和電壓選擇器60的結(jié)構(gòu)和操作與參照?qǐng)D16至圖18描述的電荷栗50和壓選擇器60的結(jié)構(gòu)和操作相同，因此，這里省略其詳細(xì)的描述。
[0170]電壓調(diào)整器70調(diào)整第一高電壓VPP1_PRE和第二高電壓VPP2_PRE的電壓電平。電壓調(diào)整器70確定從電荷栗50輸出的第一高電壓VPP1_PRE和第二高電壓VPP2_PRE是否具有目標(biāo)電壓電平，并基于確定的結(jié)果輸出用于控制電荷栗50的操作的第一控制信號(hào)CONl和第二控制信號(hào)C0N2。例如，當(dāng)?shù)谝桓唠妷篤PP1_PRE的電壓電平高于目標(biāo)電壓電平時(shí)，可以輸出用于阻止電荷栗50的第二栗浦電路(圖17A的52)的操作的第一控制信號(hào)C0N1。另外，當(dāng)?shù)诙唠妷篤PP2_PRE的電壓電平高于目標(biāo)電壓電平時(shí)，可以輸出用于阻止第一栗浦電路(圖17A的51)的操作的第二控制信號(hào)C0N2。如此，可以調(diào)整第一高電壓VPP1_PRE和第二高電壓VPP2_PRE的電壓電平。
[0171]圖20是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的圖19的電壓調(diào)整器70的示例的電路圖。
[0172]參照?qǐng)D20，電壓調(diào)整器70包括第一調(diào)整電路71和第二調(diào)整電路72。第一調(diào)整電路71感測(cè)第一高電壓VPP1_PRE的電壓電平以生成第一控制信號(hào)CONl，第二調(diào)整電路72感測(cè)第二高電壓VPP2_PRE的電壓電平以生成第二控制信號(hào)C0N2。
[0173]第一調(diào)整電路71使用第一電阻器Rl和第二電阻器R2來(lái)分配第一高電壓VPP1_PRE，并且將分配的電壓與第一基準(zhǔn)電壓VREF_VPP1(例如，目標(biāo)電壓)進(jìn)行比較以生成第一控制信號(hào)C0N1。例如，當(dāng)?shù)谝桓唠妷篤PP1_PRE高于目標(biāo)電壓時(shí)，第一比較器CMPl生成具有低電平的第一控制信號(hào)CONl，當(dāng)?shù)谝桓唠妷篤PP1_PRE低于目標(biāo)電壓時(shí)，第一比較器CMPl生成具有高電平的第一控制信號(hào)CONl。
[0174]在發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，第一電阻器Rl可以是可變電阻器，第一電阻器Rl的電阻值可根據(jù)存儲(chǔ)裝置(圖1的100)的操作模式而變化。例如，可以將第一電阻器Rl的電阻值設(shè)定為存儲(chǔ)裝置100是執(zhí)行設(shè)定寫入操作、重置寫入操作還是讀取操作的預(yù)定值。相應(yīng)地，第一高電壓VPP1_PRE的電壓電平可以根據(jù)存儲(chǔ)裝置100的操作模式而變化。
[0175]在發(fā)明構(gòu)思的另一個(gè)實(shí)施例中，第一基準(zhǔn)電壓VREF_VPP1的電壓電平可以根據(jù)存儲(chǔ)裝置100的操作模式而變化。相應(yīng)地，第一高電壓VPP1_PRE的電壓電平可以根據(jù)存儲(chǔ)裝置100的操作模式而變化。
[0176]第二調(diào)整電路72使用第三電阻器R3和第四電阻器R4來(lái)分配第二高電壓VPP2_PRE，并且將分配的電壓與第二基準(zhǔn)電壓VREF_VPP2進(jìn)行比較以生成第二控制信號(hào)C0N2。第二調(diào)整電路72的結(jié)構(gòu)和操作與第一調(diào)整電路71的結(jié)構(gòu)和操作類似，因此，這里省略其詳細(xì)描述。
[0177]在發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例中，第三電阻器R3可以是可變電阻器，第三電阻器R3的電阻值可根據(jù)存儲(chǔ)裝置100的操作模式而變化。例如，可以將第三電阻器R3的電阻值設(shè)定為存儲(chǔ)裝置100是執(zhí)行設(shè)定寫入操作、重置寫入操作還是讀取操作的預(yù)定值。相應(yīng)地，第二高電壓VPP2_PRE的電壓電平可以根據(jù)存儲(chǔ)裝置100的操作模式而變化。
[0178]在發(fā)明構(gòu)思的另一個(gè)實(shí)施例中，第二基準(zhǔn)電壓VREF_VPP2的電壓電平可以根據(jù)存儲(chǔ)裝置100的操作模式而變化。相應(yīng)地，第二高電壓VPP2_PRE的電壓電平可以根據(jù)存儲(chǔ)裝置100的操作模式而變化。
[0179]圖21是示出根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的行解碼器RDEC和列解碼器⑶EC的區(qū)塊(tile)和布置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0180]存儲(chǔ)單元陣列IlOa可以包括多個(gè)區(qū)塊Tile I至Tile 4。區(qū)塊是用于將存儲(chǔ)單元陣列IlOa的單元區(qū)域分類的單元，每個(gè)單元區(qū)域包括與字線和位線連接的多個(gè)存儲(chǔ)單元。此外，字線可以連接到一個(gè)行解碼器RDEC(或行選擇塊)，位線可以連接到一個(gè)列解碼器CDEC (或列選擇塊)，上述單元區(qū)域可以定義為區(qū)塊?？梢园磪^(qū)塊為單位來(lái)執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)單元的設(shè)定寫入操作、重置寫入操作和讀取操作。例如，對(duì)第一區(qū)塊Tile I執(zhí)行設(shè)定寫入操作，并同時(shí)對(duì)第二區(qū)塊Tile 2執(zhí)行重置寫入操作。
[0181]區(qū)塊Tile I至Tile 4均可以包括在水平方向上二維布置的存儲(chǔ)單元。在另一個(gè)實(shí)施例中，區(qū)塊Tile I至Tile 4均可以包括在豎直方向上三維布置的存儲(chǔ)單元。與每個(gè)區(qū)塊連接的行解碼器RDEC和列解碼器CDEC可以包括根據(jù)圖8A至圖14中所示的發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的行解碼器150、150a、150b或150c的至少一部分。
[0182]圖22是根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的操作存儲(chǔ)裝置的方法的流程圖。
[0183]參照?qǐng)D22，根據(jù)本實(shí)施例的操作存儲(chǔ)裝置的方法包括:將偏置電壓施加到存儲(chǔ)單元陣列中包括的存儲(chǔ)單元，以用于執(zhí)行寫入操作或讀取操作。以上參照?qǐng)D1至圖21提供的描述可以應(yīng)用于根據(jù)本示例性實(shí)施例的操作存儲(chǔ)裝置的方法。
[0184]根據(jù)操作存儲(chǔ)裝置的方法，確定存儲(chǔ)裝置的操作模式(SllO) ο例如，基于從存儲(chǔ)控制器(例如，圖1的存儲(chǔ)控制器200)發(fā)送的命令CMD可以確定要對(duì)存儲(chǔ)單元陣列執(zhí)行設(shè)定寫入操作、重置寫入操作還是讀取操作。
[0185]基于確定的操作模式生成第一電壓和第二電壓(S120)。這里，第一電壓和第二電壓可以是激活狀態(tài)下的兩個(gè)開關(guān)信號(hào)的電壓，其中，所述兩個(gè)開關(guān)信號(hào)在激活狀態(tài)下被施加到解碼選擇塊(例如，行解碼選擇塊(圖8A的行開關(guān)塊20))中包括的開關(guān)SWl和SW2。第一電壓和第二電壓的電壓電平可以彼此不同。根據(jù)存儲(chǔ)裝置的操作模式，第一電壓的電壓電平可以高于或低于第二電壓的電壓電平。另外，根據(jù)存儲(chǔ)裝置的操作模式，第一電壓的電壓電平和第二電壓的電壓電平中的至少一者可以是可變的。
[0186]將第一電壓施加到與包括所選擇的第一信號(hào)線的多條第一信號(hào)線連接的多個(gè)開關(guān)單元(S130) ο在一個(gè)實(shí)施例中，第一信號(hào)線可以是與存儲(chǔ)單元連接的字線。每個(gè)開關(guān)單元可以包括第一開關(guān)和第二開關(guān)，第一電壓可以施加到第一開關(guān)。在一個(gè)實(shí)施例中，第一開關(guān)和第二開關(guān)可以是相同導(dǎo)電型的MOS晶體管。第一電壓可以施加到第一開關(guān)，S卩，第一 MOS晶體管的柵極端，以導(dǎo)通第一 MOS晶體管。與所選擇的第一信號(hào)線連接的第一 MOS晶體管可以將例如設(shè)定寫入電壓、讀取電壓或地電壓的選擇電壓施加至所選擇的第一信號(hào)線。與未選擇的第一信號(hào)線連接的第一 MOS晶體管可以將抑制電壓施加到未選擇的第一信號(hào)線。
[0187]將第二電壓施加到與其他多條第一信號(hào)線連接的多個(gè)開關(guān)單元(S140)。第二電壓施加到第二開關(guān)(即，第二 MOS晶體管的柵極端)以導(dǎo)通第二 MOS晶體管。其他的多條第一信號(hào)線是未選擇的第一信號(hào)線。第二 MOS晶體管可以將抑制電壓施加到未選擇的第一信號(hào)線。
[0188]