1，而封裝蓋板02通過例如機械手等傳輸裝置進入上密封單元10的凹槽101內(nèi)部后位于上加熱盤13面向下密封單元的一側(cè)，因此，為了便于上吸附柱11對封裝蓋板02的抓取固定，進一步的，參考圖5所示，所述上吸附柱11可穿過所述上加熱盤13沿豎直方向移動；所述上吸附柱11遠離所述上加熱盤13 —側(cè)設置有吸盤，所述吸盤用于固定傳輸至所述上密封單元10與所述下密封單元20相對區(qū)域內(nèi)的所述封裝蓋板02。
[0057]需要說明的是，上加熱盤13上可設置相應的鏤空區(qū)域，以使上吸附柱11穿過上加熱盤13沿豎直方向移動。
[0058]這里，如圖6所示，由于上密封單元10位于下密封單元20的上方，傳輸封裝蓋板02等基板的傳輸裝置如機械手等將基板傳輸至上密封單元10與下密封單元20相對區(qū)域內(nèi)后，需要有相應的機構來抓取封裝蓋板02，因此，在本發(fā)明實施例提供的上述封裝裝置01中，上吸附柱11可穿過上加熱盤13沿豎直方向移動，從而實現(xiàn)對封裝蓋板02的抓取。
[0059]在此基礎上，由于上吸附柱11在上，封裝蓋板02在下，為了克服封裝蓋板02受到重力作用而向下落的趨勢，上吸附柱11遠離上加熱盤13 —側(cè)設置有例如硅膠等材質(zhì)的吸盤，以便更為牢固地抓取固定傳輸至上密封單元10與下密封單元20相對區(qū)域內(nèi)的封裝蓋板02。
[0060]在上述基礎上，參考圖5所示，所述上密封單元10的凹槽101結構由上槽底1la與位于所述上槽底1la四周的上側(cè)壁1lb構成；所述封裝裝置01還包括:上吸附柱支撐臺14，所述上吸附柱支撐臺14位于所述上密封單元10遠離凹槽101—側(cè)，且穿過所述第一驅(qū)動單元12 ;驅(qū)動所述上吸附柱支撐臺14沿豎直方向移動的第二驅(qū)動單元15 ;其中，所述上吸附柱11穿過所述上槽底1la與所述上吸附柱支撐臺14相連，且所述上吸附柱11的高度大于所述上側(cè)壁1lb的高度。
[0061]需要說明的是，第二驅(qū)動單元15例如可以為活塞桿等結構，通過氣缸機件引導其進行直線往復運動，使得第二驅(qū)動單元14帶動上吸附柱支撐臺14沿豎直方向移動，由于上吸附柱支撐臺14與上吸附柱11相連，從而實現(xiàn)上吸附柱11沿豎直方向的往復移動，即完成對傳輸至上密封單元10與下密封單元相對區(qū)域內(nèi)的封裝蓋板02的固定。
[0062]此外，上吸附柱11的高度大于上側(cè)壁1lb的高度，從而使得上吸附柱11能夠伸出上側(cè)壁1lb的末端所在的平面，便于對封裝蓋板02的抓取。
[0063]進一步的，由于封裝蓋板02位于上加熱盤13面向下密封單元的一側(cè)，上加熱盤13帶動封裝蓋板02沿豎直方向移動，因此，參考圖5所示，所述封裝裝置01還包括:上加熱盤支撐臺16，所述上加熱盤支撐臺16位于所述上槽底1la內(nèi)部，且穿過所述上吸附柱11 ;所述移動機構50包括:驅(qū)動所述上加熱盤支撐臺16沿豎直方向移動的第三驅(qū)動單元17，且所述第三驅(qū)動單元17穿過所述上吸附柱支撐臺14和所述上槽底1la ;連接所述上加熱盤支撐臺16與所述上加熱盤13的上加熱盤支撐柱18。
[0064]這里，第三驅(qū)動單元17例如可以為活塞桿等結構，通過氣缸機件引導其進行直線往復運動，使得上加熱盤支撐臺16通過上加熱盤支撐柱18帶動上加熱盤13沿豎直方向往復移動。
[0065]在上述基礎上，為了均勻地向封框膠04進行加熱，如圖7所示，所述承載臺包括固定于凹槽201內(nèi)的下加熱盤22 ;其中，所述待封裝基板03位于所述下加熱盤22面向所述上密封單元的一側(cè)。
[0066]這里，下加熱盤22對承載的待封裝基板03進行加熱，使得封框膠04通過上下兩側(cè)的封裝蓋板02與待封裝基板04均勻受熱，完成固化。其中，下加熱盤22的具體結構可參考上加熱盤13，具體不再贅述。
[0067]在上述基礎上，為了較好地控制上加熱盤13對封裝蓋板02的加熱程度，和/或下加熱盤22對待封裝基板03的加熱程度，所述封裝裝置01還包括:連接所述上加熱盤13和/或所述下加熱盤22的溫控單元。
[0068]以溫控單元連接上加熱盤13為例，溫控單元可包括至少一個用于監(jiān)控封裝蓋板02受熱溫度的溫度傳感器，接收溫度傳感器信號的控制單元(具體可包括可編程邏輯運算器及控制器等)，接收控制單元發(fā)出的指令并控制上加熱盤13的執(zhí)行單元，這里，執(zhí)行單元具體即指開關，優(yōu)選為固態(tài)高速繼電器開關，以實現(xiàn)快速準確地開啟或關閉上加熱盤13。
[0069]進一步的，在通過例如機械手等傳輸裝置傳輸待封裝基板03等基板時，由于下密封單元20具有凹槽結構，傳輸裝置通常只能將待封裝基板03傳輸至上密封單元10與下密封單元20相對的區(qū)域內(nèi)，而難以將待封裝基板03直接放置在下密封單元的凹槽201內(nèi)；因此，進一步優(yōu)選的，參考圖7所示，所述封裝裝置01還包括:可穿過所述下加熱盤22沿豎直方向移動的下吸附柱23 ;所述下吸附柱23用于承接傳輸至所述上密封單元10與所述下密封單元20相對區(qū)域內(nèi)的所述待封裝基板03。
[0070]進一步的，參考圖7所示，所述下密封單元的凹槽201結構具體可由下槽底201a與位于所述下槽底201a四周的下側(cè)壁201b構成。在此基礎上，下吸附柱23可穿過下加熱盤22沿豎直方向移動具體可通過以下結構實現(xiàn)，即，所述封裝裝置01還包括:位于所述下密封單元20遠離凹槽一側(cè)的下吸附柱支撐臺24、驅(qū)動所述下吸附柱支撐臺24沿豎直方向移動的第四驅(qū)動單元25 ;其中，所述下吸附柱23穿過所述下槽底201a與所述下吸附柱支撐臺24相連，且所述下吸附柱23的高度大于所述下側(cè)壁201b的高度。
[0071]需要說明的是，第一、上述的封裝裝置01當然還可包括支撐下密封單元20的底座等機構，以使封裝裝置01內(nèi)部具有充分的活動空間以供第四驅(qū)動單元25驅(qū)動所述下吸附柱支撐臺24的移動。
[0072]第二、上述的第四驅(qū)動單元25例如可以為活塞桿等結構，通過氣缸機件引導其進行直線往復運動，使得下吸附柱支撐臺24沿豎直方向往復移動。
[0073]第三、下吸附柱23的高度大于下側(cè)壁201b的高度，從而使得下吸附柱能夠伸出下側(cè)壁201a的末端所在的平面，以便對待封裝基板03進行承接。
[0074]在上述基礎上，調(diào)節(jié)封裝蓋板02和/或待封裝基板03水平度的調(diào)平機構40具體可包括:
[0075]上調(diào)平單元；所述上調(diào)平單元位于所述上吸附柱11與所述吸盤之間；所述上調(diào)平單元包括依次遠離所述上吸附柱11的上平整度調(diào)節(jié)層和上壓電感應層。
[0076]這里，上壓電感應層通過與吸盤相接觸產(chǎn)生與封裝蓋板02與吸盤之間壓力大小相應的壓力感應電流，并傳輸至相應的控制電路，控制電路通過對上平整度調(diào)節(jié)層施加與壓力感應電流相應的電場，使得上平整度調(diào)節(jié)層產(chǎn)生與對應的封裝蓋板03區(qū)域相吻合的形變，從而通過改變吸盤與封裝蓋板02之間的接觸面積來調(diào)節(jié)封裝蓋板02的水平度。
[0077]進一步的，調(diào)平機構40還可以包括下調(diào)平單元；所述下調(diào)平單元位于所述下吸附柱23遠離凹槽的一側(cè)；所述下調(diào)平單元包括依次遠離所述下吸附柱23的下平整度調(diào)節(jié)層、下壓電感應層以及表面吸附層。
[0078]這里，表面吸附層位于下吸附柱23的最上端，即與待封裝基板相接觸的一側(cè)，下壓電感應層通過與表面吸附層相接觸產(chǎn)生與待封裝基板03與表面吸附層之間壓力大小相應的壓力感應電流，并傳輸至相應的控制電路，控制電路通過對下平整度調(diào)節(jié)層施加與壓力感應電流相應的電場，使得下平整度調(diào)節(jié)產(chǎn)生與對應的待封裝基板03區(qū)域相吻合的形變，從而通過改變表面吸附層與待封裝基板03之間的接觸面積來調(diào)節(jié)待封裝基板03的水平度。
[0079]在上述基礎上，在所述封裝蓋板02與所述待封裝基板03為曲面結構的情況下，即封裝蓋板02與待封裝基板03壓合后形成的顯示面板為曲面顯示面板，在此情況下，如圖8所示，所述上吸附柱包括多個高度不等的子吸附柱110 ;所述多個高度不等的子吸附柱110與所述封裝蓋板02的曲度相匹配；所述承載臺包括多個高度不等的子承載柱210 ;所述多個高度不等的子承載柱210與所