1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括︰
形成摻雜一第一摻雜物的一摻雜層于一基底內(nèi)；
形成一半導(dǎo)體層于該摻雜層上；
通過(guò)至少圖案化該半導(dǎo)體層及該摻雜層，以形成一鰭結(jié)構(gòu)，使該鰭結(jié)構(gòu)包括具有該半導(dǎo)體層的一溝道區(qū)及具有該摻雜層的一阱區(qū)；
形成一隔離絕緣層，使該鰭結(jié)構(gòu)的該溝道區(qū)突出于該隔離絕緣層，而該鰭結(jié)構(gòu)的該阱區(qū)埋入于該隔離絕緣層內(nèi)；以及
形成一柵極結(jié)構(gòu)于部分的該鰭結(jié)構(gòu)及該隔離絕緣層上方；
其中該半導(dǎo)體層為一摻雜的硅層及一未摻雜的硅層的其中的至少一者。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中形成該摻雜層包括注入該第一摻雜物于該基底內(nèi)。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該第一摻雜物包括碳、氮及氟的其中至少一者。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中在該鰭結(jié)構(gòu)內(nèi)，該第一摻雜物沿一深度方向的濃度非對(duì)稱(chēng)于對(duì)應(yīng)該第一摻雜物的峰值濃度的位置。
5.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括︰
形成用于p型阱的一第一摻雜層于一基底內(nèi)，該第一摻雜層包括一第一摻雜物；
形成用于n型阱的一第二摻雜層于該基底內(nèi)，該第二摻雜層包括一第二摻雜物；
形成一半導(dǎo)體層于該基底的該第一摻雜層及該第二摻雜層的上方；
通過(guò)圖案化該半導(dǎo)體層及該第一摻雜層以形成一第一鰭結(jié)構(gòu)，且通過(guò)圖案化該半導(dǎo)體層及該第二摻雜層以形成一第二鰭結(jié)構(gòu)；
形成一隔離絕緣層，使該第一鰭結(jié)構(gòu)及該第二鰭結(jié)構(gòu)的上部突出于該隔離絕緣層，且該第一鰭結(jié)構(gòu)及該第二鰭結(jié)構(gòu)的下部埋入于該隔離絕緣層內(nèi)；以及
形成一柵極結(jié)構(gòu)于該第一鰭結(jié)構(gòu)及該第二鰭結(jié)構(gòu)的其中至少一者上方；
其中該半導(dǎo)體層為一摻雜的硅層及一未摻雜的硅層的其中的至少一者。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中形成該第一摻雜層包括注入該第一摻雜物于該基底內(nèi)，且該第一摻雜物包括磷及砷的其中至少一者以及碳、氮及氟的其中至少一者。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中形成該第二摻雜層包括注入該第二摻雜物于該基底內(nèi)，且該第二摻雜物包括硼以及碳、氮及氟的其中至少一者。
8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中該半導(dǎo)體層包括形成于該基底上的一未摻雜硅層以及形成于該未摻雜的硅層上的一摻雜的硅層。
9.一種半導(dǎo)體裝置，具有一鰭式場(chǎng)效晶體管，且該半導(dǎo)體裝置包括︰
一鰭結(jié)構(gòu)，包括摻雜一第一摻雜物的一阱層及一溝道層；
一隔離絕緣層，其中該鰭結(jié)構(gòu)的該溝道層突出于該隔離絕緣層，而該阱層埋入于該隔離絕緣層內(nèi)；以及
一柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于至少一部分的該溝道層及該隔離絕緣層上方；
其中在該鰭結(jié)構(gòu)內(nèi)，該第一摻雜物沿一深度方向的濃度非對(duì)稱(chēng)于對(duì)應(yīng)該第一摻雜物的峰值濃度的位置。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中該第一摻雜物包括碳、氮及氟的其中至少一者。