5，并利用所述金屬層與所述ITO層形成一數(shù)據(jù)線14以及一像素電極16 有機(jī)半導(dǎo)體層27，覆蓋所述源電極與所述漏電極上構(gòu)成有源層；一有機(jī)絕緣層28，是配置于所述有機(jī)半導(dǎo)體層之上方，并曝露所述像素電極；一柵電極和掃描線31，是配置于所述有機(jī)絕緣層之上；以及一鈍化層32，是配置于所述柵電極之上方，并覆蓋所述有機(jī)絕緣層。
[0052]所述鈍化層32經(jīng)過，經(jīng)過曝光、顯影、圖形化作業(yè)后，運(yùn)用干刻的方式去除陣列基板上屬于所述像素電極區(qū)域表面上的有機(jī)絕緣層及鈍化層，使得ITO像素電極區(qū)域裸露于外。
[0053]所述曝露出的像素電極為OLED器件的陽極，在所述曝露出的像素電極上鍍上一層OLED材料以形成一 OLED器件50。所述鍍上一層OLED材料于裸露的ITO像素電極上的制備的方式，包括但不限于，例如蒸鍍、濺射等。
[0054]本發(fā)明實施例之一種OTFT陣列基板制作方法系以一次光罩制程同時形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極以及像素電極，其中除了源電極和漏電極所在之處，金屬層表面皆被ITO層覆蓋。因此，除了可縮減光罩作業(yè)次數(shù)，提高生產(chǎn)效率外，本發(fā)明能夠保護(hù)OTFT陣列基板中底層金屬層之電極，避免其在后續(xù)制程中發(fā)生氧化作用，并進(jìn)而保障其所制成的器件之質(zhì)量。
[0055]盡管已經(jīng)相對于一個或多個實現(xiàn)方式示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員基于對本說明書和附圖的閱讀和理解將會想到等價變型和修改。本發(fā)明包括所有這樣的修改和變型，并且僅由所附權(quán)利要求的范圍限制。特別地關(guān)于由上述組件執(zhí)行的各種功能，用于描述這樣的組件的術(shù)語旨在對應(yīng)于執(zhí)行所述組件的指定功能(例如其在功能上是等價的)的任意組件(除非另外指示)，即使在結(jié)構(gòu)上與執(zhí)行本文所示的本說明書的示范性實現(xiàn)方式中的功能的公開結(jié)構(gòu)不等同。此外，盡管本說明書的特定特征已經(jīng)相對于若干實現(xiàn)方式中的僅一個被公開，但是這種特征可以與如可以對給定或特定應(yīng)用而言是期望和有利的其他實現(xiàn)方式的一個或多個其他特征組合。而且，就術(shù)語“包括”、“具有”、“含有”或其變形被用在【具體實施方式】或權(quán)利要求中而言，這樣的術(shù)語旨在以與術(shù)語“包含”相似的方式包括。
[0056]綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項】
1.一種有機(jī)薄膜晶體管陣列基板制作方法，其特征在于，包括步驟為: 提供一基板； 在基板上沉積一金屬層及一 ITO層，然后覆蓋上光阻，通過第一道光罩制程在基板上形成數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極以及像素電極； 在目前具有數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極以及像素電極的陣列基板上涂布一有機(jī)半導(dǎo)體層，通過第二道光罩制程以形成一有源層，然后在有機(jī)半導(dǎo)體層上涂布一有機(jī)絕緣層，使其覆蓋于整個目前的陣列基板表面上； 在有機(jī)絕緣層上沉積一金屬層，通過第三道光罩制程以形成柵電極和掃描線，然后在目前的陣列基板上再涂布一整面的有機(jī)絕緣層以形成一鈍化層，使鈍化層覆蓋于整個目前的陣列基板表面上； 鈍化層通過第四道光罩制程以使得ITO像素電極裸露于外；以及 鍍上一層OLED材料于裸露的ITO像素電極上以形成一 OLED器件。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法之第一道光罩制程包括采用第一張光罩對光阻層進(jìn)行曝光、顯影、圖形化作業(yè)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法之第一道光罩制程還包括在光阻層圖形化后，使用蝕刻液對ITO層、底層金屬層進(jìn)行濕刻，然后運(yùn)用電漿對光阻層進(jìn)行灰化處理，以及進(jìn)行光阻殘渣去除作業(yè)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述在第一道光罩制程后，除了源電極和漏電極所在之處，所述金屬層表面皆被ITO層覆蓋。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法之第二道光罩制程包括采用第二張光罩對有機(jī)半導(dǎo)體層進(jìn)行曝光、顯影、圖形化作業(yè)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法之第三道光罩制程包括采用第三張光罩對金屬層進(jìn)行曝光、顯影、圖形化作業(yè)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法之第四道光罩制程包括采用第四張光罩對所述鈍化層進(jìn)行曝光、顯影、圖形化作業(yè)。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法之第四道光罩制程還包括運(yùn)用干刻的方式去除像素電極表面的有機(jī)絕緣層及鈍化層。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在基板上沉積一金屬層及一ITO層中，所述金屬層為銀金屬(Ag)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述柵電極和掃描線之材料為鋁(Al)系金屬、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)或銅(Cu)金屬。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述涂布是利用浸漬涂布(dipcoating),旋轉(zhuǎn)涂布(spin-coating)，刮刀涂布(blade coating),或接觸式涂布(contactcoating)實行。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述鍍上一層OLED材料于裸露的ITO像素電極上的制備方法為蒸鍍或濺射。13.一種有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述有機(jī)薄膜晶體管陣列基板運(yùn)用如權(quán)利要求1所述的制作方法所制造的。14.一種有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，包括: 一基板； 形成于所述基板上的一金屬層與形成于所述金屬層上的一 ITO層，被加以圖案化后，使部分金屬層曝露于ITO層外，以利用所述金屬層形成一源電極及一漏電極，并利用所述金屬層與所述ITO層形成一數(shù)據(jù)線以及一像素電極； 一有機(jī)半導(dǎo)體層，覆蓋所述源電極與所述漏電極上構(gòu)成有源層； 一有機(jī)絕緣層，是配置于所述有機(jī)半導(dǎo)體層之上方，并曝露所述像素電極； 一柵電極和掃描線，是配置于所述有機(jī)絕緣層之上；以及 一鈍化層，是配置于所述柵電極之上方，并覆蓋所述有機(jī)絕緣層。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述鈍化層經(jīng)過，經(jīng)過曝光、顯影、圖形化作業(yè)后，運(yùn)用干刻的方式去除陣列基板上屬于所述像素電極區(qū)域表面上的有機(jī)絕緣層及鈍化層，使得ITO像素電極區(qū)域裸露于外。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述曝露出的像素電極為OLED器件的陽極。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在所述曝露出的像素電極上鍍上一層OLED材料以形成一 OLED器件。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機(jī)薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述OLED器件為頂發(fā)光式的OLED器件。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。本發(fā)明之制造方法系先在基板上連續(xù)沉積形成一金屬層薄膜，接著沉積一層銦錫氧化物(ITO)，并涂布一層光阻，使得經(jīng)過第一道光罩制程后即可同時形成源漏極圖案、數(shù)據(jù)線以及像素電極的陽極。接著分別依序制作一有機(jī)半導(dǎo)體層、一有機(jī)絕緣層、一柵電極和一掃描線以及一鈍化層。最后在像素電極(即OLED陽極)處對覆蓋的鈍化層進(jìn)行挖洞，使底層電極裸露于外，再鍍上一層OLED材料于裸露的ITO像素電極上以形成OLED器件。
【IPC分類】H01L27/12, H01L21/77
【公開號】CN105140178
【申請?zhí)枴緾N201510442816
【發(fā)明人】徐洪遠(yuǎn)
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年7月24日