對與所選擇的第一信號線連接的存儲單元執(zhí)行寫入操作或讀取操作(S150)。
[0189]圖23是根據(jù)發(fā)明構思的另一個實施例的操作存儲裝置的方法的流程圖。
[0190]根據(jù)本實施例的操作存儲裝置的方法包括:將偏置電壓施加到存儲單元陣列中包括的被選擇的存儲單元，以用于執(zhí)行寫入操作或讀取操作。以上參照圖1至圖21提供的描述可以應用于根據(jù)本示例性實施例的操作存儲裝置的方法。
[0191]參照圖23，將第一電壓施加到與第一信號線連接的至少兩個第一導電型晶體管開關中的一個(S210)。第一電壓是用于使第一導電型晶體管導通的電壓，當施加有第一電壓的第一導電型晶體管導通時，選擇電壓可以施加到第一信號線。相應地，選擇電壓施加到存儲單元陣列中布置的多條第一信號線之中的至少一條第一信號線(即，上述第一信號線)，就可以選擇該第一信號線，然后可以對與該第一信號線連接的至少一個存儲單元執(zhí)行寫入操作或讀取操作。至少兩個第一導電型晶體管開關可以包括NMOS晶體管。
[0192]將第二電壓施加到與第一信號線連接的所述至少兩個第一導電型晶體管開關中的另一個第一導電型晶體管開關(S220)。第二電壓是用于使其他第一導電型晶體管導通的電壓，抑制電壓可以施加到第一信號線。不對與上述第一信號線連接的存儲單元執(zhí)行寫入操作或讀取操作，而將抑制電壓施加到存儲單元以防止過量的泄漏電流的生成。這里，第一電壓和第二電壓的電壓電平彼此不同，第一電壓的電壓電平基于選擇電壓的電壓電平來確定，第二電壓的電壓電平可以基于抑制電壓的電壓電平來確定。
[0193]在一個實施例中，第一電壓和第二電壓中的至少一個電壓的電壓電平可以根據(jù)存儲裝置的操作模式而變化。
[0194]在一個實施例中，當存儲裝置執(zhí)行設定寫入操作或讀取操作時，第一電壓的電壓電平可以高于第二電壓的電壓電平。
[0195]在另一個實施例中，當存儲裝置執(zhí)行重置寫入操作時，第二電壓的電壓電平可以高于第一電壓的電壓電平。
[0196]圖24是根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的包括電阻式存儲裝置的存儲系統(tǒng)2的框圖。
[0197]參照圖24，存儲系統(tǒng)2包括存儲裝置300和存儲控制器400。存儲裝置300包括存儲單元陣列310、寫入/讀取電路320、控制邏輯330和電壓生成器340。存儲控制器400包括電壓控制器410。
[0198]電壓控制器410確定用于執(zhí)行存儲裝置300的操作(例如，設定寫入操作、重置寫入操作或讀取操作)所必需的電壓的電壓電平以及生成所述電壓的時序，并且可以基于上述確定結果將用于控制電壓生成器340的信號作為控制信號CTRL提供給存儲裝置300。例如，電壓控制器410可以基于存儲裝置300的操作模式來確定用于控制存儲裝置300中包括的開關的開關信號的電壓電平以及根據(jù)存儲裝置300的操作模式施加到存儲單元陣列310的驅動電壓(或偏置電壓)的電壓電平，并且可以控制電壓生成器340以生成用于生成開關信號的電壓。
[0199]圖25是根據(jù)發(fā)明構思的實施例的對其應用存儲系統(tǒng)的存儲卡系統(tǒng)1000的框圖。
[0200]參照圖25，存儲卡系統(tǒng)1000包括主機1100和存儲卡1200。主機1100包括主機控制器1110和主機連接器1120。存儲卡1200包括卡連接器1210、卡控制器1220和存儲裝置1230。這里，存儲卡1200可以根據(jù)圖1至圖24中示出的各種示例性實施例來實現(xiàn)。
[0201]主機1100可以將數(shù)據(jù)寫入到存儲卡1200或可以讀取存儲卡1200中存儲的數(shù)據(jù)。主機控制器1110可以經(jīng)由主機連接器1120將命令CMD、由主機1100中的時鐘生成器生成的時鐘信號CLK以及數(shù)據(jù)DATA發(fā)送至存儲卡1200。
[0202]響應于經(jīng)由卡連接器1210接收的命令CMD，卡控制器1220可以與由卡控制器1220中的時鐘生成器(未示出)生成的時鐘信號同步地將數(shù)據(jù)DATA存儲在存儲裝置1230中。存儲裝置1230可以存儲從主機1100發(fā)送的數(shù)據(jù)DATA。
[0203]存儲卡1200可實現(xiàn)為緊湊型閃存卡(CFC)、微驅動(microdrive)、智能媒體卡(SMC)、多媒體卡(MMC)、安全數(shù)字卡(SDC)、記憶棒或USB閃存驅動。
[0204]圖26示出根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的電阻式存儲模塊2000。參照圖26，電阻式存儲模塊2000包括:存儲裝置2210至2240 ；以及控制芯片2100。存儲裝置2210至2240均可以根據(jù)圖1至圖23中所示的各種示例性實施例來實現(xiàn)。
[0205]響應于通過外部存儲控制器發(fā)送的各種信號，控制芯片2100可以控制存儲裝置2210至2240。例如，根據(jù)從外部源發(fā)送的各種命令和地址，控制芯片2100可以激活與各種命令和地址對應的存儲裝置2210至2240，因此可以控制寫入和讀取操作。另外，控制芯片2100可以對從存儲裝置2210至2240中的每個輸出的讀取數(shù)據(jù)執(zhí)行各種后處理操作，例如，控制芯片2100可以對讀取數(shù)據(jù)執(zhí)行誤差檢測和校正操作。另外，控制芯片2100可以控制存儲裝置2210至2240以調(diào)整通過存儲裝置2210至2240中的每個生成的抑制電壓的數(shù)量或抑制電壓之間的電壓差。
[0206]圖27是根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的包括對其應用存儲系統(tǒng)的固態(tài)硬盤(SSD)系統(tǒng)3000的框圖。
[0207]參照圖27，SSD系統(tǒng)3000包括主機3100和SSD 3200。SSD 3200經(jīng)由信號連接器與主機3100交換信號，并且可以接收從電源連接器輸入的電力。SSD 3200包括SSD控制器3210、輔助電源3220以及多個非易失性存儲裝置(NVM) 3230、3240和3250。這里，SSD 3200可以根據(jù)圖1至圖22的各種示例性實施例而實現(xiàn)。
[0208]圖28是根據(jù)發(fā)明構思的示例性實施例的包括存儲系統(tǒng)的計算系統(tǒng)4000的框圖。
[0209]參照圖28，計算系統(tǒng)4000包括存儲系統(tǒng)4100、處理器4200、RAM 4300、輸入/輸出(I/O)裝置4400和電源裝置4500。存儲系統(tǒng)4100包括存儲裝置4110和存儲控制器4120。盡管圖28中未示出，但是計算系統(tǒng)4000還可以包括能夠與視頻卡、聲卡、存儲卡或USB裝置通信的端口或其他電子裝置。計算系統(tǒng)4000可以被實現(xiàn)為PC，或者諸如筆記本電腦、移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)或照相機的便攜式電子裝置。
[0210]處理器4200可以執(zhí)行具體的計算或任務。在一個或多個示例性實施例中，處理器4200可以是微處理器或中央處理單元(CPU)。處理器4200可以經(jīng)由諸如地址總線、控制總線或數(shù)據(jù)總線的總線4600與RAM 4300、I/O裝置4400和存儲裝置4100執(zhí)行通信。這里，存儲系統(tǒng)4100可以根據(jù)圖1至圖22中所示的示例性實施例來實現(xiàn)。
[0211]在一個或多個示例性實施例中，處理器4200也可以連接到諸如外圍組件互連(PCI)總線的擴展總線。
[0212]RAM 4300可以存儲用于計算系統(tǒng)4000的操作的數(shù)據(jù)。如上所述，根據(jù)發(fā)明構思的一個或多個示例性實施例的存儲裝置可應用于RAM 4300?？蛇x擇地，DRAM、移動DRAM、SRAM、PRAM、FRAM 或 MRAM 可以用作 RAM 4300。
[0213]I/O裝置4400可以包括諸如鍵盤、小鍵盤或鼠標的輸入單元以及諸如打印機或顯示器的輸出單元。電源裝置4500可以供給用于計算系統(tǒng)4000的操作的操作電壓。
[0214]雖然已經(jīng)參照示例性實施例具體示出且描述了發(fā)明構思，但是本領域技術人員將清楚的是，在不脫離發(fā)明構思的精神和范圍的情況下可以進行各種改變和變型。因此，應當理解，上述實施例不是限制性的，而是例示性的。
【主權項】
1.一種存儲裝置，所述存儲裝置包括: 存儲單元陣列，包括分別布置在多條第一信號線與多條第二信號線交叉的區(qū)域中的多個存儲單元；以及 解碼器，包括分別與所述多條第一信號線連接的多個行選擇開關單元， 其中，所述多個行選擇開關單元中的每個選擇性地響應于第一開關信號和第二開關信號而將偏置電壓施加到與所述多個行選擇開關單元中的每個對應的第一信號線，其中，第一開關信號和第二開關信號的電壓電平在激活狀態(tài)下彼此不同。2.根據(jù)權利要求1所述的存儲裝置，其中，所述多個行選擇開關單元中的每個包括響應于第一開關信號而操作的第一開關和響應于第二開關信號而操作的第二開關。3.根據(jù)權利要求2所述的存儲裝置，其中，第一開關和第二開關是第一導電型晶體管。4.根據(jù)權利要求2所述的存儲裝置，其中，第一開關和第二開關中的每個包括η型金屬氧化物半導體晶體管。5.根據(jù)權利要求2所述的存儲裝置，其中，第一開關連接到將偏置電壓提供給所述第一信號線的個體源極線，第二開關連接到將抑制電壓共同地提供給所述多條第一信號線的公共源極線。6.根據(jù)權利要求2所述的存儲裝置，其中，第一開關信號在第一電壓和第三電壓之間轉變，第二開關信號在第二電壓和第三電壓之間轉變。7.根據(jù)權利要求2所述的存儲裝置，其中，第一開關在第一開關信號的電壓電平是第一電壓時接通，第二開關在第二開關信號的電壓電平是第二電壓時接通。8.根據(jù)權利要求7所述的存儲裝置，其中，第一電壓和第二電壓中的至少一個電壓的電壓電平根據(jù)存儲裝置的操作模式而變化。9.根據(jù)權利要求6所述的存儲裝置，其中，當存儲裝置執(zhí)行設定寫入操作或讀取操作時，第一電壓的電壓電平高于第二電壓的電壓電平，當存儲裝置執(zhí)行重置寫入操作時，第一電壓的電壓電平低于第二電壓的電壓電平。10.根據(jù)權利要求6所述的存儲裝置，其中，第三電壓是地電壓。11.根據(jù)權利要求6所述的存儲裝置，其中，當存儲裝置執(zhí)行設定寫入操作或讀取操作時，第一電壓的電壓電平等于或大于設定寫入電壓或讀取電壓的電壓電平與第一開關的閾值電壓電平之和，第二電壓的電壓電平大于第二開關的閾值電壓電平，其中，所述設定寫入電壓或讀取電壓作為偏置電壓被提供給所述多條第一信號線之中的被選擇的第一信號線。12.根據(jù)權利要求6所述的存儲裝置，其中，當存儲裝置執(zhí)行設定寫入操作或讀取操作時，第一電壓的電壓電平大于第一開關的閾值電壓電平，第二電壓的電壓電平大于第二開關的閾值電壓電平和作為偏置電壓被提供給所述多條信號線之中的未選擇的第一信號線的抑制電壓的電壓電平。13.根據(jù)權利要求1所述的存儲裝置，所述存儲裝置還包括: 解碼塊，接收第一電壓和第二電壓，并且基于地址生成具有第一電壓的第一開關信號或具有第二電壓的第二開關信號；以及 電壓驅動單元，用于將偏置電壓提供給所述多個行選擇開關單元中的每個。14.根據(jù)權利要求13所述的存儲裝置，其中，解碼塊生成多個第一開關信號和多個第二開關信號，第一開關信號對應于通過使用第一電壓而被選擇的第一信號線，第二開關信號對應于通過使用第二電壓而未被選擇的第一信號線。15.根據(jù)權利要求13所述的存儲裝置，所述存儲裝置還包括: 電壓生成器，生成第一電壓和第二電壓，并且根據(jù)存儲裝置的操作模式而改變第一電壓和第二電壓中的至少一者。16.根據(jù)權利要求15所述的存儲裝置，其中，電壓生成器包括: 電壓選擇器，用于根據(jù)存儲裝置的操作模式，從由外面施加的至少一個電源電壓和存儲裝置中生成的至少一個內(nèi)部電壓之中，選擇第一電壓或第二電壓；以及 電荷栗，用于生成所述至少一個內(nèi)部電壓。17.一種存儲裝置，所述存儲裝置包括: 存儲單元陣列，包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域包括至少一個被選擇的存儲單元，第二區(qū)域包括未選擇的存儲單元；以及 開關塊，響應于第一電壓的第一開關信號將選擇電壓或抑制電壓施加到第一區(qū)域中的第一信號線，并且響應于第二電壓的第二開關信號將抑制電壓施加到第二區(qū)域中的第一信號線。18.根據(jù)權利要求17所述的存儲裝置，其中，所述開關塊包括多個開關單元，所述多個開關單元中的每個包括同一導電類型的第一金屬氧化物半導體晶體管和第二金屬氧化物半導體晶體管，并且所述多個開關單元分別連接到第一區(qū)域和第二區(qū)域中的第一信號線。19.根據(jù)權利要求18所述的存儲裝置，其中，第一金屬氧化物半導體晶體管在第一開關信號的電壓電平是第一電壓時導通，第二金屬氧化物半導體晶體管在第二開關信號的電壓電平是第二電壓時導通。20.根據(jù)權利要求19所述的存儲裝置，其中，第一電壓和第二電壓中的至少一個電壓根據(jù)存儲裝置的操作模式而變化。21.—種操作存儲裝置的方法，所述存儲裝置包括分別布置在多條第一信號線與多條第二信號線彼此交叉的區(qū)域中的多個存儲單元，并且所述多條第一信號線中的每條連接到用于提供偏置電壓的至少兩個第一導電型晶體管開關，所述方法包括: 將第一電壓施加到與至少一條第一信號線連接的所述至少兩個第一導電型晶體管開關中的一個，從而將選擇電壓施加到所述多條第一信號線之中的所述至少一條第一信號線；以及 將具有與第一電壓的電壓電平不同的電壓電平的第二電壓施加到所述至少兩個第一導電型晶體管開關中的另一個，從而將抑制電壓提供給所述至少一條第一信號線。22.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中，第一電壓的電壓電平和第二電壓的電壓電平根據(jù)存儲裝置的操作模式而變化。23.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中，當存儲裝置執(zhí)行設定寫入操作或讀取操作時，第一電壓的電壓電平高于第二電壓的電壓電平。24.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中，當存儲裝置執(zhí)行重置寫入操作時，第一電壓的電壓電平低于第二電壓的電壓電平。25.根據(jù)權利要求21所述的方法，其中，所述至少兩個第一導電型晶體管包括第一NMOS晶體管和第二 NMOS晶體管，第一 NMOS晶體管響應于第一電壓而導通，第二 NMOS晶體管響應于第二電壓而導通。
【專利摘要】提供了電阻式存儲裝置及其操作方法。存儲裝置包括具有分別布置在多條第一信號線與多條第二信號線交叉的區(qū)域中的多個存儲單元的存儲單元陣列。存儲裝置還包括具有分別與所述多條第一信號線連接的多個行選擇開關單元的解碼器。所述多個行選擇開關單元中的每個選擇性地響應于第一開關信號和第二開關信號而將偏置電壓施加到與所述多個行選擇開關單元中的每個對應的第一信號線，其中，第一開關信號和第二開關信號的電壓電平在激活狀態(tài)下彼此不同。
【IPC分類】G11C13/00
【公開號】CN105632552
【申請?zhí)枴緾N201510829049
【發(fā)明人】尹治元, 樸賢國, 李永宅, 金甫根, 李镕圭
【申請人】三星電子株式會社
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2015年11月25日
【公告號】US20160148683