1.一種具有緩沖層結(jié)構(gòu)的高壓超結(jié)MOSFET器件，包括若干元胞結(jié)構(gòu)，其特征是：單個元胞包括N+襯底（1），在N+襯底（1）的正面設(shè)置低阻N型緩沖層（2），在低阻N型緩沖層（2）的正面設(shè)置低阻N型外延層（3），在低阻N型外延層（3）兩側(cè)形成由低阻N型外延層（3）正面向背面延伸的P柱（4）；在所述低阻N型外延層（3）的頂部兩側(cè)設(shè)置P型體區(qū)（5），P型體區(qū)（5）位于兩側(cè)的P柱（4）之間；在所述P型體區(qū)（5）的頂部形成N+源區(qū)（6），N+源區(qū)（6）位于P柱（4）的頂部一側(cè)；在所述低阻N型外延層（3）的正面設(shè)置正面金屬。
2.如權(quán)利要求1所述的具有緩沖層結(jié)構(gòu)的高壓超結(jié)MOSFET器件，其特征是：所述低阻N型緩沖層（2）的電阻率小于低阻N型外延層（3）的電阻率。
3.如權(quán)利要求1所述的具有緩沖層結(jié)構(gòu)的高壓超結(jié)MOSFET器件，其特征是：所述正面金屬包括柵氧化層（10）、柵極多晶（7）和源極金屬（9），柵氧化層（10）和柵極多晶（7）作為柵極，柵極和源極金屬（9）之間由隔離介質(zhì)（8）實現(xiàn)隔離。