技術(shù)總結(jié)
本實用新型涉及一種具有緩沖層結(jié)構(gòu)的高壓超結(jié)MOSFET器件，包括若干元胞結(jié)構(gòu)，其特征是：單個元胞包括N+襯底，在N+襯底的正面設(shè)置低阻N型緩沖層，在低阻N型緩沖層的正面設(shè)置低阻N型外延層，在低阻N型外延層兩側(cè)形成由低阻N型外延層正面向背面延伸的P柱；在所述低阻N型外延層的頂部兩側(cè)設(shè)置P型體區(qū)，P型體區(qū)位于兩側(cè)的P柱之間；在所述P型體區(qū)的頂部形成N+源區(qū)，N+源區(qū)位于P柱的頂部一側(cè)；在所述低阻N型外延層的正面設(shè)置正面金屬。所述低阻N型緩沖層的電阻率小于低阻N型外延層的電阻率。本實用新型所述具有緩沖層結(jié)構(gòu)的高壓超結(jié)MOSFET器件可以顯著改善二極管的軟度。

技術(shù)研發(fā)人員：白玉明;徐承福;錢振華;張海濤
受保護的技術(shù)使用者：無錫同方微電子有限公司
文檔號碼：201621129067
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.17
技術(shù)公布日：2017.05.10