本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，具體涉及一種具有梳狀電流分布的半導(dǎo)體激光器。

背景技術(shù)：

分布式反饋(Distributed Feedback，DFB)半導(dǎo)體激光器(DFB-LD)與分布式布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector，DBR)半導(dǎo)體激光器(DBR-LD)均是由內(nèi)含布拉格光柵來(lái)實(shí)現(xiàn)光的反饋。兩者的區(qū)別在于光柵和有源區(qū)的位置不同。1972年科克尼克(H.Kogelnik)和香克(C.V.Shank)等人的理論分析中指出，在DFB-LD中存在兩種基本的反饋方式，一種是折射率周期性變化引起的布拉格反射，即折射率耦合型(Index-Coupling)，另一種是增益周期性變化引起的分布反饋，即增益耦合(Gain-Coupling)。與依靠?jī)蓚€(gè)反射端面來(lái)形成諧振腔的F-P腔激光器相比，DFB-LD的諧振腔本身具有選擇模式的能力。和DFB激光器相似，DBR激光器也是通過(guò)內(nèi)含布拉格光柵來(lái)實(shí)現(xiàn)光的反饋的，易于與其它器件集成。

對(duì)于折射率耦合型DFB-LD而言，在與布拉格波長(zhǎng)(與光柵周期的二分之一成整數(shù)倍關(guān)系)相對(duì)稱(chēng)的位置上存在著兩個(gè)損耗相同且最低的模式。換言之，折射率耦合DFB-LD原理上是雙模激射，單模成品率依賴(lài)于管芯腔面光柵的位相狀況。當(dāng)一個(gè)端面低反射率鍍膜，令一個(gè)端面高反射率鍍膜時(shí)，單模成品率在50％以上。中心引入λ/4相移光柵可以提高單模激射率，但是注入電流過(guò)大時(shí)易于在相移處形成燒孔效應(yīng)，破壞了λ/4相移作用，使高功率工作時(shí)單模穩(wěn)定性變差，線(xiàn)寬難以做得更窄。而引入CMP可以實(shí)現(xiàn)大功率，穩(wěn)定單模輸出，但是制作工藝復(fù)雜，成品率低。在制作工藝上，折射率耦合型DFB-LD在光柵制備后需要進(jìn)行二次外延，二次外延和光柵制作工藝十分關(guān)鍵，影響到分布反饋激光器的性能。而增益耦合型DFB-LD恰好在布拉格波長(zhǎng)上存在著一個(gè)損耗為最低的模式，可以實(shí)現(xiàn)單模激射。增益耦合型DFB-LD具有單模成品率高，高的邊模抑制比，受端而反射的影響較小，抗外部反饋能力強(qiáng)，純?cè)鲆骜詈闲涂梢栽诓辉黾娱撝惦娏鞯那疤嵯?，將閾值增益差做得很大等?yōu)點(diǎn)。但是增益光柵的制作及光柵表面的再生長(zhǎng)是其制作的難點(diǎn)，還容易在有源區(qū)引入大量的非輻射復(fù)合缺陷，影響到激光器的激射特性。增益折射率復(fù)合型DFB-LD具有兩種耦合類(lèi)型的優(yōu)點(diǎn)，但是增益折射率復(fù)合型DFB-LD 中兩種耦合模式不易控制，通信中增益擾動(dòng)，有源區(qū)周期性的吸收，易引起閾值電流的上升。DBR-LD雖然也能夠單模工作，但它的單模工作穩(wěn)定性比DFB-LD差，DBR-LD的反射率非常容易影響器件的性能，要想獲得高性能的DBR-LD，就必須對(duì)耦合系數(shù)加以?xún)?yōu)化。從結(jié)構(gòu)、工藝的角度來(lái)看，DBR-LD中的有源區(qū)和光柵區(qū)的材料是不同的，光柵區(qū)對(duì)有源區(qū)的激射波長(zhǎng)是透明的。在實(shí)際器件中，兩個(gè)波導(dǎo)是在不同的外延層中制作的。這意味著DBR-LD的制作工藝要難于DFB-LD的工藝。

綜上所述，在內(nèi)含布拉格光柵的半導(dǎo)體激光器在制作工藝上都存在一定的難度問(wèn)題，折射率耦合型在光柵制備后好進(jìn)行二次外延；增益耦合型的制作涉及有源區(qū)的加工，對(duì)器件的性能有較大影響；DBR-LD的制作工藝要難于DFB-LD的工藝。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提出了一種具有梳狀電流分布的半導(dǎo)體激光器，技術(shù)方案如下。

一種具有梳狀電流分布的半導(dǎo)體激光器，半導(dǎo)體激光器包括襯底、金屬接觸層和歐姆接觸層，其中，所述襯底、金屬接觸層和歐姆接觸層之一采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，或者所述襯底與金屬接觸層采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，或者所述襯底與歐姆接觸層采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，或者所述金屬接觸層與歐姆接觸層采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，或者所述襯底、金屬接觸層和歐姆接觸層采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體激光器還包括在所述襯底上依次設(shè)置的下限制層、下波導(dǎo)層、有源區(qū)、上波導(dǎo)層和上限制層和在所述襯底下設(shè)置的背電極層，以及在所述金屬接觸層上設(shè)置的上電極層；歐姆接觸層設(shè)置在上限制層和金屬接觸層之間；其中，所述下限制層、下波導(dǎo)層、有源區(qū)、上波導(dǎo)層、上限制層和歐姆接觸層構(gòu)成外延結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，所述半導(dǎo)體激光器采用折射率導(dǎo)引結(jié)構(gòu)或者增益導(dǎo)引結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，在所述襯底、下波導(dǎo)層或者上波導(dǎo)層制備光柵結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，所述外延結(jié)構(gòu)還包括橫模限制結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步地，所述電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)的分布規(guī)律是全部電阻值呈梳狀高低分布，或者是部分區(qū)域電阻值呈梳狀高低分布，其他區(qū)域電阻值呈均一分布。

進(jìn)一步地，所述電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)呈每個(gè)高電阻區(qū)面積大小均一，同時(shí)每個(gè)低電阻區(qū)面積大小均一的周期分布；或者呈各個(gè)高電阻區(qū)面積大小和各個(gè)低電阻區(qū)面積大小均不均一但有規(guī)律的分布。

進(jìn)一步地，當(dāng)所述歐姆接觸層采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)時(shí)，所述上限制層采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，其分布規(guī)律是上限制層的全部電阻值呈梳狀高低分布，或者是上限制層的部分區(qū)域電阻值呈梳狀高低分布，其他區(qū)域電阻值呈均一分布。

進(jìn)一步地，所述電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)中，高低電阻區(qū)的占空比一致或者不一致。

本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型通過(guò)將激光器的金屬接觸區(qū)或者歐姆接觸區(qū)制作為電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，這種電流的分布可以改變介電常數(shù)實(shí)部和虛部的大小和分布，實(shí)現(xiàn)具有增益-折射率復(fù)合耦合型的DFB-LD或DBR-LD。所述電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)使注入的載流子濃度成梳狀分布，進(jìn)而形成增益和折射率的規(guī)律性變化。這種變化使本實(shí)用新型具有單模激射，高的邊模抑制比，受端而反射的影響較小，抗外部反饋能力強(qiáng)，可以在不增加閾值電流的前提下，將閾值增益差做得很大等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)還不會(huì)引入大量的非輻射復(fù)合缺陷。在制作工藝上，由于本實(shí)用新型的制作過(guò)程可以不涉及二次外延，從而降低了對(duì)制備工藝的要求，也降低了器件的制作難度。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型提出的一種具有梳狀電流分布的半導(dǎo)體激光器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型提出的半導(dǎo)體激光器中的電流分布示意圖；

圖3是本實(shí)用新型提出的一種具有梳狀金屬接觸區(qū)的半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本實(shí)用新型提出的一種具有梳狀歐姆接觸區(qū)的半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本實(shí)用新型提出的一種具有部分梳狀金屬接觸區(qū)的半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本實(shí)用新型提出的一種具有部分梳狀歐姆接觸區(qū)的半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本實(shí)用新型提出的一種襯底具有梳狀電阻高低分布區(qū)的半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。但本領(lǐng)域技術(shù)人員都知曉，本實(shí)用新型并不局限于附圖和以下實(shí)施例。

本實(shí)用新型提出的一種具有梳狀電流分布的半導(dǎo)體激光器，其組成結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括襯底1009，還包括在襯底1009上依次設(shè)置的外延結(jié)構(gòu)、金屬接觸層1002和上電極層1001，以及在襯底1009下設(shè)置的背電極層1010。其中外延結(jié)構(gòu)包括從下往上依次設(shè)置的下限制層1008、下波導(dǎo)層1007、有源區(qū)1006、上波導(dǎo)層1005、上限制層1004和歐姆接觸層1003。為表述方便，將背電極層1010、襯底1009、下限制層1008、下波導(dǎo)層1007、有源區(qū)1006、上波導(dǎo)層1005、上限制層1004統(tǒng)稱(chēng)為通用結(jié)構(gòu)1011。

所述激光器可以采用脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)或者掩埋異質(zhì)結(jié)構(gòu)等折射率導(dǎo)引結(jié)構(gòu)，也可以采用增益導(dǎo)引結(jié)構(gòu)。

所述襯底1009、下波導(dǎo)層1007或者上波導(dǎo)層1005可以制備光柵結(jié)構(gòu)。

所述有源區(qū)1006可以是多量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)，也可以是多量子阱結(jié)構(gòu)，還可以是這兩種結(jié)構(gòu)的混合。

所述外延結(jié)構(gòu)還可以包括質(zhì)子轟擊區(qū)、阻擋層等橫模限制結(jié)構(gòu)。

所述歐姆接觸層1003采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，其分布規(guī)律可以是歐姆接觸層1003的全部電阻值呈梳狀高低分布，也可以是歐姆接觸層1003的部分區(qū)域電阻值呈梳狀高低分布，其他區(qū)域電阻值呈均一分布。和/或所述金屬接觸層1002采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，其分布規(guī)律可以是金屬接觸層1002的全部電阻值呈梳狀高低分布，也可以是金屬接觸層1002的部分區(qū)域電阻值呈梳狀高低分布，其他區(qū)域電阻值呈均一分布。

優(yōu)選地，所述電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)可以從歐姆接觸層1003擴(kuò)展到上限制層1004中，上限制層1004的電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)的分布規(guī)律同歐姆接觸層1003的電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)的分布規(guī)律，可以是上限制層1004的全部電阻值呈梳狀高低分布，也可以是上限制層1004的部分區(qū)域電阻值呈梳狀高低分布，其他區(qū)域電阻值呈均一分布。

優(yōu)選地，所述襯底電阻1009的電阻值可以采用均勻分布結(jié)構(gòu)，也可以采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)的分布規(guī)律可以是全部電阻值呈梳狀高低分布，還可以是部分區(qū)域電阻值呈梳狀高低分布，其他區(qū)域電阻值呈均一分布。

電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)中，可以是每個(gè)高電阻區(qū)面積大小均一，同時(shí)每個(gè)低電阻區(qū)面積大小均一的周期分布，或者是各個(gè)高電阻區(qū)面積大小和各個(gè)低電阻區(qū)面積大小不均一但有規(guī)律的分布，比如等差數(shù)列分布、啁啾光柵分布、取樣光柵分布等。

電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)中，高低電阻區(qū)的占空比可以是一致的，也可以是不一致的。

圖2給出了半導(dǎo)體激光器中的電流分布示意圖，從所述激光器的上電極層2001注入電流2012，電流2012經(jīng)梳狀接觸層2023后在通用結(jié)構(gòu)2011中為梳狀分布。

半導(dǎo)體激光器的制作順序一般是：

1)MOCVD生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)；

2)制備導(dǎo)引結(jié)構(gòu)：光刻后腐蝕制備脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，或者光刻腐蝕加二次外延制備掩埋異質(zhì)結(jié)構(gòu)，或者光刻腐蝕加雜質(zhì)擴(kuò)散制備掩埋異質(zhì)結(jié)構(gòu)，再或者質(zhì)子轟擊形成增益導(dǎo)引結(jié)構(gòu)；

3)制備梳狀接觸層：利用電子束曝光(或全息光刻)結(jié)合擴(kuò)散、刻蝕、離子束轟擊等方式制備電阻梳狀分布的金屬接觸層；或歐姆接觸層，也可由歐姆接觸層擴(kuò)展至上限制層；或電阻梳狀分布同時(shí)包括金屬接觸層和歐姆接觸層，也可擴(kuò)展至上限制層；

4)制備絕緣層；

5)制備上電極層1001和背電極層1010。

上述步驟先后順序因不同導(dǎo)引結(jié)構(gòu)類(lèi)型的激光器可以改變。

下面結(jié)合附圖對(duì)器件的具體設(shè)計(jì)制備方式進(jìn)行描述。

實(shí)施例1

如圖1和圖3所示，半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)具體為：InP襯底1009上依次為1μm InP下限制層1008、100nm InGaAsP下波導(dǎo)層1007、多量子阱有源區(qū)1006、100nm InGaAsP上波導(dǎo)層1005、300nm InP上限制層1004、200nm的InGaAs歐姆接觸層1003、Ti-Pt-Au金屬接觸層1002、上電極層1001，襯底1009之下為背電極層1010。

其中，多量子阱有源區(qū)1006以InGaAsP為量子阱，AlGaInAs或InGaAsP為勢(shì)壘，量子阱層數(shù)為3-10層，量子阱層厚度為5-8nm，壘層厚度5-10nm，應(yīng)變都為1.2％，中心激射波長(zhǎng)在1.2um-1.7um范圍(具體參數(shù)按設(shè)計(jì)不同而不同)。

金屬接觸層1002為梳狀結(jié)構(gòu)，周期約為200-260nm，占空比為3:7～6:4。器件腔長(zhǎng)300-500μm。采用脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，脊寬3-5μm。

本實(shí)施例中半導(dǎo)體激光器的制作流程為：

1)MOCVD生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)，該外延結(jié)構(gòu)包括：下限制層1008、下波導(dǎo)層1007、有源區(qū)1006、上波導(dǎo)層1005、上限制層1004和歐姆接觸層1003；

2)光刻后腐蝕制備脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；

3)在歐姆接觸層1003上氧化絕緣層制備；

4)電子束曝光(或全息光刻)并刻蝕部分氧化絕緣層制備后，形成梳狀氧化絕緣區(qū)3025；

5)沉積Ti-Pt-Au，制備梳狀金屬接觸區(qū)3024；梳狀氧化絕緣區(qū)3025和梳狀金屬接觸區(qū)3024構(gòu)成金屬接觸層3002，如圖3所示；

6)光刻后制備上電極層3001；

7)減薄后制備背電極層1010。

在本實(shí)施例中，金屬接觸層3002電阻為梳狀分布結(jié)構(gòu)，梳狀結(jié)構(gòu)覆蓋整個(gè)金屬接觸層3002，如圖3所示。

實(shí)施例2

本實(shí)施例如圖4所示，其與實(shí)施例1的不同之處在于，實(shí)施例1中金屬接觸層3002電阻為梳狀分布結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例中通用結(jié)構(gòu)4011上的歐姆接觸層4003包含高電阻區(qū)4027和低電阻區(qū)4026，電阻呈規(guī)律性梳狀高低分布，金屬接觸層4002為電阻均勻分布。替代地，高電阻區(qū)4027也可以為氧化絕緣區(qū)。

本實(shí)施例中半導(dǎo)體激光器的制作流程為，

1)MOCVD生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)包括：下限制層、下波導(dǎo)層、有源區(qū)、上波導(dǎo)層、上限制層、歐姆接觸層4003；

2)電子束曝光(或全息光刻)后，擴(kuò)散或者離子束轟擊制備高電阻區(qū)4027；或者電子束曝光(或全息光刻)后刻蝕形成空間間隔區(qū)，經(jīng)氧化絕緣層沉積后形成高電阻區(qū)4027；歐姆接觸層4003的其余部分即為低電阻區(qū)4026；

3)光刻后腐蝕制備脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；

4)氧化絕緣層制備；

5)光刻并刻蝕部分氧化絕緣層制備后，形成金屬接觸區(qū)；

6)沉積Ti-Pt-Au，制備金屬接觸層4002；

7)光刻后制備上電極層4001；

8)減薄后制備背電極層。

實(shí)施例3

本實(shí)施例如圖5所示，本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同之處在于，實(shí)施例1中梳狀結(jié)構(gòu)覆蓋整個(gè)金屬接觸層3002，本實(shí)施例中金屬接觸層5002的一部分為梳狀金屬接觸區(qū)5024和梳狀氧化絕緣區(qū)5025組成的梳狀金屬接觸區(qū)5023，另一部分為均一金屬接觸區(qū)5029。梳狀金屬接觸區(qū)5023位于均一金屬接觸區(qū)5029一端(如圖5所示)，或者梳狀金屬接觸區(qū)5023位于均一金屬接觸區(qū)5029兩端(未圖示)。附圖標(biāo)記5011表示通用結(jié)構(gòu)。

本實(shí)施例中半導(dǎo)體激光器的制作流程為：

1)MOCVD生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)，該外延結(jié)構(gòu)包括：下限制層、下波導(dǎo)層、有源區(qū)、上波導(dǎo)層、上限制層和歐姆接觸層5003；

2)光刻后腐蝕制備脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；

3)在歐姆接觸層上氧化絕緣層制備；

4)電子束曝光(或全息光刻)并刻蝕部分區(qū)域的部分氧化絕緣層制備后，形成梳狀氧化絕緣區(qū)5025；

5)沉積Ti-Pt-Au，制備所述部分區(qū)域的梳狀金屬接觸區(qū)5024；所述部分區(qū)域的梳狀氧化絕緣區(qū)5025和梳狀金屬接觸區(qū)5024構(gòu)成金屬接觸層5002的梳狀金屬接觸區(qū)5023，其余部分區(qū)域構(gòu)成金屬接觸層5002的均一金屬接觸區(qū)5029，如圖5所示；

6)光刻后制備上電極層5001；

7)減薄后制備背電極層。

實(shí)施例4

本實(shí)施例如圖6所示，其與實(shí)施例2的不同之處在于，實(shí)施例2中整個(gè)歐姆接觸層4003電阻呈規(guī)律性梳狀高低分布，本實(shí)施例中歐姆接觸層6003由電阻梳狀分布區(qū)6030和電阻均一區(qū)6031組成，電阻梳狀分布區(qū)6030位于電阻均一區(qū)6031一端(未圖示)，或者電阻梳狀分布區(qū)6030位于電阻均一區(qū)6031兩端(如圖6所示)。所述電阻梳狀分布區(qū)6030由低電阻區(qū)6026和高電阻區(qū)或氧化絕緣區(qū)6027構(gòu)成。

本實(shí)施例中半導(dǎo)體激光器的制作流程為，

1)MOCVD生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)包括：下限制層、下波導(dǎo)層、有源區(qū)、上波導(dǎo)層、上限制層、歐姆接觸層6003；

2)電子束曝光(或全息光刻)后，擴(kuò)散或者離子束轟擊制備高電阻區(qū)6027；或者電子束曝光(或全息光刻)后刻蝕形成空間間隔區(qū)，經(jīng)氧化絕緣層沉積后形成高電阻區(qū)6027；歐姆接觸層6003的其余部分即為低電阻區(qū)6026；

3)光刻后腐蝕制備脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；

4)氧化絕緣層制備；

5)光刻并刻蝕部分氧化絕緣層制備后，形成金屬接觸區(qū)；

6)沉積Ti-Pt-Au，制備金屬接觸層6002；

7)光刻后制備上電極層6001；

8)減薄后制備背電極層。

實(shí)施例5

本實(shí)施例與實(shí)施例1-4的不同之處在于，實(shí)施例1-4中通用結(jié)構(gòu)中不含光柵，本實(shí)施例中通用結(jié)構(gòu)中制備光柵結(jié)構(gòu)，光柵結(jié)構(gòu)制備的位置可以是在襯底1009，也可以是上波導(dǎo)層1005或下波導(dǎo)層1007(如圖1所示)。

本實(shí)施例半導(dǎo)體激光器的制備方法與實(shí)施例1-4的制備方法不同之處在于，本實(shí)施例中在實(shí)施例1-4的制作流程的第1)步前在襯底1009制備了光柵結(jié)構(gòu)，或者在制作流程的第1)步中加入在上波導(dǎo)層1005或下波導(dǎo)層1007中制備光柵結(jié)構(gòu)的步驟并進(jìn)行二次外延。

實(shí)施例6

本實(shí)施例與實(shí)施例1-4的不同之處在于，實(shí)施例1-4中通用結(jié)構(gòu)中襯底電阻均勻分布，本實(shí)施例中通用結(jié)構(gòu)7011中襯底7009的電阻也呈梳狀分布有高電阻區(qū)7027和低電阻區(qū)7026。當(dāng)襯底7009采用本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)時(shí)，金屬接觸層7002的電阻可以采用實(shí)施例1(圖圖3)或?qū)嵤├?(如圖5)的結(jié)構(gòu)，也可以采用實(shí)施例2(如圖4)或?qū)嵤├?(如圖6)的均一結(jié)構(gòu)；歐姆接觸層7003的電阻可以采用實(shí)施例1(圖圖3)或?qū)嵤├?(如圖5)的均一結(jié)構(gòu)，也可以采用實(shí)施例2(如圖4)或?qū)嵤├?(如圖6)的結(jié)構(gòu)。圖7給出了金屬接觸層7002的電阻采用圖3所示的梳狀分布結(jié)構(gòu)，歐姆接觸層7003的電阻采用圖3所示的均一結(jié)構(gòu)的示例，其中金屬接觸層7002的高電阻區(qū)7027和低電阻區(qū)7026的位置與襯底7009的高電阻區(qū)7027和低電阻區(qū)7026的位置對(duì)應(yīng)一致。

本實(shí)施例的制備方法同實(shí)施例1-4的不同之處在于，本實(shí)施例中在實(shí)施例1-4的制作流程的第1)步前在襯底7009上光刻后通過(guò)摻雜制備高電阻區(qū)7027，根據(jù)金屬接觸層7002和歐姆接觸層7003電阻是否有梳狀分布，在制作流程中保留或者舍棄相對(duì)應(yīng)的制作步驟。

實(shí)施例7

本實(shí)施例與實(shí)施例1-4的不同之處在于，梳狀接觸層2023包括歐姆接觸層和金屬接觸層，可參考圖2所示結(jié)構(gòu)。歐姆接觸層和金屬接觸層的電阻梳狀分布規(guī)律相同。

本實(shí)施例中半導(dǎo)體激光器的制作流程為：

1)MOCVD生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)，該外延結(jié)構(gòu)包括：下限制層、下波導(dǎo)層、有源區(qū)、上波導(dǎo)層、上限制層和歐姆接觸層；

2)光刻后腐蝕制備脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；

3)氧化絕緣層制備；

4)電子束曝光(或全息光刻)后，擴(kuò)散或者離子束轟擊制備高電阻區(qū)；或者電子束曝光(或全息光刻)后刻蝕形成空間間隔區(qū)，經(jīng)氧化絕緣層沉積后形成高電阻區(qū)；歐姆接觸層的其余部分即為低電阻區(qū)；

5)沉積Ti-Pt-Au，制備梳狀接觸區(qū)2023；梳狀氧化絕緣區(qū)和梳狀金屬接觸區(qū)構(gòu)成梳狀接觸區(qū)2023；

6)光刻后制備上電極層；

7)減薄后制備背電極層。

以上，對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明。但是，本實(shí)用新型不限定于上述實(shí)施方式。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。