本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，具體涉及一種等離子體刻蝕爐。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的等離子體刻蝕爐，有的也可以放置多片晶圓，以便同時(shí)對(duì)多片晶圓進(jìn)行刻蝕過程，但是現(xiàn)有的等離子體刻蝕爐中，多片晶圓一般都層疊放置，而反應(yīng)氣體的通入孔只能是偏置在爐體的一端，則如果刻蝕過程中有氣體通入后，則處于后方的晶圓對(duì)氣體的接觸面較少，會(huì)造成反應(yīng)不均勻。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明公開了一種等離子體刻蝕爐。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種等離子體刻蝕爐，包括圓柱狀的爐體；所述爐體的一端的上側(cè)開放有氣體進(jìn)入通道；所述爐體下側(cè)開放有真空排氣通道；所述爐體中固定有晶圓放置臺(tái)；所述晶圓放置臺(tái)為傾斜狀，由爐體的氣體進(jìn)入通道一端到爐體的另一端，晶圓放置臺(tái)的位置越來越高；晶圓放置于晶圓放置臺(tái)之上；晶圓垂直于晶圓放置臺(tái)的上表面，且面向圓柱狀爐體的地面；爐體周圍包圍有兩個(gè)相對(duì)的弧狀射頻電極；射頻發(fā)生器連接于其中一個(gè)射頻電極之上。

本發(fā)明的有益技術(shù)效果是：

本發(fā)明通過改變晶圓放置臺(tái)的角度，使得當(dāng)晶圓放置臺(tái)上放置有多個(gè)晶圓的時(shí)候，位于后方的晶圓也可以均勻接觸產(chǎn)生等離子體的氣體，使得反應(yīng)更加均勻。本發(fā)明尤其適用于爐體較長(zhǎng)的等離子體反應(yīng)爐。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的側(cè)視圖。

圖2是本發(fā)明的正視圖。

具體實(shí)施方式

圖1是本發(fā)明的側(cè)視圖。圖2是本發(fā)明的正視圖。如圖1、圖2所示，本發(fā)明包括圓柱狀的爐體1。爐體1的一端的上側(cè)開放有氣體進(jìn)入通道3。爐體1下側(cè)開放有真空排氣通道2。爐體1中固定有晶圓放置臺(tái)4。晶圓放置臺(tái)4為傾斜狀，由爐體1的氣體進(jìn)入通道3一端到爐體1的另一端，晶圓放置臺(tái)4的位置越來越高。晶圓5放置于晶圓放置臺(tái)4之上。晶圓5垂直于晶圓放置臺(tái)4的上表面，且面向圓柱狀爐體1的地面。爐體1周圍包圍有兩個(gè)相對(duì)的弧狀射頻電極6。射頻發(fā)生器7連接于其中一個(gè)射頻電極6之上。

在反應(yīng)時(shí)，用于產(chǎn)生等離子體的氣體由氣體進(jìn)入通道3進(jìn)入爐體1，射頻發(fā)生器7開始工作，兩個(gè)相對(duì)的弧狀射頻電極6使得位于爐體1中的氣體被激發(fā)為等離子體，對(duì)位于晶圓放置臺(tái)4之上的晶圓5進(jìn)行影響。

在本發(fā)明中，晶圓放置臺(tái)4呈傾斜狀，離氣體進(jìn)入通道3較近的的地方位置較低，而離氣體進(jìn)入通道3較遠(yuǎn)的地方位置較高，那么相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)來說，處于位置較高地方的晶圓5所接觸的用于產(chǎn)生等離子體的氣體面積更大一些，反應(yīng)更加均勻。

以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本發(fā)明不限于以上實(shí)施例?？梢岳斫猓绢I(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進(jìn)和變化，均應(yīng)認(rèn)為包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。