6]252:路由層；
[0057]253:黏合層；
[0058]260:第一金屬墊；
[0059]5OO:集成電路；
[0060]510:芯片；
[0061]520:保護層；
[0062]521:第一開孔；
[0063]522:第二開孔；
[0064]530:第一金屬內(nèi)連線；
[0065]540:路由線；
[0066]541:黏合層；
[0067]550 ??壓合區(qū)；
[0068]551:金屬凸塊；
[0069]552:路由層；
[0070]553:黏合層；
[0071]560:第一金屬墊；
[0072]571、572:第二金屬內(nèi)連線；
[0073]700:集成電路；
[0074]710:芯片；
[0075]720:保護層；
[0076]721:第一開孔；
[0077]722:第二開孔；
[0078]723:第三開孔；
[0079]730:第一金屬內(nèi)連線；
[0080]740:路由線；
[0081]741:黏合層；
[0082]750:壓合區(qū)；
[0083]751:金屬凸塊；
[0084]752:路由層；
[0085]753、754:黏合層；
[0086]760:第一金屬墊；
[0087]771、772:第二金屬內(nèi)連線；
[0088]780:第二金屬墊；
[0089]900:集成電路；
[0090]910:芯片；
[0091]920:保護層；
[0092]921:第一開孔；
[0093]922:第二開孔；
[0094]923:第三開孔；
[0095]930:第一金屬內(nèi)連線；
[0096]940:路由線；
[0097]941:黏合層；
[0098]950:壓合區(qū)；
[0099]951:金屬凸塊；
[0100]952:路由層；
[0101]953、954:黏合層；
[0102]960:第一金屬墊；
[0103]971、972:第二金屬內(nèi)連線；
[0104]980:第二金屬墊；
[0105]1100:集成電路；
[0106]1121:第一開孔；
[0107]1122:第二開孔；
[0108]1123:第三開孔；
[0109]1130:第一金屬內(nèi)連線；
[0110]1140:路由線；
[0111]1151:金屬凸塊；
[0112]1152:路由層；
[0113]1160:第一金屬墊；
[0114]1171、1172:第二金屬內(nèi)連線；
[0115]1180:第二金屬墊；
[0116]1200:集成電路；
[0117]1210:芯片；
[0118]1220:保護層；
[0119]1221:第一開孔；
[0120]1230:第一金屬內(nèi)連線；
[0121]1240:路由線；
[0122]1241:黏合層；
[0123]1250:壓合區(qū)；
[0124]1251:金屬凸塊；
[0125]1252:路由層；
[0126]1260:第一金屬墊；
[0127]1400:集成電路；
[0128]1410:芯片；
[0129]1420:保護層；
[0130]1421:第一開孔；
[0131]1430:第一金屬內(nèi)連線；
[0132]1440:路由線；
[0133]1441:黏合層；
[0134]1450:壓合區(qū)；
[0135]1451:金屬凸塊；
[0136]1452:路由層；
[0137]1460:第一金屬墊；
[0138]1471、1472:第二金屬內(nèi)連線；
[0139]1480:第二金屬墊；
[0140]A-B:剖面線；
[0141]C-D:剖面線；
[0142]E-F:剖面線；
[0143]G-H:剖面線；
[0144]1-J:剖面線；
[0145]K-L:剖面線。
【具體實施方式】
[0146]在本案說明書全文(包括申請專利范圍)中所使用的“耦接”一詞可指任何直接或間接的連接手段。舉例而言，若文中描述第一裝置耦接于第二裝置，則應(yīng)該被解釋成該第一裝置可以直接連接于該第二裝置，或者該第一裝置可以通過其他裝置或某種連接手段而間接地連接至該第二裝置。另外，凡可能之處，在圖式及實施方式中使用相同標號的元件、構(gòu)件、步驟代表相同或類似部分。不同實施例中使用相同標號或使用相同用語的元件、構(gòu)件、步驟可以相互參照相關(guān)說明。
[0147]圖1是本發(fā)明實施例說明一種集成電路100布局結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2是本發(fā)明實施例說明沿圖1所示剖面線A-B繪制集成電路100的剖面示意圖。請參照圖1與圖2，集成電路100包括芯片210、保護層(passivat1n layer) 220、第一金屬內(nèi)連線230、路由線(routing wire) 240以及壓合區(qū)250。圖2所示芯片210僅為示意圖，實際上芯片210的內(nèi)部、上方和/或下方可能具有各種電性元件、摻雜區(qū)、金屬層、絕緣層、多晶硅層、接觸窗插塞、介層窗插塞和/或其他集成電路構(gòu)件。在芯片處理結(jié)束后，保護層220被配置/覆蓋于芯片210的最上層金屬層(top metal layer)上方，以保護芯片210。第一金屬內(nèi)連線230配置于保護層220下以及配置于芯片210中。第一金屬內(nèi)連線230可以表示芯片210中的任何一層金屬層/導(dǎo)電層。舉例來說，第一金屬內(nèi)連線230可以屬于芯片210中的最上層金屬層。
[0148]在保護層220被配置/覆蓋于芯片210上之后，芯片210可以被運送至封裝廠以進行后段處理(即封裝處理)。集成電路100的封裝處理可以用任何方式(例如電鍍或其它方式)將路由線240與壓合區(qū)250配置于芯片210的保護層220上。路由線240的高度可以被設(shè)定在0.Ιμπι?9μπι的范圍內(nèi)。在另一些實施例中，路由線240的高度可以被設(shè)定在2 μπι?5 μπι的范圍內(nèi)。路由線240的材質(zhì)可以是金、金化合物、金的合金、銅、銅化合物、銅的合金、鎳、鎳化合物、鎳的合金、鈀、鈀化合物、鈀的合金或是其他低阻抗導(dǎo)電物質(zhì)。
[0149]在本實施例中(但不限于此)，保護層220具有第一開孔221與第二開孔222。路由線240配置于保護層220上，其中路由線240的第一端通過保護層220的第一開孔221電性連接第一金屬內(nèi)連線230的第一端。第一金屬墊(pad) 260配置于保護層220下，且第一金屬墊260的至少一部分位于第二開孔222下。第二開孔222的短邊長度可以被設(shè)定為4μηι?80μηι的范圍內(nèi)。在另一些實施例中，第二開孔222的短邊長度可以被設(shè)定為為2 μπι?70 μπι的范圍內(nèi)。第一金屬墊260可以是鋁墊、金墊或其他導(dǎo)電材質(zhì)。舉例來說，第一金屬墊260的材質(zhì)可以是鋁、鋁化合物、鋁的合金、銅、銅化合物、銅的合金或是其他導(dǎo)電物質(zhì)。
[0150]壓合區(qū)250配置于保護層220上，其中壓合區(qū)250可以通過保護層220的第二開孔222電性連接第一金屬墊260。壓合區(qū)250電性連接路由線240的第二端。壓合區(qū)250可以用任何方式(例如打線、導(dǎo)電凸塊或其它方式)電性連接集成電路100的封裝接腳(未示出)，以便將第一金屬墊260和/或路由線240電性連接至集成電路100的外部。在另一些實施例中，路由線240可以用覆晶封裝(flip chip package)方式通過壓合區(qū)250電性連接至集成電路100外部的電路板。
[0151]壓合區(qū)250可以用任何方式實現(xiàn)。舉例來說，圖2所示出的壓合區(qū)250包括金屬凸塊(b μηιρ)251、路由層(routing layer) 252 以及黏合層(adhesive layer) 2530 黏合層253具有至少一部分配置于第二開孔222中。路由層252配置于保護層220上。路由層252配置于黏合層253上，并且路由層252通過第二開孔222通過黏合層253電性連接第一金屬墊260。路由層252的高度可以被設(shè)定在0.1 μπι?9 μπι的范圍內(nèi)。在一些實施例中，路由層252的高度可以被設(shè)定在2 μπι?5 μπι的范圍內(nèi)。路由層252的材質(zhì)可以是金、金化合物、金的合金、銅、銅化合物、銅的合金、鎳、鎳化合物、鎳的合金、鈀、鈀化合物、鈀的合金或其他導(dǎo)電物質(zhì)。