Aldrich))和I. 9g Al-乙酰丙酮化物（奧得里奇公司）添加到200g的2-乙 基己酸，并通過在150°C下將該混合物加熱1小時(shí)來溶解。用THF以重量計(jì)1 :2稀釋所得溶 液。然后將前體加入（5毫升/分鐘，HNP麥克龍希斯特姆公司（HNP Mikrosysteme)，微環(huán) 形齒輪栗mzr-2900)到噴涂噴嘴，用氧氣分散（7升/分鐘，并通過預(yù)先混合的甲烷-氧氣 火焰（CH 4:1. 21升/分鐘，O2:2. 21升/分鐘）來點(diǎn)火。通過玻璃纖維過濾器（謝樂&謝優(yōu) 公司（Schleicher&Schuell))過濾尾氣，使用真空栗（布斯公司（Busch), Seco SV1040CV)， 流量是約20立方米/小時(shí)。從玻璃纖維過濾器收集所得氧化物納米粉末。
[0177] 如下所述制備具有ZnO和"甲硅烷基-P (Silyl-P) "的懸浮液：
[0178] 甲硅烷基-P購自奧得里奇公司（在水中的42%)。為了制備懸浮液，將5重量％ 納米粉末（如上所述）通過球磨3小時(shí)分散在混合物中，該混合物包括93. 9重量％甲醇、 I. 1重量％甲硅烷基-P(在水中的42% )。制備的最終懸浮液是透明的，且能穩(wěn)定多于3 個(gè)月。3個(gè)月之后，測定動(dòng)力學(xué)粒度（D5q)是17納米（通過離心粒度儀測量（魯米賽茲 (Lumisizer)))〇
[0179] 沉積ZnO和AZO懸浮液：在有機(jī)活性層（SiZZ)上刮刀涂布ZnO或AZO納米顆粒 膜（用于如上所述的Dieth-P和甲硅烷基-P制劑），得到均勻的和無缺陷的氧化物膜。通 過輪廓儀測定沉積的氧化物膜的厚度。在空氣中于80°C下將所得膜退火5分鐘，得到高性 能設(shè)備。
[0180] 溶膠-凝膠AZO涂覆液體：AZO溶膠-凝膠涂覆液體的制備與斯圖漢（Stubhan)等 的相同。（如上所引用）。具體來說，在100毫升的乙醇中，混合2. 17g的Zn-乙酸鹽x2H20 和0. 037g Al-硝酸鹽x9H20。將該混合物在80°C下加熱3小時(shí)，然后通過0. 45微米的PTFE 過濾器過濾來去除不可溶的材料。
[0181] 結(jié)果：得到如下表所示的結(jié)果。數(shù)據(jù)表明，所有發(fā)明性組合物得到高性能OPV設(shè) 備，然而溶膠-凝膠加工的AZO制劑損壞活性層（=無性能）。
[0182]
[0184] 實(shí)例 2
[0185] 相互比較下述懸浮液：
[0186] 根據(jù)本發(fā)明：通過球磨6小時(shí)來分散2. 5重量％ ZnO, 2重量％ H2O和0. 5重量％ 二乙基磷酸根-乙基-三乙氧基硅烷和95重量％的干燥乙醇（圖4,樣品C)。
[0187] 根據(jù)胡蘇（Hsu)等（W02009/086337):將烯丙基三甲氧基-硅烷選定作為比較性 硅烷偶聯(lián)劑。使用2. 5重量％ ZnO, 2重量％ H2O和0. 5重量％烯丙基三甲氧基-硅烷和97 重量％的干燥乙醇來制備一懸浮液，并通過球磨6小時(shí)來分散（圖4,樣品A)。
[0188] 使用2. 5重量％ ZnO, 0.5重量％烯丙基三甲氧基-硅烷和95重量％的甲苯來制 備第二懸浮液，并通過球磨6小時(shí)來分散（圖4,樣品B)。
[0189] 在完成分散5天之后，光學(xué)比較發(fā)明性懸浮液和兩種現(xiàn)有技術(shù)的懸浮液。
[0190] 數(shù)據(jù)表明，發(fā)明性懸浮液得到穩(wěn)定和透明的懸浮液（圖4 ;樣品C)，而兩種現(xiàn)有技 術(shù)的懸浮液（樣品A(乙醇）和樣品B(甲苯））得到聚集的和完全沉降的懸浮液（無穩(wěn)定 性）?？紤]到這些結(jié)果，預(yù)期現(xiàn)有技術(shù)的懸浮液難以加工，特別是當(dāng)目標(biāo)是形成具有低表面 粗糙度的平滑和均勻的涂層時(shí)。對于高性能OLED和OPV設(shè)備而言，具有低表面粗糙度的高 質(zhì)量涂層是至關(guān)重要的。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種選自有機(jī)電子的電子設(shè)備， 其中，所述設(shè)備包括基材和多個(gè)層， 其中，至少一個(gè)所述層是緩沖層， 其中，所述緩沖層包括使用至少一種未取代的或取代的烷基-烷氧基-硅烷涂覆的金 屬氧化物納米顆粒， 其中，所述納米顆粒的至少一個(gè)維度的尺寸是I - 100納米， 其中，所述烷基-烷氧基-硅烷具有通式（I I) (R1O)3-Si-R2-FG (II) 其中 R1表不H, C「(^烷基，C ^C4-烷氧基-C1-C4-烷基， R2表示C ^C1。烷基，飽和的或不飽和的C ^C1。碳環(huán)基團(tuán)， FG 表示-P (0) (OR1') 2, -OP (0) (OM) R1'，其中 R1' 是 C fC6烷基，C fC4-烷氧基-C1-C4-烷 基，M是氫或堿金屬。2. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備選自下組：0PV、0LED和有機(jī)光電檢 測器。3. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述多個(gè)層以正常結(jié)構(gòu)或反向 結(jié)構(gòu)設(shè)置。4. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述緩沖層選自下組：空穴傳 輸層（HTL)，空穴注入層（HIL)，空穴提取層（HEL)，電子傳輸層（ETL)，電子注入層（EIL) 或電子提取（EEL)層。5. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述納米顆粒選自下組： ZnO, TiOx, WOx, NiO, VyOx, MoyOx 和 NbyOx ; 所述金屬氧化物任選地被其它金屬摻雜；和/或 所述金屬氧化物任選地包含含碳材料。6. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述金屬氧化物納米顆粒選自 下組：ZnO、Al-摻雜的Zn0( "AZ0"）、包含含碳材料的ZnO、包含含碳材料的AZO、TiOx和 Nb-摻雜的TiOx。7. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，具有通式（II)的所述烷基-烷 氧基-硅烷選自 3-三羥基-甲硅烷基丙基甲基-磷酸酯，鈉鹽，和 二乙基磷酸根-乙基-三乙氧基硅烷。8. 如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述基材選自 (a) 活性材料；或 (b) 額外的緩沖層；或 (c) 無機(jī)導(dǎo)電電極材料，優(yōu)選地是IT0、Ag、Cu或Ni ;或 (d) 有機(jī)導(dǎo)電電極材料，優(yōu)選地是PED0T:PSS ;或 (e) (c)和⑷的組合。9. 一種中間體商品，其包括使用多個(gè)層涂覆的片狀基材，其中所述層 (a)具有下述順序：電極/HEL/活性材料/EEL/電極（"正常結(jié)構(gòu)； (b) 具有下述順序：電極/EEL/活性材料/HEL/電極（"反向結(jié)構(gòu)； (c) 包括下述順序：電極/EEL/活性材料/HEL ; (d) 包括下述順序：電極/HEL/活性材料/EEL ; (e) 包括下述順序：電極/HIL/HTL/活性材料/ETL/EIL/電極， 其中，在（a)到（e)的各種情況下，一個(gè)或多個(gè)所述緩沖層包含如權(quán)利要求1或權(quán)利要 求6所限定的涂覆的納米顆粒。10. 如權(quán)利要求9所述的中間體商品，其特征在于， 所述緩沖層的厚度是3-1000納米和/或 所述緩沖層的平均表面粗糙度低于30納米；和/或 所述基材選自下組：ITO、銀、銅、鎳、PEDOT:PSS或活性材料；和/或 其中，不存在額外的層；和/或 娃含量是〇. 1-5重量％。11. 一種為懸浮液形式的組合物，該組合物包括： (a) 選自金屬氧化物納米顆粒的納米顆粒，和 (b) 具有通式（II)的烷基-烷氧基-硅烷或它們的混合物， (R1O)3-Si-R2-FG (II) 其中 R1表不H, C「(^烷基，C ^C4-烷氧基-C1-C4-烷基， R2表示C ^C1。烷基，飽和的或不飽和的C ^C1。碳環(huán)基團(tuán)， FG 表示-P (0) (OR1') 2, -OP (0) (OM) R1'，其中 R1' 是 C fC6烷基，C fC4-烷氧基-C1-C4-烷 基，M是氫或堿金屬； (c) 溶劑，優(yōu)選地選自下組：醇（特別是二醇-醚）、水和酮。12. -種懸浮液形式的組合物在制造如權(quán)利要求9或10所述的中間體商品或者在制造 電子設(shè)備中的應(yīng)用，該組合物包括： (a) 如權(quán)利要求1所限定的金屬氧化物納米顆粒， (b) 溶劑，該溶劑優(yōu)選地選自下組：水、醇（特別是二醇-醚）和酮； 所述電子設(shè)備選自下組：〇LED、OPV和有機(jī)光電探測器。13. -種用于制造如權(quán)利要求9所述的中間體商品的方法，其中制造所述緩沖層包括 下述步驟： (a) 將懸浮液施涂到基材或涂覆的基材上，所述懸浮液包括（i)使用未取代的或取代 的烷基-烷氧基-硅烷涂覆的金屬氧化物納米顆粒和（ii)溶劑，和 (b) 從所述組合物去除溶劑，和 (c) 任選地，在升高的溫度下處理干燥的層。14. 如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于， (a) 通過涂覆或印刷來施涂步驟（a)的懸浮液；和/或 (b) 在具有低濕度含量的空氣下或保護(hù)氣下去除步驟（b)的溶劑；和/或 (c) 在步驟（c)中，在空氣或保護(hù)氣中，將干燥的納米顆粒膜于80°C -150°C下退火。15. 如權(quán)利要求13或權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所有的層都通過涂覆或印 刷來制造。16. -種用于制造如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的電子設(shè)備的方法，所述方法包括下 述步驟： (a) 提供如權(quán)利要求9所述的中間體商品， (b) 使所述商品的層接觸電路， (c) 完成所得產(chǎn)品。17. -種通過下述方法獲得的電子設(shè)備，所述方法包括下述步驟： (a) 提供如權(quán)利要求9所述的中間體商品， (b) 使層接觸電路， (c) 完成所得產(chǎn)品。18. -種通過下述方法獲得的中間體商品，所述方法包括下述步驟： (a) 將懸浮液施涂到基材或涂覆的基材上，所述懸浮液包括（i)使用未取代的或取代 的烷基-烷氧基-硅烷涂覆的金屬氧化物納米顆粒和（ii)溶劑，和 (b) 從所述組合物去除溶劑，和 (c) 任選地，在升高的溫度下處理干燥的層。
【專利摘要】本發(fā)明涉及有機(jī)電子領(lǐng)域,例如OLED,OPV和具有反向結(jié)構(gòu)的有機(jī)光電探測器。所述設(shè)備包括基材和多個(gè)層,其中至少一個(gè)所述層是緩沖層,其中所述緩沖層包括使用未取代的或取代的烷基-烷氧基-硅烷涂覆的金屬氧化物納米顆粒。優(yōu)選地，所述緩沖層用作陰極緩沖層。
【IPC分類】H01L51/00, H01L51/50, H01L51/44
【公開號(hào)】CN105074952
【申請?zhí)枴緾N201480019309
【發(fā)明人】N·A·盧欽格, S·C·哈利姆, T·斯塔布汗, C·巴拉碧
【申請人】納米格拉德股份公司
【公開日】2015年11月18日
【申請日】2014年4月2日
【公告號(hào)】WO2014161100A1