有機(jī)薄膜晶體管陣列基板及其制作方法
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種有機(jī)薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。
【【背景技術(shù)】】
[0002]有機(jī)薄膜晶體管(Organic Thin Film Transistor, 0TFT)是由有機(jī)物作為半導(dǎo)體材料之薄膜晶體管，OTFT可在低溫或常溫下制作，因此OTFT的基板在選擇上可采用較輕、薄且便宜之塑料取代玻璃。OTFT在制作上相對傳統(tǒng)無機(jī)薄膜晶體管更為簡單，其對成膜環(huán)境的條件及純度的要求比較低，因此其制作成本比較低，其簡易的制程特性及優(yōu)異的柔韌性更大提升其在諸多領(lǐng)域的應(yīng)用機(jī)會，其可適用于柔性顯示、電子皮膚、柔性傳感器等領(lǐng)域。
[0003]在習(xí)知的有機(jī)薄膜晶體管制作方案中，一般需要多次光罩(mask)、微影(lithography)、蝕刻制程來完成陣列基板的制作。若能縮減OTFT陣列基板的制程所需光罩、微影、蝕刻制程的次數(shù)，即可縮短OTFT陣列基板的制作時(shí)間及降低制程成本。另外，目前OTFT的電極材料一般選擇功函數(shù)較低的金屬材料銀(Ag)以降低接觸電阻，但Ag在沒有保護(hù)層覆蓋的情況下容易被氧化而降低傳導(dǎo)能力。
[0004]針對上述問題，本發(fā)明提出一種新的OTFT陣列基板的制作方法，不僅縮減整體制程中所需通過光罩、微影、蝕刻制程的次數(shù)，同時(shí)可保護(hù)金屬層之電極例如銀電極，避免其在后續(xù)制程中發(fā)生氧化作用，進(jìn)而影響OTFT陣列基板所制成的器件之質(zhì)量。
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【發(fā)明內(nèi)容】
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[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種OTFT陣列基板及其制作方法，改善現(xiàn)有技術(shù)OTFT陣列基板的制作流程以提高制作生產(chǎn)效率。
[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種適用于頂發(fā)光式的OLED器件之OTFT陣列基板結(jié)構(gòu)，能夠保護(hù)保護(hù)金屬層之電極，避免其在后續(xù)制程中發(fā)生氧化作用，進(jìn)而影響OLED器件之質(zhì)量。
[0007]為達(dá)本發(fā)明上述目的，本發(fā)明之一實(shí)施例提供一種OTFT陣列基板包括:
一基板；
形成于所述基板上的一金屬層與形成于所述金屬層上的一 ITO層，被加以圖案化后，使部分金屬層曝露于ITO層外，以利用所述金屬層形成一源電極及一漏電極，并利用所述金屬層與所述ITO層形成一數(shù)據(jù)線以及一像素電極；
一有機(jī)半導(dǎo)體層，覆蓋所述源電極與所述漏電極上構(gòu)成有源層；
一有機(jī)絕緣層，是配置于所述有機(jī)半導(dǎo)體層之上方，并曝露所述像素電極；
一柵電極，是配置于所述有機(jī)絕緣層之上；以及
一鈍化層，是配置于所述柵電極之上方，并覆蓋所述有機(jī)絕緣層。
[0008]在本發(fā)明OTFT陣列基板之一實(shí)施例中，所述鈍化層經(jīng)過，經(jīng)過曝光、顯影、圖形化作業(yè)后，運(yùn)用干刻的方式去除陣列基板上屬于所述像素電極區(qū)域表面上的有機(jī)絕緣層及鈍化層，使得ITO像素電極區(qū)域裸露于外。
[0009]在本發(fā)明OTFT陣列基板之一實(shí)施例中，所述曝露出的像素電極為OLED器件的陽極，在所述曝露出的像素電極上鍍上一層OLED材料以形成一 OLED器件。所述鍍上一層OLED材料于裸露的ITO像素電極上的制備的方式，包括但不限于，例如蒸鍍、濺射等。
[0010]在本發(fā)明OTFT陣列基板之一實(shí)施例中，所述OTFT陣列基板結(jié)構(gòu)適用于頂發(fā)光式的OLED器件。
[0011]本發(fā)明之一實(shí)施例還提供一種OTFT陣列基板制作方法，包括步驟為:
提供一基板；
在基板上沉積一金屬層及一 ITO層，然后覆蓋上光阻，通過第一道光罩制程在基板上形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極以及像素電極；
在目前具有數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極以及像素電極的陣列基板上涂布一有機(jī)半導(dǎo)體層，通過第二道光罩制程以形成一有源層，然后在有機(jī)半導(dǎo)體層上涂布一有機(jī)絕緣層，使其覆蓋于整個(gè)目前的陣列基板表面上；
在有機(jī)絕緣層上沉積一金屬層，通過第三道光罩制程以形成柵電極和掃描線，然后在目前的陣列基板上再涂布一整面的有機(jī)絕緣層以形成一鈍化層，使鈍化層覆蓋于整個(gè)目前的陣列基板表面上；
鈍化層通過第四道光罩制程以使得ITO像素電極裸露于外；以及鍍上一層OLED材料于裸露的ITO像素電極上以形成一 OLED器件。
[0012]在本發(fā)明OTFT陣列基板制作方法之一實(shí)施例中，所述制作方法之第一道光罩制程包括采用第一張光罩對光阻層進(jìn)行曝光、顯影、圖形化作業(yè)。。
[0013]在本發(fā)明OTFT陣列基板制作方法之一實(shí)施例中，所述制作方法之第一道光罩制程還包括在光阻層圖形化后，使用蝕刻液對ITO層、底層金屬層進(jìn)行濕刻，然后運(yùn)用電漿對光阻層進(jìn)行灰化處理，以及進(jìn)行光阻殘?jiān)コ鳂I(yè)。
[0014]在本發(fā)明OTFT陣列基板制作方法之一實(shí)施例中，所述在第一道光罩制程后，除了源電極和漏電極所在之處，所述金屬層表面皆被ITO層覆蓋。
[0015]在本發(fā)明OTFT陣列基板制作方法之一實(shí)施例中，所述制作方法之第二道光罩制程包括采用第二張光罩對有機(jī)半導(dǎo)體層進(jìn)行曝光、顯影、圖形化作業(yè)。
[0016]在本發(fā)明OTFT陣列基板制作方法之一實(shí)施例中，所述制作方法之第三道光罩制程包括采用第三張光罩對金屬層進(jìn)行曝光、顯影、圖形化作業(yè)。
[0017]在本發(fā)明OTFT陣列基板制作方法之一實(shí)施例中，所述制作方法之第四道光罩制程包括采用第四張光罩對所述鈍化層進(jìn)行曝光、顯影、圖形化作業(yè)。
[0018]本發(fā)明之另一實(shí)施例提供一種OTFT陣列基板，其系運(yùn)用所述的制作方法所制造的。
[0019]有益效果:本發(fā)明能夠以一道光罩在ITO基板進(jìn)行陽極電極的圖案化作業(yè)，同時(shí)形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極以及像素電極，其中除了源電極和漏電極所在之處，金屬層表面都被ITO層覆蓋。因此，除了可縮減光罩制程次數(shù)，提高制作生產(chǎn)效率外，還可保護(hù)陣列基板中金屬層之電極在后續(xù)制程中免于發(fā)生氧化作用。
[0020]為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。
【【附圖說明】】
[0021]圖1(a)-圖1(d)為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，其顯示所述OTFT陣列基板經(jīng)制作方法之第一步驟的截面示意圖。
[0022]圖1(e)為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，其顯示所述OTFT陣列基板經(jīng)制作方法之第一步驟后的俯視圖。
[0023]圖2(a)為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，其顯示所述OTFT陣列基板經(jīng)制作方法之第二步驟的截面示意圖。
[0024]圖2(b)為為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，其顯示所述OTFT陣列基板經(jīng)制作方法之第二步驟后的俯視圖。
[0025]圖3(a)為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，其顯示所述OTFT陣列基板經(jīng)制作方法之第三步驟的截面示意圖。
[0026]圖3(b)為為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，其顯示所述OTFT陣列基板經(jīng)制作方法之第三步驟后的俯視圖。
[0027]圖4(a)為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，其顯示所述OTFT陣列基板經(jīng)制作方法之第四步驟的截面示意圖。
[0028]圖4(b)為為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，其顯示所述OTFT陣列基板經(jīng)制作方法之第四步驟后的俯視圖。
[0029]圖5(a)為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，其顯示所述OTFT陣列基板經(jīng)制作方法之第五步驟的截面示意圖。
[0030]圖5(b)為為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，其顯示所述OTFT陣列基板經(jīng)制作方法之第五步驟后的俯視圖。