外，在一些實施方案中，在溝槽222朝向襯底12從槽口 265向下延伸時，側(cè)壁2221的至少一部分的剖面圖的輪廓基本上垂直于主表面18。此外，在裝置201中，摻雜區(qū)域330與主體區(qū)域31間隔開，使得電荷平衡區(qū)域142的一部分處于摻雜區(qū)域330和主體區(qū)域31之間。
[0038]圖13示出根據(jù)仍其它實施方案的半導(dǎo)體裝置301或單元301的部分剖面圖。裝置301類似于裝置10和101且將僅描述裝置之間的差異。在一些實施方案中，裝置301包括主體區(qū)域31內(nèi)的多個摻雜區(qū)域，諸如鄰近增強區(qū)域36的摻雜區(qū)域328、鄰近摻雜區(qū)域328的一個或多個摻雜區(qū)域329和鄰近一個或多個摻雜區(qū)域329的摻雜區(qū)域330。在一個實施方案中，摻雜區(qū)域330重疊主體區(qū)域31和電荷平衡區(qū)域142，使得摻雜區(qū)域330處于這兩個區(qū)域中。在一個實施方案中，摻雜區(qū)域330在主體區(qū)域31下方延伸到電荷平衡區(qū)域142中。在一些實施方案中，摻雜區(qū)域330部分地處于主體區(qū)域31內(nèi)且部分地處于電荷平衡區(qū)域241內(nèi)。在一個實施方案中，增強區(qū)域36、摻雜區(qū)域328、一個或多個摻雜區(qū)域329和摻雜區(qū)域330彼此鄰接。在一些實施方案中，可使用其使用不同離子植入能量的多個離子植入物形成摻雜區(qū)域328、一個或多個摻雜區(qū)域329和摻雜區(qū)域330。在一個實施方案中，可針對每個植入物使用離子植入劑量的范圍在從約1.0X 112原子/cm2至約2.0X 10 12原子/cm2的硼離子植入形成摻雜區(qū)域328和摻雜區(qū)域329。在一個實施方案中，約90KeV至120KeV的離子植入能量可用于摻雜區(qū)域328且約200KeV至240KeV的離子植入能量可用于摻雜區(qū)域329。應(yīng)理解，具有不同能量的額外植入物可用于摻雜區(qū)域328和摻雜區(qū)域330之間的額外摻雜區(qū)域。例如，在另一實施方案中，可使用六個植入物(約60KeV、120KeV、180KeV、240KeV、300KeV、360KeV，其中針對每個植入物是 0.5X 112原子 /cm 2S 1.0X10 12原子/cm2)。裝置301被構(gòu)造為除其它外通過在UIS事件期間保證較高導(dǎo)電路徑來增強UIS穩(wěn)定性。
[0039]裝置301可進一步包括鄰近主體區(qū)域31形成于電荷平衡區(qū)域241中的另一摻雜區(qū)域331。在一些實施方案中，摻雜區(qū)域331具有高于電荷平衡區(qū)域242的摻雜劑濃度并且被構(gòu)造為幫助降低Rd_。在一些實施方案中，高能量離子植入可用于形成摻雜區(qū)域331。在一些實施方案中，摻雜區(qū)域331具有與電荷平衡區(qū)域242相同的導(dǎo)電類型和與摻雜區(qū)域330相反的導(dǎo)電類型。在一個實施方案中，可使用磷離子植入，其中離子植入劑量是約2.0XlO12原子/cm2且植入能量是約IMeV。在一個實施方案中，可使用約IMeV至約3MeV的范圍內(nèi)的植入能量來形成摻雜區(qū)域331。在替代實施方案中，可使用外延生長技術(shù)形成摻雜區(qū)域331，同時形成電荷平衡區(qū)域242。在一些實施方案中，摻雜區(qū)域331比摻雜區(qū)域330更深地延伸進入電荷平衡區(qū)域242。在其它實施方案中，摻雜區(qū)域331優(yōu)選具有高于電荷平衡區(qū)域242的摻雜劑濃度。在一個實施方案中，摻雜區(qū)域331在摻雜區(qū)域330的至少一部分和溝槽結(jié)構(gòu)22之間橫向延伸。應(yīng)理解，摻雜區(qū)域331可與裝置10、101和/或201 —起使用。
[0040]通過所有上述內(nèi)容，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可確定，根據(jù)一個實施方案，絕緣柵半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)(例如，元件10、101、201)包括半導(dǎo)體材料的區(qū)域(例如，元件11)，其包括半導(dǎo)體襯底(例如，元件12)、半導(dǎo)體襯底上的第一導(dǎo)電類型和第一摻雜劑濃度的第一半導(dǎo)體層(例如，元件141)和第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層(例如，元件142)，第二半導(dǎo)體層具有第一導(dǎo)電類型、具有大于第一摻雜劑濃度的第二摻雜劑濃度并且具有主表面(例如，元件18) ο結(jié)構(gòu)包括從主表面延伸的第二半導(dǎo)體層中的第二導(dǎo)電類型的主體區(qū)域(例如，元件31)。結(jié)構(gòu)包括從鄰近主體區(qū)域的主表面延伸的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層中的溝槽結(jié)構(gòu)(例如，元件22)。溝槽結(jié)構(gòu)包括終止于第一半導(dǎo)體層(例如，元件141)的溝槽(例如元件221、222)、絕緣柵電極(例如，元件28)和絕緣柵電極下方的絕緣屏蔽電極(例如，元件21、201)。主體區(qū)域中的第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)域(例如，元件33)鄰近溝槽結(jié)構(gòu)。第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)域(例如，元件330)處于鄰近主體區(qū)域的下表面的第二半導(dǎo)體層中，其中第二半導(dǎo)體層的一部分將摻雜區(qū)域與溝槽結(jié)構(gòu)分離。
[0041]在另一實施方案中，結(jié)構(gòu)還包括鄰近主體區(qū)域的下表面的第二半導(dǎo)體層中的第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)域(例如，元件330)，其中第二半導(dǎo)體層的一部分將第一摻雜區(qū)域與溝槽結(jié)構(gòu)分離。在進一步的實施方案中，第一摻雜區(qū)域鄰接主體區(qū)域的下表面。在另一實施方案中，第一摻雜區(qū)域鄰接主體區(qū)域的下表面。在進一步的實施方案中，第一摻雜區(qū)域處于半導(dǎo)體層中并與主體區(qū)域間隔開。在另一實施方案中，結(jié)構(gòu)進一步包括第一摻雜區(qū)域和主表面之間的多個第二摻雜區(qū)域(例如，元件328、329)，并與溝槽間隔開，使得多個第二摻雜區(qū)域和摻雜區(qū)域基本上垂直對準。在進一步的實施方案中，第一摻雜區(qū)域部分在主體區(qū)域內(nèi)且部分在第二半導(dǎo)體層內(nèi)。在另一實施方案中，屏蔽電極包括第一部分(例如，元件
210)和第二部分(例如，元件211)，其中第一部分比第二部分寬，并且其中第一部分處于絕緣柵電極和第二部分之間。在進一步的實施方案中，溝槽結(jié)構(gòu)包括側(cè)壁輪廓，其具有朝向溝槽的內(nèi)部分基本上向內(nèi)定向并鄰近主體區(qū)域的下表面的槽口(例如，元件265)。在另一實施方案中，主體區(qū)域的下表面處于槽口的上方。在進一步的實施方案中，在溝槽朝向溝槽的下表面從槽口向下延伸時，側(cè)壁輪廓(例如，元件2271)基本上垂直于主表面。在另一實施方案中，溝槽具有接近主表面的第一寬度和鄰近絕緣屏蔽電極的溝槽的下部分的第二寬度，其中第一寬度和第二寬度基本相等。在仍進一步的實施方案中，結(jié)構(gòu)可進一步包括鄰近第一摻雜區(qū)域并鄰近溝槽結(jié)構(gòu)的第二半導(dǎo)體層中的第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)域。在進一步的實施方案中，第二摻雜區(qū)域具有比第二半導(dǎo)體層高的摻雜劑濃度。在又另一實施方案中，摻雜區(qū)域處于第二摻雜區(qū)域內(nèi)。在另一實施方案中，第二摻雜區(qū)域比摻雜區(qū)域進一步延伸進入第二半導(dǎo)體層。
[0042]本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)理解，根據(jù)另一實施方案，絕緣柵半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)(例如，元件10、101、201)包括半導(dǎo)體材料的區(qū)域(例如，元件11)，其包括半導(dǎo)體襯底(例如，元件12)、半導(dǎo)體襯底上的第一導(dǎo)電類型和第一摻雜劑濃度的第一半導(dǎo)體層(例如，元件141)和第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層(例如，元件142)具有第一導(dǎo)電類型、具有大于第一摻雜劑濃度的第二摻雜劑濃度并具有主表面(例如，元件18)。結(jié)構(gòu)包括從主表面延伸的第二半導(dǎo)體層中的第二導(dǎo)電類型的主體區(qū)域(例如，元件31)。結(jié)構(gòu)包括從鄰近主體區(qū)域的主表面延伸的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層中的溝槽結(jié)構(gòu)(例如，元件22)，并且其中溝槽結(jié)構(gòu)包括溝槽(例如，元件221、222)、絕緣柵電極(例如，元件26、28)和絕緣柵電極下方的絕緣屏蔽電極(例如，元件21、201、261、264)。結(jié)構(gòu)包括鄰近溝槽結(jié)構(gòu)的主體區(qū)域中的第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)域(例如，元件33)，其中溝槽結(jié)構(gòu)包括側(cè)壁輪廓，其具有朝向溝槽的內(nèi)部分基本上向內(nèi)定向并鄰近主體區(qū)域的下表面的槽口(例如，元件265)。
[0043]在結(jié)構(gòu)的另一實施方案中，溝槽結(jié)構(gòu)終止于第一半導(dǎo)體層內(nèi)。在進一步的實施方案中，屏蔽電極(例如，元件201)包括第一部分(例如，元件210)和第二部分(例如，元件
211)，其中第一部分比第二部分寬。在另一實施方案中，結(jié)構(gòu)還包括鄰近主體區(qū)域的下表面的第二半導(dǎo)體層中的第二導(dǎo)電性的摻雜區(qū)域，其中第二半導(dǎo)體層的一部分將摻雜區(qū)域與溝槽結(jié)構(gòu)分離。在進一步的實施方案中，摻雜區(qū)域鄰接主體區(qū)域的下表面。在另一實施方案中，隨著溝槽朝向槽口從主表面向下延伸，側(cè)壁輪廓(例如，元件2271)向內(nèi)漸縮。在仍進一步的實施方案中，在溝槽朝向溝槽的下表面從槽口向下延伸時，側(cè)壁輪廓(例如，元件2221)基本上垂直于主表面。
[0044]本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)理解，根據(jù)仍進一步的實施方案，絕緣柵半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)(例如，元件10、101、201)包括半導(dǎo)體材料的區(qū)域(例如，元件11)，其包括半導(dǎo)體襯底(例如，元件11)、半導(dǎo)體襯底上的第一導(dǎo)電類型和第一摻雜劑濃度的第一半導(dǎo)體層(例如，元件141)和第一半導(dǎo)體層上的第二半導(dǎo)體層(例如，元件142)，第二半導(dǎo)體層具有第一導(dǎo)電類型、具有大于第一摻雜劑濃度的第二摻雜劑濃度并且具有主表面(例如，元件18)。結(jié)構(gòu)包括從主表面延伸的第二半導(dǎo)體層中的第二導(dǎo)電類型的主體區(qū)域(例如，元件31)。結(jié)構(gòu)包括從鄰近主體區(qū)域的主表面延伸的第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層中的溝槽結(jié)構(gòu)(例如，元件22)，溝槽結(jié)構(gòu)包括溝槽(例如，元件221、222)、絕緣柵電極(例如，元件28)和絕緣柵電極下方的絕緣屏蔽電極(例如，元件201)，其中屏蔽電極包括第一部分(例如，元件210)和第二部分(例如，元件211)，其中第一部分比第二部分寬。結(jié)構(gòu)包括鄰近溝槽結(jié)構(gòu)的主體區(qū)域中的第一導(dǎo)電類型的源極區(qū)域(例如，元件33)和鄰近主體區(qū)域的下表面的第二半導(dǎo)體層中的第二導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)域(例如，元件330)，其中第二半導(dǎo)體層的一部分將摻雜區(qū)域與溝槽結(jié)構(gòu)分離。
[0045]在另一實施方案中，溝槽結(jié)構(gòu)包括朝向溝槽的內(nèi)部分基本上向內(nèi)定向并鄰近主體區(qū)域的下表面的槽口(例如，元件265)，并且其中摻雜區(qū)域鄰接主體區(qū)域的下表面。在進一步的實施方案