【【具體實(shí)施方式】】
[0031]本說(shuō)明書(shū)所使用的詞語(yǔ)“實(shí)施例”意指實(shí)例、示例或例證。此外，本說(shuō)明書(shū)和所附權(quán)利要求中所使用的冠詞“一”一般地可以被解釋為“一個(gè)或多個(gè)”，除非另外指定或從上下文可以清楚確定單數(shù)形式。以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0032]本發(fā)明提出一種有機(jī)薄膜晶體管陣列基板制作流程，大致包括以下幾個(gè)流程步驟:
[0033]步驟1、在基板上沉積一金屬層及一 ITO層，然后覆蓋上光阻，通過(guò)第一道光罩制程在基板上形成數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極以及像素電極。
[0034]請(qǐng)參考圖1(a)-圖1(d)，其為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例顯示所述OTFT陣列基板經(jīng)制作方法之步驟I的截面示意圖。通常在具有ITO層的基板上蒸鍍有機(jī)薄膜之前，會(huì)先將其進(jìn)行陽(yáng)極電極的圖案化。因此，首先在基板上沉積一層金屬材料11例如Ag以形成一金屬層薄膜，接著沉積一層銦錫氧化物(ITO) 12。運(yùn)用涂布技術(shù)以涂布一層光阻(photoresist) 13，使光阻13置于ITO層12上，然后采用第一張光罩對(duì)光阻層進(jìn)行曝光、顯影、圖形化作業(yè)，使金屬層1UIT0層12及光阻13形成如圖1(a)所示的陣列基板的截面示意圖。所述光罩可為半色調(diào)(halftone)光罩或者是灰階(grayscale)光罩。之后，使用ITO蝕刻液、銀酸或其他用于蝕刻金屬層之溶液對(duì)ITO層、底層金屬層進(jìn)行濕刻，形成如圖1(b)所示陣列基板的截面示意圖。然后運(yùn)用氧氣(02)電漿對(duì)光阻層進(jìn)行灰化處理，以及光阻殘?jiān)コ鳂I(yè)，使光阻層形成如圖1(c)所示陣列基板的截面示意圖。第二次用ITO蝕刻液對(duì)ITO進(jìn)行濕刻，形成如圖1(d)所示陣列基板的截面示意圖。至此，第一道光罩制程結(jié)束。
[0035]此刻，數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極以及像素電極已形成，若俯視所述陣列基板，可見(jiàn)到如圖1(e)所示的金屬圖案，其包括對(duì)應(yīng)于一數(shù)據(jù)線(xiàn)的區(qū)域14，對(duì)應(yīng)于源電極和漏電極的區(qū)域15以及對(duì)應(yīng)于像素電極的區(qū)域16。
[0036]特別的是，上述陣列基板除了源電極和漏電極15所在之處，在金屬層表面都被ITO層覆蓋，如此可保護(hù)金屬層之?dāng)?shù)據(jù)線(xiàn)以及像素電極，避免其在后續(xù)制程中發(fā)生氧化作用，而影響其電子的傳導(dǎo)能力。
[0037]步驟2、在目前具有數(shù)據(jù)線(xiàn)、源電極、漏電極以及像素電極的陣列基板上涂布一有機(jī)半導(dǎo)體層，通過(guò)第二道光罩制程以形成一有源層，然后在有機(jī)半導(dǎo)體層上涂布一有機(jī)絕緣層，使其覆蓋于整個(gè)目前的陣列基板表面上。
[0038]請(qǐng)參考圖2(a)，其為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例顯示所述OTFT陣列基板經(jīng)制作方法之步驟2的截面示意圖。有機(jī)薄膜晶體管系采用印刷制程，因其材料大多具有可溶性，將其溶液利用噴墨印刷(ink-jet printing)的方式，運(yùn)用涂布技術(shù)包括但不限于，例如浸漬涂布(dip coating),旋轉(zhuǎn)涂布(spin-coating),刮刀涂布(blade coating)或接觸式涂布(contact coating)等方式之其中一者涂布一層有機(jī)半導(dǎo)體層27于所述陣列基板上。接著，運(yùn)用第二張光罩對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體層進(jìn)行曝光、顯影、圖形化作業(yè)，形成如圖2(a)所示陣列基板的截面圖，其系作為OTFT器件的有源層。再利用涂布技術(shù)以涂布一有機(jī)絕緣層28，使其覆蓋于整個(gè)陣列基板的表面上。至此，第二道光罩制程結(jié)束，形成如圖2(b)所示陣列基板的俯視圖。
[0039]如圖2(b)所示，對(duì)應(yīng)于一數(shù)據(jù)線(xiàn)的區(qū)域14，對(duì)應(yīng)于源電極和漏電極的區(qū)域15以及對(duì)應(yīng)于像素電極的區(qū)域16所在的上方覆蓋了有機(jī)半導(dǎo)體層及有機(jī)絕緣層之外，因此俯視可見(jiàn)到在其外圍一整面系由有機(jī)絕緣層28所覆蓋。
[0040]步驟3、在有機(jī)絕緣層上沉積一金屬層，通過(guò)第三道光罩制程以形成柵電極和掃描線(xiàn)，然后在目前的陣列基板上再涂布一整面的有機(jī)絕緣層以形成一鈍化層，使鈍化層覆蓋于整個(gè)目前的陣列基板表面上。
[0041]請(qǐng)參考圖3(a)，其為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例顯示所述OTFT陣列基板的制造方法之步驟3的示意圖。在有機(jī)絕緣層28表面沉積一層金屬材料例如鋁(Al)系金屬、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)或銅(Cu)金屬以形成一金屬層薄膜，再運(yùn)用第三張光罩對(duì)金屬層進(jìn)行曝光、顯影、圖形化作業(yè)，形成柵電極和掃描線(xiàn)31，如圖3(a)所示陣列基板的截面圖。再利用涂布方式涂布一整面的有機(jī)絕緣層，作為鈍化層32。至此，第三道光罩制程結(jié)束，形成如圖3(b)所示陣列基板的俯視圖。
[0042]如圖3 (b)所示，相較于圖2 (b)，對(duì)應(yīng)于一數(shù)據(jù)線(xiàn)的區(qū)域14，對(duì)應(yīng)于源電極和漏電極的區(qū)域15以及對(duì)應(yīng)于像素電極的區(qū)域16所在的上方覆蓋了有機(jī)半導(dǎo)體層、有機(jī)絕緣層及鈍化層，因此俯視可見(jiàn)到在其外圍一整面系由鈍化層32所覆蓋，并且還增加了對(duì)應(yīng)于柵電極和掃描線(xiàn)的區(qū)域31。
[0043]步驟4、使所述鈍化層經(jīng)過(guò)第四道光罩圖形化作業(yè)，然后運(yùn)用干刻的方式去除像素電極表面的有機(jī)絕緣層及鈍化層，以使得此區(qū)域的ITO像素電極裸露于外。
[0044]請(qǐng)參考圖4 (a)，其為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，顯示所述OTFT陣列基板的制造方法之步驟4的示意圖。運(yùn)用第四張光罩對(duì)鈍化層進(jìn)行曝光、顯影、圖形化作業(yè)，如圖4(a)所示，然后再運(yùn)用干刻的方式去除像素電極表面上方的有機(jī)絕緣層28及鈍化層32，使此區(qū)域的ITO像素電極裸露于外以預(yù)備下一階段要制作的OLED器件16。至此，第四道光罩制程結(jié)束，形成如圖4(b)所示陣列基板的俯視圖。
[0045]如圖4 (b)所示，相較于圖3 (b)，因?qū)?yīng)于像素電極的區(qū)域16上方的有機(jī)絕緣層28及鈍化層32已除去，因此俯視所見(jiàn)到對(duì)應(yīng)于像素電極的區(qū)域16此時(shí)為裸露于外的ITO
像素電極。
[0046]步驟5、鍍上一層OLED材料于裸露的ITO像素電極上以形成一 OLED器件。
[0047]最后，請(qǐng)參考圖5 (a)，其為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例顯示所述OTFT陣列基板的制造方法之第五步驟的示意圖。在裸露于外的ITO像素電極上，鍍上一層OLED材料例如熒光發(fā)光材料、磷光發(fā)光材料等以形成如圖5 (a)所示OLED器件50。所述鍍上一層OLED材料于裸露的ITO像素電極上的制備的方式，包括但不限于，例如蒸鍍、濺射等。至此，OTFT陣列基板的制程完成，形成如圖5(b)所示陣列基板的俯視圖。
[0048]如圖5(b)所示，此時(shí)ITO像素電極上已蒸鍍上OLED材料，因此俯視所見(jiàn)到相較于圖4(b)，對(duì)應(yīng)于像素電極的區(qū)域16已取代為OLED器件50。
[0049]OLED顯示裝置可依照其發(fā)光方向與結(jié)構(gòu)配置區(qū)分為底發(fā)光式、頂發(fā)光式與反頂發(fā)光式。因本發(fā)明底層金屬層電極不透光，因此本發(fā)明的OTFT陣列基板結(jié)構(gòu)僅適用于采用頂發(fā)光式的OLED器件。
[0050]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種OTFT陣列基板，所述OTFT陣列基板是使用本發(fā)明實(shí)施例提供的OTFT陣列基板的制作方法所制造的。
[0051]結(jié)合圖5 (a)及圖5 (b)所示，本發(fā)明實(shí)施例之一種OTFT陣列基板具體結(jié)構(gòu)包括一基板，于所述基板上形成的一金屬層11與于所述金屬層上形成的一 ITO層12 ;在加以圖案化后，使部分金屬層曝露于ITO層外，利用所述金屬層形成一源電極及一漏電極1