技術總結
本發(fā)明公開了一種等離子體刻蝕爐，包括圓柱狀的爐體；所述爐體的一端的上側開放有氣體進入通道；所述爐體下側開放有真空排氣通道；所述爐體中固定有晶圓放置臺；所述晶圓放置臺為傾斜狀，由爐體的氣體進入通道一端到爐體的另一端，晶圓放置臺的位置越來越高；晶圓放置于晶圓放置臺之上；晶圓垂直于晶圓放置臺的上表面，且面向圓柱狀爐體的地面；爐體周圍包圍有兩個相對的弧狀射頻電極；射頻發(fā)生器連接于其中一個射頻電極之上。本發(fā)明通過改變晶圓放置臺的角度，使得當晶圓放置臺上放置有多個晶圓的時候，位于后方的晶圓也可以均勻接觸產(chǎn)生等離子體的氣體，使得反應更加均勻。本發(fā)明尤其適用于爐體較長的等離子體反應爐。

技術研發(fā)人員：呂耀安
受保護的技術使用者：無錫宏納科技有限公司
文檔號碼：201610585048
技術研發(fā)日：2016.07.22
技術公布日：2016.11.16