本發(fā)明關(guān)于一種透明導(dǎo)電膜制造方法及其結(jié)構(gòu)，特別是指一種減少一次烘烤制程，使得透明導(dǎo)電膜其尺寸熱脹冷縮幅度變小、不會(huì)因該基板熱脹冷縮的影響而產(chǎn)生蝕刻痕以及降低出現(xiàn)裂紋(Crack)的機(jī)率。

背景技術(shù)：

目前的觸控面板電極多使用氧化銦錫(ITO)透明電極片，氧化銦錫(ITO)是一種具有良好透明導(dǎo)電性能的金屬化合物，具有禁帶寬、可見光譜區(qū)光透射率高和電阻率低等特性，氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電玻璃廣泛地應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、特殊功能窗口涂層及其他光電器件領(lǐng)域，是目前LCD、TOP、0LED、觸摸屏等各類平板顯示器件廣泛采用的透明導(dǎo)電電極材料。作為平板顯示器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電玻璃其隨著平板顯示器件的不斷更新和升級(jí)而具有更加廣闊的市場(chǎng)空間。

請(qǐng)參閱圖1所示，其為現(xiàn)有技術(shù)觸控面板制造流程示意圖。現(xiàn)有的透明導(dǎo)電薄膜制程，是先將氧化銦錫薄膜20經(jīng)過退火制程附著于基板10上，并經(jīng)過黃光制程在基板上制作出氧化銦錫圖案(ITO Pattern)30后，將金屬電漿材料40網(wǎng)印(Metal Print)在基板上后再進(jìn)行烘烤以形成金屬導(dǎo)電層401，因此其氧化銦錫薄膜會(huì)經(jīng)過二次加熱。然而，經(jīng)過二次加熱的氧化銦錫薄膜會(huì)有對(duì)位不準(zhǔn)、蝕刻痕明顯以及容易出現(xiàn)裂紋(Crack)的問題存在，造成良率下降、成本上升等問題，仍有待改良。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于上述提到的經(jīng)過二次加熱的氧化銦錫薄膜會(huì)有對(duì)位不準(zhǔn)、蝕刻痕明顯以及容易出現(xiàn)裂紋(Crack)的缺點(diǎn)，本案創(chuàng)作人秉持精益求精的良善動(dòng)機(jī)，提出一種透明導(dǎo)電膜制造方法，可以有效改善上述缺點(diǎn)。

為了達(dá)到上述目的，本創(chuàng)作系采取以下之技術(shù)手段予以達(dá)成，其中，本創(chuàng)作提供一種透明導(dǎo)電膜制造方法，其包括有下列步驟：提供一基板、一導(dǎo)電膜材料、一網(wǎng)印膜板以及一金屬導(dǎo)電漿料，該網(wǎng)印膜板具有預(yù)定形狀之一開口；將該導(dǎo)電膜材料位于該基板上；將該網(wǎng)印膜板位于該導(dǎo)電膜材料上；液化該金屬導(dǎo)電漿料，且將液化的該金屬導(dǎo)電漿料置入該開口；移除該網(wǎng)印膜板；烘烤該導(dǎo)電膜材料以及該金屬導(dǎo)電漿料以形成一導(dǎo)電膜層以及一金屬導(dǎo)電層；將未位于該金屬導(dǎo)電層的該導(dǎo)電膜層圖案化。

在本創(chuàng)作一實(shí)施例中，該金屬導(dǎo)電漿料藉由形成該氧化銦錫層的退火溫度加以固化形成該金屬導(dǎo)電層。

在本創(chuàng)作一實(shí)施例中，藉由黃光制程將未位于該金屬導(dǎo)電層中的該導(dǎo)電膜層圖案化。

本創(chuàng)作還提供一種透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其包括有：一基板，其為樹脂聚合物(polyethylene terephthalate，PET)材料所制成；一導(dǎo)電膜層，其位于該基板之一側(cè)面上，該氧化銦錫層包括有一圖案區(qū)域以及一承載區(qū)域；以及一金屬導(dǎo)電層，其位于該承載區(qū)域上，該金屬導(dǎo)電層與該導(dǎo)電膜層交界處外緣具有一蝕刻口。

在本創(chuàng)作一實(shí)施例中，該蝕刻口與該金屬導(dǎo)電層具有一夾角，該夾角為0度至45度之間。

在本創(chuàng)作一實(shí)施例中，該蝕刻口位于該金屬導(dǎo)電層的尺寸為0至15奈米(nm)之間。

在本創(chuàng)作一實(shí)施例中，該金屬導(dǎo)電層位于該承載區(qū)域上的厚度尺寸為1至5微米(μm)之間。

在本創(chuàng)作一實(shí)施例中，該導(dǎo)電膜層為氧化銦錫(Indium Tin Oxides,ITO)、奈米銀線(Silver nanowires,AgNW)、聚乙烯二氧噻吩(3,4-ethylenedioxythiophene,PEDOT)或奈米碳管(Carbon Nanotube,CNT)所制成。

在本創(chuàng)作一實(shí)施例中，該金屬導(dǎo)電層為印刷銀漿、雷射銀漿、感光型銀漿或銅漿所制成。

附圖說明

圖1為其為現(xiàn)有技術(shù)觸控面板制造流程示意圖；

圖2為本創(chuàng)作透明導(dǎo)電膜制造方法較佳實(shí)施例之方法流程圖；

圖3為本創(chuàng)作透明導(dǎo)電膜制造方法較佳實(shí)施例之制造流程示意圖；

圖4為本創(chuàng)作本創(chuàng)作透明導(dǎo)電膜其邊框結(jié)構(gòu)局部放大示意圖；

圖5為本創(chuàng)作本創(chuàng)作透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)蝕刻口示意圖；

圖6為本創(chuàng)作與習(xí)知技術(shù)透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)比較示意圖；

圖7為本創(chuàng)作與習(xí)知技術(shù)透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)之掃瞄式電子顯微鏡(SEM)斷面分析示意圖。

本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。

具體實(shí)施方式

為達(dá)成上述目的及功效，本創(chuàng)作所采用之技術(shù)手段及構(gòu)造，茲繪圖就本創(chuàng)作較佳實(shí)施例詳加說明其特征與功能如下，俾利完全了解，但須注意的是，該等內(nèi)容不構(gòu)成本發(fā)明的限定。

請(qǐng)同時(shí)參閱圖2及圖3所示，其為本創(chuàng)作透明導(dǎo)電膜制造方法較佳實(shí)施例之方法流程圖以及制造流程示意圖。

透明導(dǎo)電膜制造方法包括以下步驟：

步驟91：提供一基板1、一導(dǎo)電膜材料2、一網(wǎng)印膜板5以及一金屬導(dǎo)電漿料4。該基板1為一般觸控面板制程所使用的基板，其可以為樹脂聚合物(polyethylene terephthalate，PET)材料所制成。在本較佳實(shí)施例中，該導(dǎo)電膜材料2為觸控面板電極制程常使用的氧化銦錫(Indium Tin Oxides,ITO)，但不限于此，其也可以為奈米銀線(Silver nanowires,AgNW)、聚乙烯二氧噻吩(3,4-ethylenedioxythiophene,PEDOT)或奈米碳管(Carbon Nanotube,CNT)等。該網(wǎng)印膜板5具有預(yù)定形狀之一開口51。該金屬導(dǎo)電漿料4為觸控面板的感應(yīng)電極之原料，其可為印刷銀漿、雷射銀漿、感光型銀漿或銅漿所制成。

步驟92：將該導(dǎo)電膜材料2位于該基板1上。將氧化銦錫(ITO)材料置于該基板1上。

步驟93：將該網(wǎng)印膜板5位于該導(dǎo)電膜材料2上。該氧化銦錫(ITO)材料分為一圖案區(qū)域22以及一承載區(qū)域23，該網(wǎng)印膜板5位于該氧化銦錫(ITO)材料的承載區(qū)域23上。

步驟94：液化該金屬導(dǎo)電漿料4，且將液化的該金屬導(dǎo)電漿料4置入該開口51。將液化的該金屬導(dǎo)電漿料4置入該開口51。

步驟95：移除該網(wǎng)印膜板5。

步驟96：烘烤該導(dǎo)電膜材料2以及該金屬導(dǎo)電漿料4以形成一導(dǎo)電膜層21以及一金屬導(dǎo)電層41。所述的烘烤為利用該氧化銦錫(ITO)材料的退火(Anneal)制程溫度進(jìn)行烘烤，同時(shí)將該氧化銦錫(ITO)材料烘烤形成該導(dǎo)電膜層21以及將該金屬導(dǎo)電漿料4烘烤形成該金屬導(dǎo)電層41，該金屬導(dǎo)電層41用以做為透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)的感應(yīng)電極走線。

步驟97：將未位于該金屬導(dǎo)電層41下的該導(dǎo)電膜層21圖案化。該金屬導(dǎo)電層41形成于該承載區(qū)域23上，藉由黃光(Photolithography)制程將位于該圖案區(qū)域22的該導(dǎo)電膜層21圖案化。

與習(xí)知透明導(dǎo)電膜制造方法不同的地方在于，習(xí)知的透明導(dǎo)電膜制造方法是先將氧化銦錫薄膜經(jīng)過退火、黃光制程等程序在基板上制作出圖案區(qū)域后，將金屬電漿材料網(wǎng)印(Metal Print)在基板上后再進(jìn)行烘烤以形成金屬導(dǎo)電層，因此其經(jīng)過二次加熱的氧化銦錫薄膜會(huì)有對(duì)位不準(zhǔn)、蝕刻痕明顯以及容易出現(xiàn)裂紋(Crack)的問題存在。而本創(chuàng)作的制造方法是先將金屬導(dǎo)電漿4料網(wǎng)印在該氧化銦錫層上，再進(jìn)行退火及黃光制程，退火制程的溫度可同時(shí)烘烤該金屬導(dǎo)電漿4，因此具有可同時(shí)達(dá)到該氧化銦錫層結(jié)晶化以及該金屬導(dǎo)電漿4固化為該金屬導(dǎo)電層41的優(yōu)點(diǎn)。再者，請(qǐng)更加參閱圖4所示，其為本創(chuàng)作透明導(dǎo)電膜其邊框結(jié)構(gòu)局部放大示意圖。本創(chuàng)作的制造方法可以減少一次烘烤制程，因此完成黃光制程后的導(dǎo)電膜層其尺寸熱脹冷縮幅度變小，該導(dǎo)電膜層亦不會(huì)因該基板熱脹冷縮的影響而產(chǎn)生蝕刻痕以及降低出現(xiàn)裂紋(Crack)的機(jī)率。此外，本創(chuàng)作的制造方法其導(dǎo)電膜層與金屬導(dǎo)電層的橋接處只需要考慮到曝光精度，而不需要考慮到漲縮率及網(wǎng)印對(duì)位精度等問題，因此其邊框長度可由原本的300～400微米(μm)縮小至100微米(μm)內(nèi)，且面阻抗最大容忍范圍可以從200～250微米(μm)縮小至100微米(μm)內(nèi)，具有窄邊框化(slim border)的效果。

請(qǐng)同時(shí)參閱圖3、圖5、圖6及圖7所示，圖5為本創(chuàng)作透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)蝕刻口示意圖，圖6及圖7分別為本創(chuàng)作與習(xí)知技術(shù)透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)比較示意圖及掃瞄式電子顯微鏡(SEM)斷面分析示意圖。本創(chuàng)作還提供一種利用上述方法制造的透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)，其包括有：一基板1、一導(dǎo)電膜層21以及一金屬導(dǎo)電層41。

該基板1為一般觸控面板制程所使用的基板1，其可以為樹脂聚合物(polyethylene terephthalate，PET)材料所制成。

該導(dǎo)電膜層21位于該基板1之一側(cè)面上，該導(dǎo)電膜層21為一薄膜結(jié)構(gòu)，其包括有一圖案區(qū)域22以及一承載區(qū)域23，該導(dǎo)電膜層21為氧化銦錫(ITO)、奈米銀線(AgNW)、聚乙烯二氧噻吩(PEDOT)或奈米碳管(CNT)所制成。

該金屬導(dǎo)電層41為該透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)的感應(yīng)電極走線，其可為印刷銀漿、雷射銀漿、感光型銀漿或銅漿所制成，該金屬導(dǎo)電層41位于該承載區(qū)域23上，該金屬導(dǎo)電層41與該導(dǎo)電膜層21交界處外緣具有一蝕刻口24。

在本創(chuàng)作一實(shí)施例中，該金屬導(dǎo)電層41位于該承載區(qū)域23上的厚度尺寸為1至5微米(μm)之間。

與習(xí)知透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)不同的地方在于，習(xí)知的透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)其金屬導(dǎo)電層40是直接網(wǎng)印在基板10上，而本創(chuàng)作的透明導(dǎo)電膜結(jié)構(gòu)為了減少一次烘烤的制程，其金屬導(dǎo)電層41是網(wǎng)印在導(dǎo)電膜層21上。

受到黃光制程的影響，該導(dǎo)電膜層21與該金屬導(dǎo)電層41的交界處會(huì)產(chǎn)生輕微的側(cè)蝕，而產(chǎn)生該蝕刻口24，但該蝕刻口24并不會(huì)影響功能性。該蝕刻口24位于該金屬導(dǎo)電層41內(nèi)的尺寸H會(huì)介于0至15奈米(nm)之間，且該蝕刻口會(huì)與該金屬導(dǎo)電層41具有一夾角θ，該夾角θ會(huì)介于為0度至45度之間。此外，利用雷射蝕刻技術(shù)可以避免走線短路。

綜合上述，可以看出本創(chuàng)作具有下列優(yōu)點(diǎn)：

1.本創(chuàng)作使用導(dǎo)電膜材料(氧化銦錫)的退火溫度烘烤電漿料，同時(shí)達(dá)到導(dǎo)電膜材料結(jié)晶化以及金屬導(dǎo)電漿固化為金屬導(dǎo)電層的優(yōu)點(diǎn)。

2.本創(chuàng)作可以減少一次烘烤制程，完成黃光制程后的導(dǎo)電膜層其尺寸熱脹冷縮幅度變小，該導(dǎo)電膜層亦不會(huì)因該基板熱脹冷縮的影響而產(chǎn)生蝕刻痕以及降低出現(xiàn)裂紋(Crack)的機(jī)率。

3.本創(chuàng)作導(dǎo)電膜層與金屬導(dǎo)電層的橋接處只需要考慮到曝光精度，而不需要考慮到漲縮率及網(wǎng)印對(duì)位精度等問題，具有窄邊框化(slim border)的效果。

經(jīng)過上述的詳細(xì)說明，已充分顯示本創(chuàng)作具有實(shí)施的進(jìn)步性，且為前所未見的新創(chuàng)作，完全符合發(fā)明專利要件，爰依法提出申請(qǐng)。惟以上所述僅為本創(chuàng)作的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能用以限定本創(chuàng)作實(shí)施的范圍，亦即依本創(chuàng)作專利范圍所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬于本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。