1.一種具有梳狀電流分布的半導體激光器，其特征在于，半導體激光器包括襯底、金屬接觸層和歐姆接觸層，其中，所述襯底、金屬接觸層和歐姆接觸層之一采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，或者所述襯底與金屬接觸層采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，或者所述襯底與歐姆接觸層采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，或者所述金屬接觸層與歐姆接觸層采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，或者所述襯底、金屬接觸層和歐姆接觸層采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述半導體激光器還包括在所述襯底上依次設置的下限制層、下波導層、有源區(qū)、上波導層和上限制層和在所述襯底下設置的背電極層，以及在所述金屬接觸層上設置的上電極層；歐姆接觸層設置在上限制層和金屬接觸層之間；其中，所述下限制層、下波導層、有源區(qū)、上波導層、上限制層和歐姆接觸層構(gòu)成外延結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體激光器，其特征在于，所述半導體激光器采用折射率導引結(jié)構(gòu)或者增益導引結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，在所述襯底、下波導層或者上波導層制備光柵結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體激光器，其特征在于，所述外延結(jié)構(gòu)還包括橫模限制結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的半導體激光器，其特征在于，所述電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)的分布規(guī)律是全部電阻值呈梳狀高低分布，或者是部分區(qū)域電阻值呈梳狀高低分布，其他區(qū)域電阻值呈均一分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導體激光器，其特征在于，所述電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)呈每個高電阻區(qū)面積大小均一，同時每個低電阻區(qū)面積大小均一的周期分布；或者呈各個高電阻區(qū)面積大小和各個低電阻區(qū)面積大小均不均一但有規(guī)律的分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一項所述的半導體激光器，其特征在于，當所述歐姆接觸層采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)時，所述上限制層采用電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)，其分布規(guī)律是上限制層的全部電阻值呈梳狀高低分布，或者是上限制層的部分區(qū)域電阻值呈梳狀高低分布，其他區(qū)域電阻值呈均一分布。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的半導體激光器，其特征在于，所述電阻梳狀分布結(jié)構(gòu)中，高低電阻區(qū)的占空比一致或者不一致。