[0152]黏合層253可以是鈦鎢層(即由鈦層與鎢層疊合成為黏合層253)，或由鈦鎢合金實(shí)現(xiàn)黏合層253。在其他實(shí)施例中，黏合層253的材質(zhì)可以是其他導(dǎo)電材質(zhì)(例如鈦、鈦化合物或其他導(dǎo)電物質(zhì))，用以作為路由層252與第一金屬墊260之間的連接介質(zhì)。黏合層253可以使第一金屬墊260與路由層252之間有較好的接著力，以便抵抗金屬凸塊251在生產(chǎn)或壓合過程經(jīng)歷的外力撞擊而造成可能的變形。在另一些實(shí)施例中，基于路由層252與第一金屬墊260的材質(zhì)搭配，使得路由層252與第一金屬墊260 二者具有良好的黏合性，因此可以省略黏合層253而讓路由層252與第一金屬墊260直接黏合。
[0153]路由層252電性連接路由線240。在本實(shí)施例中，路由層252與路由線240可以在集成電路100的封裝處理的同一個(gè)步驟(例如電鍍或其它處理步驟)被配置于芯片210的保護(hù)層220上。在將路由層252與路由線240配置于芯片210的保護(hù)層220上之后，可以利用平坦化(Planarizat1n)處理，例如化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing,簡稱:CMP)等處理，將路由層252與路由線240平坦化。
[0154]在將路由層252與路由線240平坦化后，金屬凸塊251可以被配置于保護(hù)層220與路由層252上。金屬凸塊251通過第二開孔222通過路由層252與黏合層253電性連接至第一金屬墊260。金屬凸塊251的材質(zhì)可以是金、金化合物、金的合金、銅、銅化合物、銅的合金、鎳、鎳化合物、鎳的合金、鈀、鈀化合物、鈀的合金或其他導(dǎo)電物質(zhì)?；蛘撸谄渌麑?shí)施例中，金屬凸塊251可以是從上述材質(zhì)中選擇部分而組成多層結(jié)構(gòu)金屬凸塊。
[0155]金屬凸塊251的高度可以被設(shè)定在3μπι?18μπι的范圍內(nèi)。在另一些實(shí)施例中，金屬凸塊251的高度可以被設(shè)定在5 μπι?15 μπι的范圍內(nèi)。金屬凸塊251與路由層252的高度差(或金屬凸塊251與路由線240的高度差)可以視設(shè)計(jì)需求或處理需求來決定。舉例來說，在一些實(shí)施例中，路由層252(或路由線240)與金屬凸塊251的高度差可以大于5 μ m0
[0156]金屬凸塊251的表面粗糙度可以被設(shè)定在0.05 μπι?2 μπι的范圍內(nèi)。在另一些實(shí)施例中，金屬凸塊251的表面粗糙度可以被設(shè)定在0.8μηι?1.7 μπι的范圍內(nèi)。金屬凸塊251的硬度可以被設(shè)定在25?120Ην的范圍內(nèi)。在另一些實(shí)施例中，金屬凸塊251的硬度可以被設(shè)定在50?IlOHv的范圍內(nèi)。
[0157]在芯片210的垂直方向，第二開孔222與金屬凸塊251的面積比可以被設(shè)定在0%?90%的范圍內(nèi)。在另一些實(shí)施例中，第二開孔222與金屬凸塊251的面積比可以被設(shè)定在5%?33%的范圍內(nèi)。
[0158]以下將說明集成電路100的制造方法。圖3Α至圖3C是本發(fā)明實(shí)施例說明在制造過程的不同步驟中圖1所示集成電路100的俯視示意圖。圖4Α至圖4C是依照圖3Α至圖3C所示剖面線A-B繪制的集成電路100的剖面示意圖。
[0159]圖3Α與圖4Α所示芯片210僅為示意圖，實(shí)際上芯片210的內(nèi)部、上方和/或下方可能具有各種電性元件、摻雜區(qū)、金屬層、絕緣層、多晶硅層、接觸窗插塞、介層窗插塞和/或其他集成電路構(gòu)件。例如，芯片210中的最上層金屬層具有第一金屬內(nèi)連線230、金屬內(nèi)連線231以及第一金屬墊260。
[0160]請參照圖3Β與圖4Β，在芯片處理結(jié)束時(shí)，保護(hù)層220被配置/覆蓋于芯片210的最上層金屬層(第一金屬內(nèi)連線230與第一金屬墊260)上，以保護(hù)芯片210。保護(hù)層220至少具有第一開孔221與第二開孔222。第一開孔221可以暴露部分第一金屬內(nèi)連線230。第二開孔222可以暴露部分第一金屬墊260。在將保護(hù)層220配置于芯片210上之后，可以利用平坦化處理(例如化學(xué)機(jī)械研磨等處理)，以提高保護(hù)層220的平整度。
[0161]請參照圖3C與圖4C，在保護(hù)層220被配置/覆蓋于芯片210上之后，芯片210可以在封裝廠進(jìn)行后段處理(即封裝處理)。集成電路100的封裝處理可以用任何方式(例如電鍍或其它方式)將路由線240、黏合層241、黏合層253與路由層252配置于芯片210的保護(hù)層220上。黏合層241具有至少一部分配置于第一開孔221中。路由線240配置于黏合層241上，并且路由線240通過第一開孔221通過黏合層241電性連接第一金屬內(nèi)連線230。黏合層253具有至少一部分配置于第二開孔222中。路由層252配置于黏合層253上，并且路由層252通過第二開孔222通過黏合層253電性連接第一金屬墊260。路由層252與路由線240可以在集成電路100的封裝處理的同一個(gè)步驟(例如電鍍或其它處理步驟)同時(shí)被配置于芯片210的保護(hù)層220上。在將路由層252與路由線240配置于芯片210的保護(hù)層220上之后，可以利用平坦化處理(例如化學(xué)機(jī)械研磨等處理)，將路由層252與路由線240平坦化。
[0162]在路由層252與路由線240平坦化后，接著將金屬凸塊251被配置于保護(hù)層220與路由層252上，如圖1與圖2所示。金屬凸塊251可以通過第二開孔222通過路由層252與黏合層253電性連接至第一金屬墊260。金屬凸塊251還可以通過第一開孔221通過路由層252、路由線240與黏合層241電性連接第一金屬內(nèi)連線230。
[0163]金屬凸塊251表面粗糙度可通過配置金屬凸塊的處理得到控制。金屬凸塊251表面粗糙度為0.05?2 μ m，較佳的實(shí)施例為0.8?1.7 μ m。當(dāng)表面粗糙度過大(例如蘭2 μ m)會(huì)使在壓合時(shí)金屬凸塊251接觸不良。當(dāng)表面粗糙度過小(例如5 0.05 μπι)可能影響金屬凸塊251捕捉導(dǎo)電粒子能力。
[0164]金屬凸塊251所適用硬度范圍為25?120Hv，較佳的實(shí)施例為50?ΙΙΟΗν。在將集成電路100壓合至電路版(例如COG面板)時(shí)，若金屬凸塊251硬度過高(例如>110Hv)，可能導(dǎo)致金屬凸塊251邊緣的保護(hù)層220發(fā)生龜裂，而影響可靠度。若金屬凸塊251硬度過低(例如<50Hv)，在將集成電路100壓合至電路版(例如COG面板)時(shí)，可能導(dǎo)致金屬凸塊251不易壓破導(dǎo)電粒子而使導(dǎo)電情況不佳。
[0165]綜上所述，本實(shí)施例所述集成電路100在芯片處理結(jié)束后的封裝處理中增加了路由線240在保護(hù)層220上。路由線240具有低電阻值，故可以降低電性路徑中的電能(例如數(shù)據(jù)信號、控制信號、系統(tǒng)電壓VDD或接地電壓VSS)損耗，避免因?yàn)閴航祮栴}(voltagedrop issue)導(dǎo)致操作速度下降。再者，相較于在芯片處理中更動(dòng)金屬內(nèi)連線的路由(routing)布局而言，在封裝處理中增加路由線可有較大的設(shè)計(jì)彈性且縮短處理所需全部時(shí)間。本實(shí)施例所述集成電路100可以被應(yīng)用于晶粒-玻璃接合處理(Chip On Glass，簡稱:C0G)產(chǎn)品、晶粒-軟片接合處理(Chip On Film，簡稱:C0F)產(chǎn)品、晶粒-電路板接合處理(Ch1p On Board，簡稱:C0B)產(chǎn)品或是其他類型集成電路產(chǎn)品。
[0166]圖5是本發(fā)明另一實(shí)施例說明一種集成電路500布局結(jié)構(gòu)的俯視不意圖。圖6是本發(fā)明實(shí)施例說明沿圖5所示剖面線C-D繪制集成電路500的剖面示意圖。請參照圖5與圖6，集成電路500包括芯片510、保護(hù)層520、第一金屬內(nèi)連線530、路由線540、黏合層541、壓合區(qū)550以及第一金屬墊560。壓合區(qū)550包括金屬凸塊551、路由層552以及黏合層553。圖5與圖6所示芯片510、保護(hù)層520、第一金屬內(nèi)連線530、路由線540、黏合層541、壓合區(qū)550、金屬凸塊551、路由層552、黏合層553以及第一金屬墊560可以參照圖1、圖2、圖3A?3C與圖4A?4C所示芯片210、保護(hù)層220、第一金屬內(nèi)連線230、路由線240、黏合層241、壓合區(qū)250、金屬凸塊251、路由層252、黏合層253以及第一金屬墊260的相關(guān)說明，故不再贅述。
[0167]在本實(shí)施例中(但不限于此)，保護(hù)層520具有第一開孔521與第二開孔522。圖5與圖6所示第一開孔521與第二開孔522可以參照圖1、圖2、圖3A?3C與圖4A?4C所示第一開孔221與第二開孔222的相關(guān)說明。路由線540的第一端通過保護(hù)層520的第一開孔521通過黏合層541電性連接第一金屬內(nèi)連線530的第一端。路由層552通過保護(hù)層520的第二開孔522通過黏合層553電性連接第一金屬墊560。
[0168]在圖5與圖6所示實(shí)施例中，集成電路500還包括第二金屬內(nèi)連線571與572。第二金屬內(nèi)連線571與572可以是芯片510的電源線、接地線、數(shù)據(jù)線、控制線、浮接(floating)金屬或其他導(dǎo)線。第二金屬內(nèi)連線571與572配置于保護(hù)層520下以及配置于芯片510中。第二金屬