技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。半導(dǎo)體裝置的制造方法中，形成摻雜第一摻雜物的一摻雜層于一基底上。形成一半導(dǎo)體層于摻雜層上。通過(guò)至少圖案化半導(dǎo)體層及摻雜層而形成一鰭結(jié)構(gòu)，使鰭結(jié)構(gòu)包括具有半導(dǎo)體層的溝道區(qū)及具有摻雜層的阱區(qū)。形成一隔離絕緣層，使鰭結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)突出于隔離絕緣層，而鰭結(jié)構(gòu)的阱區(qū)埋入于隔離絕緣層內(nèi)。形成一柵極結(jié)構(gòu)于部分的鰭結(jié)構(gòu)及隔離絕緣層上方。半導(dǎo)體層至少為摻雜的硅層及未摻雜的硅層的其中之一者。

技術(shù)研發(fā)人員：吳育昇;蔡振華;陳豪育;宋家瑋;曹志彬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201610712894
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.24
技術(shù)公布日：2017.05.10