顆粒在發(fā)明性組合物中的量可在非常寬的范圍內(nèi)變化，但 通常是1 - 60重量％ (優(yōu)選地1 - 40重量％ )的組合物。
[0135] 在第四方面中，本發(fā)明涉及制造本文所述的發(fā)明性組合物、中間體商品和設(shè)備， 并涉及根據(jù)這些方法獲得的發(fā)明性組合物、中間體商品和設(shè)備。本發(fā)明的這個(gè)方面如下文 所進(jìn)一步描述。
[0136] 制造懸浮液：制造懸浮液是已知的過程。涂覆納米顆粒也是已知的過程?？蓪⑦@ 些過程適用于發(fā)明性懸浮液的起始材料。
[0137] 在一種實(shí)施方式中，例如通過混合或球磨組合溶劑和納米顆粒。為了獲得初始懸 浮液，添加烷基-烷氧基-硅烷。在室溫下或在加熱和混合時(shí)，進(jìn)行涂覆。
[0138] 在替代實(shí)施方式中，例如通過混合來(lái)組合溶劑和烷基-烷氧基-硅烷。為了獲得 初始溶液，添加納米顆粒。在室溫下或在加熱和混合時(shí)，進(jìn)行涂覆。
[0139] 制造中間體商品：可通過溶液過程來(lái)獲得根據(jù)本發(fā)明的中間體商品。認(rèn)為這是一 個(gè)顯著的優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樗沟媚芡ㄟ^適用于大面積和連續(xù)加工的簡(jiǎn)單技術(shù)來(lái)制造所有的層。
[0140] 在一種實(shí)施方式中，本發(fā)明提供一種用于制造如本文所定義的中間體商品的方 法，其中制造所述緩沖層包括下述步驟（a)將懸浮液施涂到基材或涂覆的基材上，所述懸 浮液包括使用未取代的或取代的烷基-烷氧基-硅烷涂覆的金屬氧化物納米顆粒和溶劑， 并從所述組合物去除溶劑和（b)從所得薄膜去除溶劑和（c)任選地在升高的溫度下處理干 燥的層。
[0141] 步驟（a)施涂懸浮液：已知將液體組合物施涂到基材來(lái)得到濕的薄膜的許多方 法；本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能適當(dāng)選擇。合適的是例如涂布，尤其是卷對(duì)卷涂布，狹縫模頭涂 布，噴涂，超聲噴涂，浸涂，卷盤對(duì)卷盤涂布，刮刀涂布；或印刷，特別是噴墨印刷，移印，膠 印，絲網(wǎng)印刷，凹印，凹版印刷，片對(duì)片印刷。對(duì)于大規(guī)模制造而言，當(dāng)與基于真空的方法相 比時(shí)，這些方法通常認(rèn)為是優(yōu)選的。取決于步驟（a)中所用的組合物，可重復(fù)該步驟（即， 可多次實(shí)施該步驟）。為了微調(diào)最終膜厚，認(rèn)為這種實(shí)施方式是優(yōu)選的。
[0142] 步驟（b)干燥和膜形成：已知從涂覆的基材上的濕的薄膜去除液體的許多方法； 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能適當(dāng)選擇。合適的是例如在室溫下或升高的溫度下干燥。可在空氣 中、在保護(hù)氣如氮?dú)饣驓鍤庵羞M(jìn)行干燥。特別合適的具有低濕度含量的氣體（如氮?dú)?，干?空氣，氬氣）。
[0143] 步驟（c):溫度清潔步驟：任選地，可在低于150°C下實(shí)施為溫度退火形式的清潔 步驟。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，步驟（c)中在空氣或保護(hù)氣中，于80°C -150°C下退火干燥 的納米顆粒膜。
[0144] 在優(yōu)選的實(shí)施方式中，中間體商品的所有層都通過涂覆或印刷來(lái)制造。
[0145] 制造設(shè)備：從上述中間體商品制造設(shè)備本身是已知的，但沒有應(yīng)用到本發(fā)明的特 殊中間體商品。
[0146] 因此，本發(fā)明提供一種用于制造如本文所定義的電子設(shè)備的方法，所述方法包括 下述步驟（a)提供如本文所定義的中間體商品，（b)使所述商品的層接觸電路，（d)完成所 得廣品。
[0147] 該方法制得的產(chǎn)品：因?yàn)楦鶕?jù)發(fā)明性方法得到新穎的緩沖層，所以電子設(shè)備和中 間體商品也是新穎的。因?yàn)楦鶕?jù)發(fā)明性方法獲得的出色的穩(wěn)定性和性能，懸浮液也是新穎 的。
[0148] 因此，本發(fā)明提供通過一種方法獲得的懸浮液，所述方法包括下述步驟：組合金屬 氧化物納米顆粒、烷基-烷氧基-硅烷和溶劑。
[0149] 因此，本發(fā)明提供通過一種方法獲得的一種中間體商品所述方法包括下述步驟： 將懸浮液施涂到基材或涂覆的基材上，所述懸浮液包括（i)使用未取代的或取代的烷 基-烷氧基-硅烷涂覆的金屬氧化物納米顆粒和（ii)溶劑，并從所述組合物去除溶劑，和 任選地在升高的溫度下處理干燥的層。
[0150] 因此，本發(fā)明提供通過一種方法獲得的電子設(shè)備，所述方法包括下述步驟：提供 如本文所定義的中間體商品，使層接觸電路，完成所得產(chǎn)品。
[0151] 在第五方面中，本發(fā)明涉及選自晶體管的電子設(shè)備，其中所述設(shè)備包括基材和多 個(gè)層，其中至少一個(gè)所述層是通道層，其中所述通道層包括如本文所述的使用烷基-烷氧 基-硅烷涂覆的金屬氧化物納米顆粒。本發(fā)明的這個(gè)方面如下文所進(jìn)一步描述。
[0152] 令人驚訝地發(fā)現(xiàn)如本文所述的薄膜不僅適于制造有機(jī)電子，而且適于制造晶體管 和相關(guān)的電子設(shè)備。因此，可將如上所述的材料和方法（本發(fā)明的第一方面和第四方面） 適用到本發(fā)明的這個(gè)方面。
[0153] 在該方面中，本發(fā)明涉及電子設(shè)備例如TFT中的通道層，所述通道層具有特殊的 和有益的組合物，其包含如本發(fā)明的第一方面所述的金屬氧化物和如本發(fā)明的第一方面所 述的烷基-烷氧基-硅烷。發(fā)現(xiàn)本發(fā)明的組合物顯示有益的性質(zhì)，因?yàn)椴恍枰筇幚恚ɡ?如等離子體清潔或溫度大于150°C的退火）來(lái)取得良好的設(shè)備性能（高迀移率）。
[0154] 在【具體實(shí)施方式】中，本發(fā)明提供選自無(wú)機(jī)電子的電子設(shè)備，其中所述設(shè)備包括基 材和多個(gè)層，其中至少一個(gè)所述層是通道層，其中所述通道層包括如本文所述的使用至少 一種烷基-烷氧基-硅烷涂覆的金屬氧化物納米顆粒，其中所述烷基-烷氧基-硅烷具有 通式（II)
[0155] (R1O)3-Si-R2-FG (II)
[0156] 其中
[0157] R1 表不 H, C「(^烷基，C ^C4-烷氧基-C1-C4-烷基，
[0158] R2表示C ^C1。烷基，飽和的或不飽和的C 3-Q。碳環(huán)基團(tuán)，
[0159] FG 表示-P(O) (OR1)D-OP(O) (OM)R1,其中 R1'是 C「C6烷基，C「C4-烷氧 基-C1-C4-烷基，M是氫或堿金屬，優(yōu)選地Na。
[0160] 在優(yōu)選的實(shí)施方式中，取代基如權(quán)利要求中所定義。
[0161] 在其它【具體實(shí)施方式】中，本發(fā)明提供如本文所述的設(shè)備，該設(shè)備選自晶體管。
[0162] 在其它【具體實(shí)施方式】中，本發(fā)明涉及無(wú)機(jī)晶體管，其中通道材料通過如本文所述 的方法來(lái)獲得或（ii)由如本文所述的使用烷基-烷氧基-硅烷涂覆的金屬氧化物納米顆 粒組成。
[0163] 在其它【具體實(shí)施方式】中，本發(fā)明涉及無(wú)機(jī)晶體管，其中所述金屬氧化物納米顆粒 選自下組：211〇,20，120，1620，和211511〇 3。
[0164] 為了進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，提供下面的實(shí)施例。提供的這些實(shí)施例無(wú)意于限制本發(fā) 明的范圍。
[0165] 實(shí)例 1
[0166] 相互比較下述ETL層：
[0167] (i)真空沉積的鈣（基準(zhǔn)電池；沒有溶液加工的ETL) ;(ii)溶膠-凝膠處理的 AZO (比較例）；（iii) ZnO納米顆粒ETL (發(fā)明性）；（iv) AZO納米顆粒ETL (發(fā)明性）
[0168] 設(shè)備制備：以標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)制造具有不同類型ETL層的OPV電池。堆疊件（層）順序 如下所述：玻璃/11'0^^001':?55/5丨^^?0了81':?(：(70)81/^11/^8 ;5丨^^?0了81':?(：(70)81稱 為 "SiZZ"。
[0169] 在環(huán)境氣氛下加工該設(shè)備。在丙酮和隨后在異丙醇中清潔預(yù)結(jié)構(gòu)化的ITO涂覆的 玻璃基材（維德玻璃公司（Weidner Glas GmbH))。干燥之后，使用PED0T:PSS(VPA14083， 賀力氏（Heraeus))層（約50nm)涂覆基材。從重量比例為I: L 5的Si-PCPDTBT(法·康 納卡（Fa. Konarka))和 PC[70]BM([6,6]-苯基-C71 丁酸甲酯，索勒尼（Solenne))的二氯 苯溶液刮刀涂覆約100納米厚的活性層。然后，在活性層頂部刮刀涂覆ZnO/AZO層，并在 80°C下退火5分鐘。將用于所有ZnO/AZO層的最終厚度設(shè)定為50納米。通過蒸發(fā)Ag(K)O 納米）的頂部電極，來(lái)完成該設(shè)備。對(duì)于參比設(shè)備，ETL層有真空沉積的15nm Ca層組成。
[0170] 研究的設(shè)備的活性面積是10. 4mm2。電流密度-電壓（j -V)特征是使用來(lái)自 BoTest的源測(cè)量裝置測(cè)定的。通過Oriel Sol IA太陽(yáng)光模擬器來(lái)提供照明，其具有0.1 W/ cm2的AML 5G光譜。
[0171] 在一實(shí)施例中，使用各ETL材料制備6個(gè)電池?？偟倪M(jìn)行2個(gè)實(shí)驗(yàn)批次。結(jié)果表 示所有實(shí)驗(yàn)和設(shè)備的平均值。
[0172] 具有Dieth-P的ZnO和AZO納米顆粒懸浮液：通過火焰噴射合成法來(lái)合成標(biāo)稱組 成為ZnO中2重量％ Al2O3的鋁摻雜的氧化鋅納米顆粒。為了制備前體，將33g Zn-乙酸酯 (奧得里奇公司（Aldrich))和I. 9g Al-乙酰丙酮化物（奧得里奇公司）添加到200g的 2-乙基己酸，并通過在150°C下將該混合物加熱1小時(shí)來(lái)溶解。用THF以重量計(jì)1 :2稀釋所 得溶液。然后將前體加入（5毫升/分鐘，HNP麥克龍希斯特姆公司（HNP Mikrosysteme)，微 環(huán)形齒輪栗mzr-2900)到噴涂噴嘴，用氧氣分散（7升/分鐘，并通過預(yù)先混合的甲烷-氧氣 火焰（CH 4:1. 21升/分鐘，O2:2. 21升/分鐘）來(lái)點(diǎn)火。通過玻璃纖維過濾器（謝樂&謝優(yōu) 公司（Schleicher&Schuell))過濾尾氣，使用真空栗（布斯公司（Busch)，Seco SV1040CV)， 流量是約20立方米/小時(shí)。從玻璃纖維過濾器收集所得氧化物納米粉末。
[0173] 合成ZnO納米顆粒時(shí)，前體中不使用Al-乙酰丙酮化物。
[0174] 如下所述制備具有ZnO或AZO的懸浮液：
[0175] "Dieth-P"購(gòu)自ABCR。為了制備懸浮液，將5重量％納米粉末（如上所述）通過球 磨6小時(shí)分散在混合物中，該混合物包括92. 5重量％干燥乙醇、2重量％ H2O和0. 5重量％ 二乙基磷酸根-乙基-三乙氧基硅烷。制備的最終懸浮液是透明的，且能穩(wěn)定多于3個(gè)月。 3個(gè)月之后，測(cè)定AZO的動(dòng)力學(xué)粒度（D 5。）是18納米，純ZnO的是13納米（通過離心粒度 儀測(cè)量（魯米賽茲（Lumisizer)))。
[0176] 具有甲硅烷基-P的AZO納米顆粒懸浮液：通過火焰噴射合成法來(lái)合成標(biāo)稱組成 為ZnO中2重量％ Al2O3的鋁摻雜的氧化鋅納米顆粒。為了制備前體，將33g Zn-乙酸酯（奧 得里奇公司（